SiTime µPower MEMS-Oszillatoren wurden speziell für tragbare, IoT- und mobile Anwendungen entwickelt, bei denen Platz und Leistung entscheidend sind. Sie verbrauchen bis zu 90 % weniger Strom und sind bis zu 80 % kleiner als Quarzoszillatoren. Außerdem sind sie in niedrigen Frequenzen verfügbar, die Quarz nicht unterstützen kann.
Informationen zur Optimierung der Ausgangsfrequenz um bis zu ±150.000 ppm finden Sie bei unserem digital gesteuerten µPower XO .
KATEGORIEN
1 Hz bis 462,5 kHz Oszillatoren 1 Hz bis 2,5 MHz Oszillatoren/TCXO 1 bis 26 MHz Oszillatoren
1 Hz bis 462,5 kHz Oszillatoren
Der SiT1534 und der SiT1569 sind die ersten µPower-Oszillatoren, die einen Frequenzbereich zwischen 1 Hz und 462,5 kHz auf einer Grundfläche von 1,2 mm2 beherrschen. Im Chip-Scale-Gehäuse (CSP) reduzieren diese Produkte den Platzbedarf eines Zeitmessgeräts um bis zu 85 % im Vergleich zu bestehenden 2,0 x 1,2 mm großen SMD-Quarzgehäusen. Im Gegensatz zu XTALs ermöglicht der SiT1534-Oszillatorausgang eine größere Flexibilität bei der Platzierung der Komponenten und macht externe Lastkondensatoren überflüssig, wodurch zusätzliche Komponentenanzahl und Platz auf der Platine gespart werden.
- Werkseitig programmierbar von 1 Hz bis 462,5 kHz
- Der Oszillatorausgang treibt mehrere Lasten an und eliminiert XTALs
- <±10 ppm Frequenztoleranz
- Ultra-Low-Power-Oszillator: <1 µA
- Kleine Grundfläche, erhältlich in 1,2 mm 2 (1,5 x 0,8 mm) CSP
| Device | Datasheet | Buy Now | Frequency | Stability(ppm) | Output Type | Supply Voltage(V) | Temp. Range(°C) | Package Size(mm) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SiT1534 |
|
16 frequencies | 75 100 250 | LVCMOS NanoDrive™ | 1.2 to 3.63 | -10 to +70 -40 to +85 | 1.5x0.8 2.0x1.2 | |
| SiT1569 |
|
1 Hz to 462.5 kHz | ±50 | LVCMOS | 1.62 to 3.63 | -20 to +70 -40 to +85 | 1.5x0.8 |
Schlüsselressourcen
1 Hz bis 2,5 MHz Oszillatoren/TCXO
Mit flexiblen Frequenzen bieten diese ultrakleinen µPower-Niederfrequenz-Referenzquellen neue architektonische Optionen für tragbare, mobile und IoT-Anwendungen, bei denen Platz und Leistung entscheidend sind.
- Weltweit kleinster Oszillator-Footprint: 1,2 mm 2 (1,5 x 0,8 mm) CSP
- Der Oszillatorausgang treibt mehrere Lasten an und eliminiert XTALs
- Extrem geringer Stromverbrauch: 2,5 bis 5,5 μA bei 100 kHz
- Der SiT1576 TCXO bietet eine umfassende Frequenzstabilität von ±5 ppm für eine verbesserte lokale Zeitmessung und Systemleistung
- Der SiT1580 TCXO nutzt die neueste Generation der EpiSeal®-Technologie, die den Resonator hermetisch abdichtet und ihn so undurchlässig für alle kleinmolekularen Gase und immun gegen äußere atmosphärische Elemente macht
| Device | Datasheet | Buy Now | Frequency | Stability(ppm) | Output Type | Supply Voltage(V) | Temp. Range(°C) | Package Size(mm) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SiT1811 |
|
32.768 kHz Contact SiTime for more | ±20 | LVCMOS Reduced Swing | 1.35 to 1.98 | 0 to +70 -10 to +85 | 1.2x1.1 | |
| SiT1576 |
|
1 Hz to 2.5 MHz | ±5 ±20 | LVCMOS | 1.62 to 3.63 | -20 to +70 -40 to +85 | 1.5x0.8 | |
| SiT1579 |
|
1 Hz to 2.5 MHz | ±50 | LVCMOS | 1.62 to 3.63 | -20 to +70 -40 to +85 | 1.5x0.8 | |
| SiT1581 |
|
1 Hz to 2.5 MHz 32.768 kHz | ±50 | LVCMOS | 1.8 1.62 to 3.63 | -20 to +70 -40 to +85 | 1.5x0.8 |
1 bis 26 MHz Oszillatoren
Die µPower MEMS-Oszillatoren von SiTime sind für tragbare, IoT- und mobile Anwendungen konzipiert, bei denen Platz- und Stromeinsparungen von entscheidender Bedeutung sind. Unsere µPower-Oszillatoren verbrauchen bis zu 90 % weniger Strom und bis zu 80 % weniger Platz im Vergleich zu Quarzoszillatoren. Außerdem sind sie in niedrigen Frequenzen verfügbar, die Quarz nicht unterstützen kann.
- Kleinster Oszillator-Footprint: 1,2 mm 2 (1,5 x 0,8 mm) CSP
- Geringer Stromverbrauch: 0,1 mW aktiver Stromverbrauch bei 3 MHz
- Der Oszillatorausgang treibt mehrere Lasten an und eliminiert XTALs
- Informationen zu digital gesteuerten µPower-Oszillatoren finden Sie unter SiT3901 DCXO
| Device | Datasheet | Buy Now | Frequency | Stability(ppm) | Output Type | Supply Voltage(V) | Temp. Range(°C) | Package Size(mm) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SiT8021 |
|
1 to 26 MHz | ±50 ±100 | LVCMOS | 1.8 2.25 to 3.63 | -20 to +70 -40 to +85 | 1.5x0.8 |