Oszilloskope und Spektrumanalysatoren

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Mit dem technologischen Fortschritt in allen Branchen müssen Test- und Messgeräte die Baustein immer präziser analysieren und validieren. Dies erfordert eine genaue und robuste Zeitreferenz als Messgrundlage. SiTime MEMS-Timing-Lösungen bieten die für die Taktgeber erforderliche Stabilität. Neben besserer Stabilität und geringerem Wander weisen SiTime MEMS-basierte TCXOs und OCXOs bessere Alterungseigenschaften auf, was die Gerätegenauigkeit langfristig erhöht und deren Wert steigert.

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Vorteile der SiTime MEMS- Timing Technologie

Vollständiger MEMS- Taktgeber

Präzisions-MEMS-OCXO

Stratum 3 Super-TCXO

Taktgeber mit 10 Ausgängen

Am robustesten unter realen Bedingungen

Stabil über die gesamte Lebensdauer: ±70 ppb über 10 Jahre

I2C-Überwachung zur vereinfachten Kompensation

Integrierte MEMS sparen Platz und vereinfachen die Stückliste

Einfach zu bedienen, langlebig

Kundenspezifisch konfigurierte Lösung

Keine Probleme mit der Quarzzuverlässigkeit

1 Milliarde Stunden MTBF

Typisches Blockdiagramm eines Vektorsignalanalysators

 

Blockdiagramm des digitalen Oszilloskops

MEMS- Timing Lösungen für Oszilloskope und Spektrumanalysatoren

Geräte Hauptmerkmale Schlüsselwerte
Single-Ended-Oszillator
SiT8208 1 bis 80 MHz
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SiT8209 80 bis 220 MHz
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  • Geringer Jitter: < 0,5 ps RMS [1]
  • ±10 ppm bis 50 ppm Frequenzstabilität
  • Beliebiger Frequenzausgang
  • FlexEdge™ konfigurierbare Ausgangsantriebsstärke
  • 1,8 V, 2,5 V, 3,3 V
  • Bessere Frequenz- und Jitter-Marge verbessern die Systemstabilität und Robustheit
  • Einfache Verfügbarkeit jeder Baustein
  • Minimiert die elektromagnetischen Störungen des Oszillators
Differenzialoszillator
SiT9366 1 bis 220 MHz
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SiT9367 220 bis 725 MHz
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  • Geringer Jitter: 0,23 ps RMS [1]
  • LVPECL, LVDS, HCSL
  • 2,5 bis 3,3 V
  • -40 °C bis 105 °C
  • 3,2 x 2,5 mm großes Gehäuse
  • Erfüllt anspruchsvolle Jitter-Anforderungen
  • Geringer Platzbedarf der Leiterplatte, einfacheres Layout
  • Einfaches Design durch Flexibilität
  • MEMS-Zuverlässigkeit
DCXO
SiT3921 1 bis 220 MHz
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SiT3922 220 bis 625 MHz
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  • Digitale Frequenzregelung
  • 1 ppb Auflösung
  • Beseitigt die Notwendigkeit eines externen DAC zur Steuerung eines VCXO
  • Bessere Genauigkeit, weniger Rauschen durch digitale Steuerung
Super-TCXO
SiT5356 1 bis 60 MHz
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SiT5357 60 bis 220 MHz
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  • Geringer Jitter: 0,31 ps RMS [1]
  • ±0,1 ppm Stabilität
  • 1 ppb/°C
  • -40 °C bis 105 °C
  • Minimiert Verbindungsabbrüche durch Stöße, Vibrationen oder Temperaturschwankungen
OCXO
SiT57xx 1 bis 60 MHz
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  • ±0,005 ppm Stabilität
  • -40°C bis +85°C
  • Die digitale Frequenzabstimmung von I 2 C eliminiert Platinenrauschen
  • 10-mal bessere dynamische Stabilität (150 ppt/°C ΔF/ΔT), beständig gegen Luftströmungen und Thermoschocks
Taktgeber
SiT9514x 8 kHz bis 2,1 GHz
  • bis zu 11 Ausgänge
  • 125 fs RMS [1] Phasenjitter
  • Integration und Leistung

1 Integrationsbereich von 12 kHz bis 20 MHz

MEMS Timing übertrifft Quarz

Bessere Stabilität

Bessere Frequenzsteigung

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SiTime – Better Stability
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SiTime – Better Frequency Slope

 

Schnelleres Aufwärmen

Bessere Vibrationsbeständigkeit

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SiTime – Faster Warm Up
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SiTime – Better Vibration Resistance

 

Bessere Allan-Abweichung

Besser altern

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SiTime – Better Allan Deviation
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SiTime – Better Aging
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