SiTime MEMS-Präzisionsoszillatoren bieten die stabilste Zeitsteuerung unter Umweltbelastungen – Luftstrom, schnelle Temperaturwechsel, Stöße, Vibrationen, schlechte Stromversorgung und elektromagnetische Störungen – in einem kleinen, robusten Gehäuse. Diese Bausteine können auf jede beliebige Kombination aus Frequenz, Stabilität, Spannung und Pull-Bereich innerhalb eines breiten Parameterbereichs programmiert werden, wodurch die langen Lieferzeiten, Anpassungskosten und Zuverlässigkeitsbedenken, die mit Quarz -TCXOs und -OCXOs verbunden sind, entfallen.
Super-TCXOs
Elite Platform®, Elite X™ und Elite RF™ Super-TCXOs sind Präzisions-Timing-Lösungen mit außergewöhnlicher dynamischer Leistung und umfangreichen Funktionen. Diese Geräte lösen tief verwurzelte Timing-Probleme für Telekommunikations-, HF-, Netzwerk-, Edge-Synchronisations- und Präzisions-GNSS-Anwendungen. Durch die Kombination von hoher Stabilität und geringem Phasenrauschen mit dem robusten Gehäuse eines Keramik-TCXOs ersetzen SiTime Super-TCXOs herkömmliche Quarz-OCXOs und erhöhen gleichzeitig die Zuverlässigkeit, senken den Stromverbrauch und reduzieren die Größe.
- Hohe Stabilität (±0,01 ppm bis ±2,5 ppm), 1 bis 220 MHz
- Bessere dynamische Stabilität als Quarz (±0,5 ppb/°C ΔF/ΔT), beständig gegen Luftströmung und Thermoschock
- Der Betrieb bei -40 °C bis 105 °C ermöglicht auf einzigartige Weise lüfterlose Outdoor-Geräte
- Geringes Phasenrauschen: -159 dBc/Hz bei 10 kHz (nominal 19,2 MHz)
- Geringerer Stromverbrauch (110 mW, 2,5 V) für batteriebetriebene Edge-Geräte
- Durch die digitale I2C-Frequenzabstimmung entfällt der externe DAC und die Empfindlichkeit gegenüber Platinenrauschen
- Die On-Chip-Stromversorgungs-Rauschfilterung macht dedizierte LDO überflüssig
Device | Datasheet | Buy Now | Frequency | Stability(ppm) | Output Type | Supply Voltage(V) | Temp. Range(°C) | Package Size(mm) |
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SiT5155 | 12 standard frequencies | ±0.5 | LVCMOS Clipped sinewave | 2.5 2.8 3 3.3 | -20 to +70 -40 to +85 -40 to +105 | 5.0 x 3.2 10-pin | ||
SiT5156 | 1 to 60 MHz | ±0.5 ±1 ±2.5 | LVCMOS Clipped sinewave | 2.5 2.8 3 3.3 | -20 to +70 -40 to +85 -40 to +105 | 5.0 x 3.2 10-pin | ||
SiT5157 | 60 to 220 MHz | ±0.5 ±1 ±2.5 | LVCMOS | 2.5 2.8 3 3.3 | -20 to +70 -40 to +85 -40 to +105 | 5.0 x 3.2 10-pin | ||
SiT5356 | 1 to 60 MHz | ±0.1 ±0.2 ±0.25 | LVCMOS Clipped sinewave | 2.5 2.8 3 3.3 | -20 to +70 -40 to +85 -40 to +105 | 5.0 x 3.2 10-pin | ||
SiT5357 | 60 to 220 MHz | ±0.1 ±0.2 ±0.25 | LVCMOS | 2.5 2.8 3 3.3 | -20 to +70 -40 to +85 -40 to +105 | 5.0 x 3.2 10-pin | ||
SiT5359 | 60 to 220 MHz | ±0.05 (±50 ppb) | LVCMOS | 2.5 2.8 3.0 3.3 | 0 to +70 -20 to +70 -40 to +85 -40 to +105 | 5.0 x 3.2 10-pin | ||
SiT5358 | 1 to 60 MHz | ±0.05 | LVCMOS Clipped sinewave | 2.5 2.8 3.0 3.3 | 0 to +70 -20 to +70 -40 to +85 -40 to +105 | 5.0 x 3.2 10-pin | ||
SiT5501 | 1 to 60 MHz | ±0.01 (±10 ppb) ±0.02 (±20 ppb) | LVCMOS Clipped sinewave | 2.5 2.8 3.0 3.3 | -40 to +85 -40 to +105 | 7.0 x 5.0 10-pin | ||
SiT5503 | 1 to 60 MHz | ±0.005 (±5 ppb) | LVCMOS Clipped sinewave | 2.5 2.8 3.0 3.3 | -20 to +70 -40 to +85 -40 to +95 | 7.0 x 5.0 10-pin | ||
SiT5376 | 1 to 60 MHz | ±0.1 ±0.2 ±0.25 | LVCMOS Clipped Sinewave | 1.8 2.5 2.8 3.0 3.3 | -20 to 70 -40 to +85 -40 to +105 | 5.0 x 3.5 10-pin | ||
SiT5377 | 60 to 220 MHz | ±0.1 ±0.2 ±0.25 | LVDS | 1.8 2.5 2.8 3.0 3.3 | -20 to 70 -40 to +85 -40 to +105 | 5.0 x 3.5, 10-pin | ||
SiT5977 | 156.25 MHz | ±0.1 ±0.2 ±0.25 | LVDS | 3.3 | -40 to +85 | 5.0 x 3.5, 10-pin |
Schlüsselressourcen
Automobil-TCXOs
Die AEC-Q100-Automobil- TCXOs von SiTime basieren auf der Elite Platform™ und sind für eine höhere dynamische Leistung, Zuverlässigkeit und Robustheit ausgelegt, was sie ideal für autonome Fahrsysteme macht. Diese 1 bis 220 MHz Präzisionsgeräte mit hoher Stabilität (±0,1 ppm bis ±2,5 ppm) über AEC-Q100 Grade-2-Temperaturen von -40 °C bis 105 °C lösen tiefgreifende Timing-Probleme in rauen Automobilumgebungen.
- 30-mal bessere dynamische Stabilität (1 ppb/°C ΔF/ΔT) als Quarz, beständig gegen Luftströmung und Thermoschock
- AEC-Q100 Grade-2 -40 °C bis 105 °C Betrieb für Umgebungen mit hohen Temperaturen
- Branchenbeste G-Empfindlichkeit von 0,1 ppb/g
- Bessere Schockfestigkeit bei 10.000 g, Vibrationsfestigkeit bei 70 g
- Höhere Zuverlässigkeit bei über 1 Milliarde Stunden MTBF (< 1 FIT)
Device | Datasheet | Buy Now | Frequency | Stability(ppm) | Output Type | Supply Voltage(V) | Temp. Range(°C) | Package Size(mm) |
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SiT5186 | 1 to 60 MHz | ±0.5 ±1 ±2.5 | LVCMOS Clipped Sinewave | 2.5 2.8 3 3.3 | -20 to 70 (Gr 4) -40 to 85 (Gr 3) -40 to 105 (Gr 2) | 5.0 x 3.2 10-pin | ||
SiT5187 | 60 to 220 MHz | ±0.5 ±1 ±2.5 | LVCMOS | 2.5 2.8 3 3.3 | -20 to 70 (Gr 4) -40 to 85 (Gr 3) -40 to 105 (Gr 2) | 5.0 x 3.2 10-pin | ||
SiT5386 | 1 to 60 MHz | ±0.1 ±0.2 ±0.25 | LVCMOS Clipped Sinewave | 2.5 2.8 3 3.3 | -20 to 70 (Gr 4) -40 to 85 (Gr 3) -40 to 105 (Gr 2) | 5.0 x 3.2 10-pin | ||
SiT5387 | 60 to 220 MHz | ±0.1 ±0.2 ±0.25 | LVCMOS | 2.5 2.8 3 3.3 | -20 to +70 (Gr 4) -40 to +85 (Gr 3) -40 to +105 (Gr 2) | 5.0 x 3.2 10-pin |
TCXOs
Die programmierbaren temperaturkompensierten Oszillatoren ( TCXOs ) von SiTime sind äußerst flexibel und weisen eine hohe Zuverlässigkeit auf. Unsere SiT5021/22 TCXOs sind ideal für Telekommunikations-, Netzwerk- und Industrieanwendungen, und unser SiT5008 TCXO ist für IoT- und vernetzte Verbraucheranwendungen konzipiert. Diese Lösungen sind Pin-kompatibel mit Quarz-TCXOs und ermöglichen einen 100-prozentigen Drop-in-Austausch ohne Neukonstruktion oder Layoutänderungen.
- Großer Frequenzbereich von 1 MHz bis 625 MHz
- LVPECL-, LVDS- und LVCMOS-Unterstützung
- Hohe Frequenzstabilität
- Optionale Spannungsregelung mit großem Pull-Bereich bis zu ±1600 ppm (SiT5021 und SiT5022)
Device | Datasheet | Buy Now | Frequency | Stability(ppm) | Output Type | Supply Voltage(V) | Temp. Range(°C) | Package Size(mm) |
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SiT5021 | 1 to 220 MHz | ±5 | LVPECL LVDS | 2.5 3.3 2.25 to 3.63 | -20 to +70 -40 to +85 | 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 | ||
SiT5022 | 220 to 625 MHz | ±5 | LVPECL LVDS | 2.5 3.3 2.25 to 3.63 | -20 to +70 -40 to +85 | 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 |