SiTime bietet ein komplettes Portfolio an MEMS-MHz-Oszillatoren. Diese Geräte bieten konfigurierbare Funktionen, die bei Quarz nicht verfügbar sind, und sind auf höhere Zuverlässigkeit, kürzere Vorlaufzeiten und die Lösung einzigartiger Timing-Probleme wie EMI und systeminterne Programmierbarkeit ausgelegt. Sie können Quarzoszillatoren ohne Neukonstruktion oder Änderungen am Platinenlayout ersetzen.
KATEGORIEN
Differentialoszillatoren LVCMOS-Oszillatoren Automobil- und Hochtemperaturoszillatoren Spread-Spectrum-Oszillatoren Spannungsgesteuerte Oszillatoren I2C/SPI-Oszillatoren Digital gesteuerte OszillatorenDifferentialoszillatoren
SiTime bietet einen One-Stop-Shop für alle Anforderungen an Differentialoszillatoren bis hin zu 70 fs RMS-Jitter. Diese Hochleistungsoszillatoren eignen sich ideal für optische Module, Netzwerk-, Server-, Speicher- und Telekommunikationsanwendungen und bieten einen geringen Jitter sowie eine hervorragende Immunität gegenüber Netzteilrauschen (PSNR) und Umweltgefahren wie Stößen, Vibrationen und elektromagnetischen Störungen.
- 70 fs Jitter (typisch) in Industriestandard-Gehäusen mit kleinem Formfaktor von nur 2 x 1,6 mm
- Jede Frequenz von 1 MHz bis 725 MHz
- Stabilität von ±10 ppm mit hervorragender dynamischer Leistung bei wechselnden Umgebungsbedingungen
Device | Datasheet | Buy Now | Frequency | Stability(ppm) | Output Type | Supply Voltage(V) | Temp. Range(°C) | Package Size(mm) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SiT9375 | 31 standard frequencies | ±20 ±25 ±30 ±50 | LVPECL LVDS HCSL Low-power HCSL FlexSwing | 1.8 2.5 3.3 1.71 to 3.63 2.25 to 3.63 | -20 to +70 -40 to +85 -40 to +95 -40 to +105 | 2.0 x 1.6 2.5 x 2.0 3.2 x 2.5 | ||
SiT9376 | 25 MHz to 644.53125 MHz | ±20 ±25 ±30 ±50 | LVPECL LVDS HCSL Low-power HCSL FlexSwing | 1.8 2.5 3.3 1.71 to 3.63 2.25 to 3.63 | -20 to +70 -40 to +85 -40 to +95 -40 to +105 | 2.0 x 1.6 2.5 x 2.0 3.2 x 2.5 | ||
SiT9377 | 220 MHz and 920 MHz | ±20 ±25 ±30 ±50 | LVPECL LVDS HCSL Low-power HCSL FlexSwing | 1.8 2.5 3.3 1.71 to 3.63 2.25 to 3.63 | -20 to +70 -40 to +85 -40 to +95 -40 to +105 | 2.0 x 1.6 2.5 x 2.0 3.2 x 2.5 | ||
SiT9120 | 31 standard frequencies | ±10 ±20 ±25 ±50 | LVPECL LVDS | 2.5 3.3 2.25 to 3.63 | -20 to +70 -40 to +85 | 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 | ||
SiT9121 | 1 to 220 MHz | ±10 ±20 ±25 ±50 | LVPECL LVDS | 2.5 3.3 2.25 to 3.63 | -20 to +70 -40 to +85 | 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 | ||
SiT9122 | 220 to 625 MHz | ±10 ±20 ±25 ±50 | LVPECL LVDS | 2.5 3.3 2.25 to 3.63 | -20 to +70 -40 to +85 | 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 | ||
SiT9365 | 32 standard frequencies | ±10 ±20 ±25 ±50 | LVPECL LVDS HCSL | 2.5 2.8 3 3.3 | -20 to +70 -40 to +85 -40 to +105 | 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 | ||
SiT9366 | 1 to 220 MHz | ±10 ±20 ±25 ±50 | LVPECL LVDS HCSL | 2.5 2.8 3 3.3 | -20 to +70 -40 to +85 -40 to +105 | 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 | ||
SiT9367 | 220 to 725 MHz | ±10 ±20 ±25 ±50 | LVPECL LVDS HCSL | 2.5 2.8 3 3.3 | -20 to +70 -40 to +85 -40 to +105 | 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 | ||
SiT9501 | 14 standard frequencies | ±20 ±25 ±30 ±50 | LVPECL LVDS HCSL Low-power HCSL FlexSwing | 1.8 2.5 2.8 3.3 1.71 to 3.63 2.25 to 3.63 | -20 to +70 -40 to +85 -40 to +95 -40 to +105 | 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 |
Schlüsselressourcen
LVCMOS-Oszillatoren
SiTime bietet ein umfangreiches Portfolio an LVCMOS-Oszillatoren für Verbraucher-, Industrie-, IoT- und Netzwerkanwendungen. Diese Geräte ermöglichen eine kleinere Größe und einen geringeren Stromverbrauch. Darüber hinaus sind sie in einer Vielzahl branchenüblicher Pakete erhältlich.
- 1 bis 220 MHz mit 6 Dezimalstellen Genauigkeit
- Stromverbrauch nur 60 µA
- Bessere Frequenzstabilität, bis zu ±10 ppm
- Industriestandard-Footprints (2016, 2520, 3225, 5032 und 7050)
- SOT23-5-Anschlusspaket für höhere Zuverlässigkeit und Herstellbarkeit auf Platinenebene
- FlexEdge™ konfigurierbare Anstiegs-/Abfallzeit mit 0,25 bis 40 ns Anstiegsrate zur EMI-Reduzierung
Device | Datasheet | Buy Now | Frequency | Stability(ppm) | Output Type | Supply Voltage(V) | Temp. Range(°C) | Package Size(mm) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SiT1602 | 52 standard frequencies | ±20 ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 to 3.3 1.8 to 3.3 | -20 to +70 -40 to +85 | 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 | ||
SiT2001 | 1 to 110 MHz | ±20 ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 to 3.3 | -20 to +70 -40 to +85 | SOT23 (2.9x2.8) | ||
SiT2002 | 115 to 137 MHz | ±20 ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 to 3.3 | -20 to +70 -40 to +85 | SOT23 (2.9x2.8) | ||
SiT8008 | 1 to 110 MHz | ±20 ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 to 3.3 1.8 to 3.3 | -20 to +70 -40 to +85 | 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 | ||
SiT8009 | 115 to 137 MHz | ±20 ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 to 3.3 | -20 to +70 -40 to +85 | 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 | ||
SiT8208 | 1 to 80 MHz | ±10 ±20 ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 to 3.3 | -20 to +70 -40 to +85 | 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 | ||
SiT8209 | 80 to 220 MHz | ±10 ±20 ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 to 3.3 | -20 to +70 -40 to +85 | 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 |
Automobil- und Hochtemperaturoszillatoren
Die Automobil- (AEC-Q100) und Hochtemperaturoszillatoren von SiTime bieten eine Frequenzstabilität von ±20 ppm von -55 °C bis 125 °C. Im Vergleich zu Quarz sind sie doppelt so stabil, 20-mal zuverlässiger und 30-mal widerstandsfähiger gegen Stöße und Vibrationen.
- 1 bis 725 MHz mit 6 Dezimalstellen Genauigkeit
- Militärische (-55 bis 125 °C), Automobil- (-40 bis 125 °C), erweiterte industrielle (-40 bis 105 °C) Temperaturen
- Geringe Vibrationsempfindlichkeit (g-Empfindlichkeit) von 0,1 ppb/g
- 50.000 g Stoß- und 70 g Vibrationsfestigkeit
- 2,2 Milliarden Stunden MTBF
Device | Datasheet | Buy Now | Frequency | Stability(ppm) | Output Type | Supply Voltage(V) | Temp. Range(°C) | Package Size(mm) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SiT8918 | 1 to 110 MHz | ±20 ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 to 3.3 | -40 to +105 -40 to +125 | 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 | ||
SiT8919 | 115 to 137 MHz | ±20 ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 to 3.3 | -40 to +105 -40 to +125 | 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 | ||
SiT8920 | 1 to 110 MHz | ±20 ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 to 3.3 | -55 to +125 | 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 | ||
SiT8921 | 119 to 137 MHz | ±20 ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 to 3.3 | -55 to +125 | 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 | ||
SiT8924 | 1 to 110 MHz | ±20 ±25 ±30 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 to 3.3 | -40 to +85 -40 to +105 -40 to +125 -55 to +125 | 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 | ||
SiT8925 | 115 to 137 MHz | ±20 ±25 ±30 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 to 3.3 | -40 to +85 -40 to +105 -40 to +125 -55 to +125 | 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 | ||
SiT9386 | 1 to 220 MHz | ±20 ±25 ±50 | LVPECL LVDS HCSL | 2.5 2.8 3.0 3.3 | -40 to 85 (Gr. 3) -40 to 105 (Gr. 2) | 3.2x2.5 7.0x5.0 | ||
SiT9387 | 220 to 725 MHz | ±20 ±25 ±50 | LVPECL LVDS HCSL | 2.5 2.8 3.0 3.3 | -40 to 85 (Gr. 3) -40 to 105 (Gr. 2) | 3.2x2.5 7.0x5.0 | ||
SiT9025 | 1 to 150 MHz | ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 to 3.3 | -40 to 85 (Gr. 3) -40 to 105 (Gr. 2) -40 to 125 (Gr. 1) -55 to 125 (Ext. Cold Gr. 1) | 2.0x1.6 mm 2.5x2.0 mm 3.2x2.5 mm | ||
SiT9396 | 1 to 220 MHz | ±25 (105ºC) ±30 (125ºC) ±50 (125ºC) | LVPECL LVDS HCSL Low-power HCSL FlexSwing | 1.8 2.5 3.3 2.25 to 3.63 1.71 to 3.63 | -40 to +85 -40 to +105 -40 to +125 | 2.0 x 1.6 2.5 x 2.0 3.2 x 2.5 | ||
SiT9397 | 220 to 920 MHz | ±25 (105ºC) ±30 (125ºC) ±50 (125ºC) | LVPECL LVDS HCSL Low-power HCSL FlexSwing | 1.8 2.5 3.3 2.25 to 3.63 1.71 to 3.63 | -40 to +85 -40 to +105 -40 to +125 | 2.0 x 1.6 2.5 x 2.0 3.2 x 2.5 | ||
SiT1625 | 44 standard frequencies | ±25 ppm (85ºC) ±30 (105ºC) ±50 (125ºC) | LVCMOS | 1.5 ±10% 1.8 ±10% 2.5 ±10% 3.3 ±10% 1.62 to 3.63 *1.2 ±5% | -40 to 85 (Gr.3) -40 to 105 (Gr.2) -40 to 125 (Gr.1) | 1.6x1.2 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 | ||
SiT1618 | 33 standard frequencies | ±20 ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 to 3.3 | -40 to +105 -40 to +125 | 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 | ||
SiT2018 | 1 to 110 MHz | ±20 ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 to 3.3 | -40 to +105 -40 to +125 | SOT23 (2.9x2.8) | ||
SiT2019 | 115 to 137 MHz | ±20 ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 to 3.3 | -40 to +105 -40 to +125 | SOT23 (2.9x2.8) | ||
SiT2020 | 1 to 110 MHz | ±20 ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 to 3.3 | -55 to +125 | SOT23 (2.9x2.8) | ||
SiT2021 | 119 to 137 MHz | ±20 ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 to 3.3 | -55 to +125 | SOT23 (2.9x2.8) | ||
SiT2024 | 1 to 110 MHz | ±20 ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 to 3.3 | -40 to 85 (Gr. 3) -40 to 105 (Gr. 2) -40 to 125 (Gr. 1) -55 to 125 (Ext. Cold Gr. 1) | SOT23 (2.9x2.8) | ||
SiT2025 | 115 to 137 MHz | ±20 ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 to 3.3 | -40 to 85 (Gr. 3) -40 to 105 (Gr. 2) -40 to 125 (Gr. 1) -55 to 125 (Ext. Cold Gr. 1) | SOT23 (2.9x2.8) |
Spread-Spectrum-Oszillatoren
Die EMI-Reduktionsoszillatoren von SiTime gewährleisten die Einhaltung der Emissionen durch Spread-Spectrum-Taktung und Anpassung der Anstiegs-/Abfallzeit des Taktsignals. Sie werden vom Time Machine II-Programmierer von SiTime unterstützt, der es Ingenieuren ermöglicht, Emissionswerte schnell zu reduzieren und sicherzustellen, dass Kunden die Vorschriften erfüllen.
- Bis zu 17 dB Reduzierung der Grundfrequenz und 30 dB Reduzierung der Oberwellen
- Großer Streubereich: Bis zu 4 % von Packung zu Packung
- FlexEdge™ konfigurierbare Anstiegs-/Abfallzeitoptionen: Anstiegsraten von 0,25 ns bis 40 ns
Device | Datasheet | Buy Now | Frequency | Stability(ppm) | Output Type | Supply Voltage(V) | Temp. Range(°C) | Package Size(mm) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SiT9005 | 1 to 141 MHz | ±20 ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 to 3.3 | -20 to +70 -40 to +85 | 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 |
Spannungsgesteuerte Oszillatoren
SiTime MEMS VCXOs bieten außergewöhnliche dynamische Leistung und höchste Zuverlässigkeit für Videoverteilungs- (CMTS), Netzwerk-, Telekommunikations- und Instrumentierungsanwendungen. Diese Geräte sind so konstruiert, dass sie das gleiche Phasenrauschen und die gleiche Frequenzabstimmungsgenauigkeit auch bei häufig auftretenden Umweltgefahren wie Stößen, Vibrationen, verrauschter Stromversorgung und elektromagnetischer Strahlung aufrechterhalten. Sie ermöglichen es Geräten wie Kabelkopfstellen und Remote Radio Head (RRH), höchste Leistung, höchste Zuverlässigkeit und höchste Servicequalität in unkontrollierten Umgebungen wie unklimatisierten Kellern oder Dächern zu liefern.
- Jede Frequenz von 1 MHz bis 725 MHz in 1-Hz-Schritten
- ±15 ppm, beste dynamische Stabilität über den gesamten Temperaturbereich (-40 bis +85 °C)
- 0,02 ps/mV Netzteil-Rauschunterdrückung (PSNR), wodurch die Anforderungen an die Stromversorgung gesenkt werden
- Beste (0,1 %) und breiteste (±25 bis ±3200 ppm) Linearität des Zugbereichs, 50-mal besser als Quarz
Device | Datasheet | Buy Now | Frequency | Stability(ppm) | Output Type | Supply Voltage(V) | Temp. Range(°C) | Package Size(mm) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SiT3372 | 1 to 220 MHz | ±15 ±25 ±30 ±50 | LVPECL LVDS HCSL | 2.5 2.8 3.0 3.3 | -20 to +70 -40 to +85 -40 to +105 | 3.2x2.5 7.0x5.0 5.0x3.2 | ||
SiT3373 | 220 to 725 MHz | ±15 ±25 ±30 ±50 | LVPECL LVDS HCSL | 2.5 2.8 3.0 3.3 | -20 to +70 -40 to +85 -40 to +105 | 3.2x2.5 7.0x5.0 5.0x3.2 | ||
SiT3807 | 31 frequencies | ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 2.8 3.3 | -20 to +70 -40 to +85 | 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 | ||
SiT3808 | 1 to 80 MHz | ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 2.8 3.3 | -20 to +70 -40 to +85 | 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 | ||
SiT3809 | 80 to 220 MHz | ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 2.8 3.3 | -20 to +70 -40 to +85 | 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 |
I2C/SPI-Oszillatoren
Die Elite Platform™ I2C/SPI-Oszillatoren von SiTime ermöglichen Benutzern die Programmierung der Ausgangsfrequenz und der Pull-Frequenz im System über eine digitale Schnittstelle und bieten Designern große Flexibilität. Diese Familie bietet extrem niedrigen Jitter und nutzt die einzigartige DualMEMS™-Temperaturmessung und TurboCompensation™-Technologie von SiTime, um eine außergewöhnliche dynamische Leistung zu liefern.
- Ideal zum Ersetzen mehrerer Timing-Komponenten in Systemen, die mehrere Frequenzen unterstützen, wie z. B. Telekommunikations-, Netzwerk-, Server-, Speicher-, Rundfunk-, Test- und Messgeräte
- Beliebiger Frequenzmodus zur Programmierung der Ausgangsfrequenz über I2C oder SPI von 1 MHz bis 725 MHz
- Digital gesteuerter Oszillatormodus (DCO) zum Ziehen/Abstimmen einer Frequenz von bis zu ±3200 ppm über I2C oder SPI mit einer Auflösung von 0,005 ppb
- Beliebige Kombination aus Frequenzen (1 MHz bis 725 MHz), Spannung (2,5 V bis 3,3 V), Pull-Bereich (±25 ppm bis ±3200 ppm) und drei DE-Ausgabeformaten (LVPECL, LVDS oder HCSL)
- 0,2 ps typischer integrierter Phasenjitter
Device | Datasheet | Buy Now | Frequency | Stability(ppm) | Output Type | Supply Voltage(V) | Temp. Range(°C) | Package Size(mm) |
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SiT3521 | 1 to 340 MHz | ±20 ±25 ±50 | LVPECL LVDS HCSL | 2.5 to 3.3 | -20 to +70 -40 to +85 -40 to +105 | 5.0 x 3.2 10-pin | ||
SiT3522 | 340 to 725 MHz | ±20 ±25 ±50 | LVPECL LVDS HCSL | 2.5 to 3.3 | -20 to +70 -40 to +85 -40 to +105 | 5.0 x 3.2 10-pin |
Schlüsselressourcen
Digital gesteuerte Oszillatoren
Mit den digital gesteuerten MEMS-Oszillatoren (DCXOs) von SiTime können Benutzer die Ausgangsfrequenz über eine Eindraht-Digitalschnittstelle um bis zu ±150.000 ppm anpassen. Dadurch entfällt die Notwendigkeit eines externen DAC, der bei herkömmlichen VCXO-Designs verwendet wird. Es eliminiert auch die Frequenzverschiebung, die durch Platinenrauschen auf der Spannungssteuerleitung verursacht wird.
- Große Zugbereichsoptionen, bis zu ±150.000 ppm
- Tuning-Auflösung von 1 ppb
- Extrem geringer Stromverbrauch und kleiner Platzbedarf (SiT3901)
- Großer Frequenzbereich (bis zu 625 MHz), Versorgungsspannungen (1,8 V; 2,5 V bis 3,3 V) und branchenübliche Gehäuse (1508, 3225, 5032 oder 7050)
- LVCMOS-Ausgang (SiT3907 und SiT3901) und Differenzausgänge (SiT3921 und SiT3922)
Device | Datasheet | Buy Now | Frequency | Stability(ppm) | Output Type | Supply Voltage(V) | Temp. Range(°C) | Package Size(mm) |
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SiT3907 | 1 to 220 MHz | ±10 ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 2.8 3.3 | -20 to +70 -40 to +85 | 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 | ||
SiT3921 | 1 to 220 MHz | ±10 ±25 ±50 | LVPECL LVDS | 2.5 3.3 | -20 to +70 -40 to +85 | 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 | ||
SiT3922 | 220 to 625 MHz | ±10 ±25 ±50 | LVPECL LVDS | 2.5 3.3 | -20 to +70 -40 to +85 | 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 | ||
SiT3901 | 1 to 26 MHz | ±50 ±100 | LVCMOS | 1.8 2.5 to 3.3 | -20 to +70 -40 to +85 | 1.5x0.8 |