SiT5812

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60 bis 220 MHz, 12-Stunden-Holdover-OCXO

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SiT5812, ein Mitglied der Epoch Platform™ MEMS OCXO-Familie von SiTime, maximiert die Servicekontinuität mit erstklassiger Zeitgenauigkeit in realen Umgebungen. Die Epoch Platform OCXOs wurden zur Lösung seit langem bestehender Probleme von Quarz-OCXOs entwickelt und sind widerstandsfähig gegen Temperaturschocks, Luftströmungen und Vibrationen. SiT5812 vereinfacht und beschleunigt den Designprozess mit 25-mal geringerem Volumen und 3-mal geringerem Stromverbrauch und bietet darüber hinaus eine hervorragende Widerstandsfähigkeit gegenüber Umwelteinflüssen, wodurch eine Schutzhülle überflüssig wird. Der Siliziumherstellungsprozess von SiTime gewährleistet höchste Qualität mit kürzeren Vorlaufzeiten und einer robusten Lieferkette.

Der SiT5812 ist der branchenweit kleinste OCXO (9 mm x 7 mm) und bietet eine Übertemperaturstabilität von ±1 ppb, einen typischen Frequenzanstieg (dF/dT) von ±0,01 ppb/°C und eine Haltezeit von bis zu 12 Stunden. Es ist der erste OCXO seiner Klasse, der einen Temperaturbereich von -40 °C bis 95 °C bietet.

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Datenblatt
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Epoch OCXO package 9.0x7.0
"Spezifikationen" "Value"
Frequency 60 to 220 MHz
Frequency Stability (ppm) ±0.001 (±1 ppb)
Operating Temperature Range (°C) -20 to 70, -40 to 85, -40 to 95
Package Type (mm²) 9.0 x 7.0
Oscillator Type OCXO
Voltage Supply (V) 2.5, 2.8, 3.3
Features 12-Hour Holdover, ±10 ppt/°C frequency slope, 4E-12 HDEV at 10 seconds, 460 mW steady state power consumption
Availability Pre-Production Sampling
  • Epoch OCXO package 9.0x7.0
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    Epoch OCXO package 9.0x7.0

12-Stunden-Überbrückung unter realen Bedingungen für eine doppelt so hohe Servicekontinuität

  • ±0,1 ppb/Tag Alterung
  • Einschließlich einer Temperaturänderung von 8 °C mit dem von ITU-T empfohlenen Profil und einem Luftstrom von 1 m/s

Außergewöhnliche dynamische Stabilität im Luftstrom, schnelle Temperatur. Rampe

  • ±1 ppb Übertemperatur. Stabilität von -40 bis 95°C
  • ±0,01 ppb/°C Frequenzsteigung (ΔF/ΔT) – Gewährleistet eine Servicequalität auf Systemebene für Telekommunikations- und Netzwerkgeräte in rauen Umgebungen
  • 4E-12 HDEV bei 10 Sekunden Mittelungszeit

3x weniger Stromverbrauch und 25x weniger Volumen für kompakte Edge- und Rechenzentrumsgeräte

  • 460 mW typischer Stromverbrauch (3,3 V)
  • Robustes 9,0 x 7,0 x 3,6 mm großes Gehäuse

Bestes Phasenrauschen bei Vibration

  • Minimiert Anruf- und/oder Verbindungsabbrüche in Umgebungen mit starken Vibrationen

Keine Aktivitätseinbrüche oder Mikrosprünge

  • Es sind keine kostspieligen Screening- oder Burn-in-Tests mehr erforderlich

On-Chip-Netzteil-Rauschfilterung für hervorragendes PSNR

  • Reduziert die Stückliste durch den Wegfall eines dedizierten LDO für OCXO

LVCMOS- oder abgeschnittener Sinuswellenausgang

  • Optimiert für das beste Gleichgewicht zwischen EMI und Jitter

Umfangreiche programmierbare Funktionen

  • Jede Frequenz zwischen 60 und 220 MHz
  • 2,5-, 2,8- und 3,3-V-Stromversorgungsoptionen

Digitale Frequenzabstimmung über I2C und SPI

  • Großer Zugbereich von ±3,125 bis ±400 ppm
  • 5E-14 Frequenz-Pull-Auflösung
  • Beseitigen Sie Frequenzverschiebungen, die durch Platinengeräusche verursacht werden

Überlegene Zuverlässigkeit – reduziert Feldausfälle und Reparaturkosten aufgrund von Uhrenkomponenten

  • 1 Milliarde Stunden MTBF
  • Lebenslange Garantie
  • 5G-Infrastruktur
  • 4G / 5G RRH, DU
  • ITU-T G.8273.2 Klasse D
  • Kleine Zellen
  • Switches und Router für Rechenzentren
  • Core- und Edge-Router
  • Optischer Transport (OTN, OLT usw.)
  • Timing-Server
  • Testen und Messen
  • IEEE 1588-Grenzuhren und Großmeister
  • SONET/SDH Stratum 3E
  • Disziplinierte GNSS-Timing-Module

Rechner für die Frequenzsteigung (dF/dT).   – Berechnen Sie den Frequenzanstieg über der Temperatur

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