Laden von Elektrofahrzeugen

EV (Electric Vehicle) Chargers. On a background: electric cars on electric car charging station

Die Widerstandsfähigkeit gegenüber elektromagnetischen Störungen ist eine entscheidende Voraussetzung für strombezogene Anwendungen wie das Laden von Elektrofahrzeugen – unabhängig davon, ob sich die Ladestation an einem öffentlichen Ort mit mehreren Anschlüssen befindet oder ob es sich um eine einzelne eigenständige Einheit handelt, die typischerweise in Wohngebieten verwendet wird.

Die MEMS-Timing-Produkte von SiTime bieten Systemdesign-Ingenieuren einzigartige Funktionen zur Reduzierung der abgestrahlten elektromagnetischen Störungen in Ladegeräten für Elektrofahrzeuge mit programmierbarer Antriebsstärke und Spread-Spectrum-Fähigkeit.

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Vorteile der SiTime MEMS- Timing Technologie

Weniger Leistung und kleinere Größe

Kleiner Formfaktor

Geringer Stromverbrauch

Ideale Funktionen für Elektrofahrzeuge

Erweiterter Temperaturbereich

Reduzierung der elektromagnetischen Störungen

Für die Ewigkeit gebaut

Keine Probleme mit der Quarzzuverlässigkeit

Widerstandsfähiger

Ladeausrüstung für Elektrofahrzeuge (EVSE)

Ladeeinrichtungen für Elektrofahrzeuge (EVSE) bestehen je nach Gerätetyp aus drei bis vier Hauptsubsystemen, die jeweils einen EMV-Schutz vor anderen Subsystemen benötigen. Filterung, Abschirmung und ein verbessertes PCB-Layout können die elektromagnetische Störung reduzieren, sind jedoch kostspielig und platzsparend. Die Reduzierung des vom Taktgeber erzeugten Rauschens ist ein schneller und kostengünstigerer Ansatz. SiTime MEMS-Produkte bieten solche Vorteile der Rauschreduzierung.

Ladegeräte der Stufen 1 und 2 (AC-Ladegeräte) verfügen mindestens über Subsysteme zur AC-DC-Umwandlung, HMI und Systemüberwachung.
Ladegeräte der Stufe 3 (DC-Ladegeräte) verfügen über ein zusätzliches Subsystem zur DC-DC-Umwandlung.
Batteriegepufferte Ladestationen ermöglichen das Laden der Batterien in der EVSE außerhalb der Spitzenzeiten und tragen so dazu bei, die hohen laufenden Stromkosten während der Spitzenzeiten zu senken. Anstelle eines DC-DC-Subsystems benötigen diese Ladegeräte ein Batteriemanagementsystem (BMS) zur Überwachung des Batteriezustands und profitieren von SiTime-Oszillatoren wie dem SiT8021 , SiT2001 oder SiT9025 .

Level 3 EV Charging Station Block Diagram

Vorteile der SiTime Timing Solutions

SiTime Bausteine bieten gegenüber Quarzkristallen folgende Vorteile, die insbesondere für industrielle Anwendungen wichtig sind.

EMI-Reduzierung durch Spread Spectrum oder programmierbare Antriebsstärke.
Höhere Zuverlässigkeit und Belastbarkeit.
Keine Aktivitätseinbrüche oder Probleme beim Kaltstart.
Großer Betriebstemperaturbereich (bis zu -40 °C bis 125 °C).

MEMS Timing für das Laden von Elektrofahrzeugen

Geräte	Hauptmerkmale	Schlüsselwerte
Single-Ended-Oszillator SiT8021 1 bis 26 MHz	-40 °C bis 85 °C ±20 ppm Stabilität 1,5 x 0,8 Paket	Hohe Zuverlässigkeit Erweiterter Temperaturbereich Geringer Platzbedarf
Single-Ended-Oszillator SiT8008 1 bis 110 MHz SiT8009 115 bis 137 MHz	-20 bis +70, -40°C bis 85°C ±20, ±25 oder ±50 ppm Stabilität SOT23-Gehäuse für bessere Zuverlässigkeit auf Platinenebene	Programmierbare Antriebsstärke Schnelle Startzeit von 5 ms Pin-zu-Pin-Ersatz für Quarz XO
Single-Ended-Oszillator SiT2001 1 bis 110 MHz SiT2002 115 bis 137 MHz	-20 bis +70, -40°C bis 85°C ±20, ±25 oder ±50 ppm Stabilität 2016, 2520, 3225, 5031, 7050 Pakete*	Programmierbare Antriebsstärke Schnelle Startzeit von 5 ms *Pin-zu-Pin-Ersatz für Quarz XO
Spread-Spectrum-Oszillator SiT9025 1 bis 150 MHz	Bis zu -55°C bis 125°C ±25 oder ±50 ppm Stabilität Konfigurierbare Anstiegs-/Abfallzeiten 2016, 2520, 3225 Pakete AEC-Q100-zertifiziert	Reduzierung der elektromagnetischen Störungen Hohe Zuverlässigkeit Programmierbare Antriebsstärke Erweiterter Temperaturbereich
Spread-Spectrum-Oszillator SiT9005 1 bis 141 MHz	±25 oder ±50 ppm Stabilität -40 °C bis 85 °C Konfigurierbare Anstiegs-/Abfallzeiten 2016, 2520, 3225 Pakete	Reduzierung der elektromagnetischen Störungen Hohe Zuverlässigkeit Programmierbare Antriebsstärke Erweiterter Temperaturbereich
32,768-kHz-Oszillator SiT1811 32,768 kHz	±20, ±50, ±100 ppm Stabilität 1,14 bis 3,63 V Versorgung 490 nA Verbrauch Bis zu -40°C bis 105°C 1,2 x 1,1 mm großes Gehäuse 115 ms Startzeit	Geringe Leistung Geringer Platzbedarf Ausgezeichnete Stabilität Schnellere Startzeit als bei einem 32,768-kHz-Stimmgabelquarz ermöglicht einen schnelleren Systemstart