SiT5801, ein Mitglied der Epoch Platform™ MEMS OCXO-Familie von SiTime, maximiert die Servicekontinuität mit erstklassiger Zeitgenauigkeit in realen Umgebungen. Die Epoch Platform OCXOs wurden entwickelt, um langjährige Probleme von Quarz-OCXOs zu lösen, und sind widerstandsfähig gegen Thermoschock, Luftstrom und Vibration. SiT5801 vereinfacht und beschleunigt den Designprozess mit 25-mal weniger Volumen und 3-mal weniger Stromverbrauch und bietet darüber hinaus eine führende Umweltbeständigkeit, die eine Schutzabdeckung überflüssig macht. Der Silizium-Herstellungsprozess von SiTime gewährleistet höchste Qualität mit kürzeren Lieferzeiten für eine robuste Lieferkette.
Der SiT5801 ist der kleinste OCXO der Branche (9 mm x 7 mm) und bietet eine Übertemperaturstabilität von ±3 ppb, eine typische Frequenzsteigung (dF/dT) von ±0,02 ppb/°C und eine Zeitüberbrückung von bis zu 8 Stunden. Es ist der erste OCXO seiner Klasse, der einen Temperaturbereich von -40 °C bis 95 °C bietet.
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| "Spezifikationen" | "Value" |
|---|---|
| Frequency | 10 to 60 MHz |
| Frequency Stability (ppm) | ±0.003 (±3 ppb), ±0.005 (±5 ppb) |
| Operating Temperature Range (°C) | -20 to 70, -40 to 85, -40 to 95 |
| Package Type (mm²) | 9.0 x 7.0 |
| Oscillator Type | OCXO |
| Voltage Supply (V) | 2.5, 2.8, 3.3 |
| Features | 8-Hour Holdover, ±20 ppt/°C frequency slope, 4E-12 HDEV at 10 seconds, 420 mW steady state power consumption |
| Availability | Pre-Production Sampling |
-
Epoch OCXO package 9.0x7.0
8-Stunden-Holdover unter realen Bedingungen für doppelt so gute Servicekontinuität
- ±0,3 ppb/Tag Alterung
- Inklusive einer Temperaturänderung von 8°C mit dem von der ITU-T empfohlenen Profil und einem Luftstrom von 1 m/s
Außergewöhnliche dynamische Stabilität im Luftstrom, schneller Temperaturanstieg
- ±3 und ±5 ppb Übertemperaturstabilität von -40 bis 95 °C
- ±0,02 ppb/°C Frequenzsteigung (ΔF/ΔT) – Gewährleistet die Servicequalität auf Systemebene für Telekommunikations- und Netzwerkgeräte in rauen Umgebungen
- 4E-12 HDEV bei 10 Sekunden Durchschnittszeit
3x weniger Stromverbrauch und 25x weniger Lautstärke für kompakte Edge- und Bausteine
- 420 mW typischer Stromverbrauch (3,3 V)
- Robustes 9,0 x 7,0 x 3,6 mm großes Gehäuse
Bestes Phasenrauschen bei Vibration
- Minimiert Anruf- und/oder Verbindungsabbrüche in Umgebungen mit starken Vibrationen
Keine Aktivitätseinbrüche oder Mikrosprünge
- Macht kostspielige Screening- oder Burn-In-Tests überflüssig
Integrierte Rauschfilterung der Stromversorgung für exzellentes PSNR
Reduziert die Stückliste durch den Wegfall eines dedizierten LDO für OCXO
LVCMOS oder abgeschnittener Sinuswellenausgang
- Optimiert für die beste Balance zwischen EMI und Jitter
Umfangreiche programmierbare Funktionen
- Jede Frequenz zwischen 10 und 60 MHz
- Stromversorgungsoptionen: 2,5, 2,8 und 3,3 V
Digitale Frequenzabstimmung über I2C und SPI
- Großer Pull-Bereich von ±3,125 bis ±400 ppm
- 5E-14 Frequenz-Pull-Auflösung
- Eliminieren Sie Frequenzverschiebungen durch Platinenrauschen
Überlegene Zuverlässigkeit – reduziert Feldausfälle und Reparaturkosten aufgrund von Taktgeber
- 1 Milliarde Stunden MTBF
- Lebenslange Garantie
- 5G-Infrastruktur
- 4G / 5G RRH, DU
- ITU-T G.8273.2 Klasse D
- Kleine Zellen
- Switches und Router für Rechenzentren
- Core- und Edge-Router
- Optischer Transport (OTN, OLT usw.)
- Timing-Server
- Testen und Messen
- IEEE 1588-Grenzuhren und Großmeister
- SONET/SDH Stratum 3E
- Disziplinierte GNSS-Timing-Module
Frequenzsteigungsrechner (dF/dT) – Frequenzsteigung über der Temperatur berechnen
| Resource Name | Resource Type | Date | Format | Size |
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