Der Elite X™ SiT5503 ist ein Stratum 3E-Präzisionsoszillator mit ±5 ppb. Dieser MEMS-basierte Super-TCXO wurde für außergewöhnliche dynamische Leistung entwickelt und eignet sich ideal zum Ersetzen größerer und weniger robuster Quarz-OCXOs in Edge-Netzwerken. Der SiT5503 erweitert die Elite X-Produktlinie um bis zu 4 Stunden Holdover-Fähigkeit und ist zudem 4x kleiner, 4x stromsparender und 30x zuverlässiger als vergleichbare OCXOs. Durch die Nutzung der einzigartigen DualMEMS®- und TurboCompensation®-Temperatursensortechnologie von SiTime bietet der SiT5503 die stabilste Zeitmessung bei Umgebungsstressoren – Luftstrom, Temperaturstörungen, Vibration, Schock und elektromagnetische Interferenzen (EMI).
Der SiT5503 kann werkseitig auf jede beliebige Kombination aus Frequenz, Spannung und Pull-Bereich programmiert werden. Diese Programmierbarkeit ermöglicht es Designern, die Taktgeber zu optimieren und gleichzeitig die langen Vorlaufzeiten und Anpassungskosten zu vermeiden, die mit Quarz-TCXOs verbunden sind, bei denen jede Frequenz individuell angepasst wird.
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"Spezifikationen" | "Value" |
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Frequency | 1 to 60 MHz |
Frequency Stability (ppm) | ±0.005 (±5 ppb) |
Operating Temperature Range (°C) | -20 to +70, -40 to +85, -40 to +95 |
Package Type (mm²) | 7.0 x 5.0 10-pin |
Oscillator Type | TCXO-SE |
Pull Range (ppm) | ±6.25, ±10, ±12.5, ±25, ±50, ±80, ±100, ±125, ±150, ±200, ±400, ±600, ±800, ±1200, ±1600, ±3200 |
Voltage Supply (V) | 2.5, 2.8, 3.0, 3.3 |
Features | Precision TCXO with ±0.3 ppb/°C frequency slope, 0.5 ppb/day aging, 110 mW typical (2.5V) |
Availability | Production |
-
Image: Ceramic 10-pin 7050 package, top & bottom
Außergewöhnliche dynamische Stabilität im Luftstrom, schneller Temperaturanstieg
- ±5 ppb Übertemperaturstabilität von -40 bis 95 °C
- ±0,3 ppb/°C Frequenzsteigung (ΔF/ΔT) – Gewährleistet die Servicequalität auf Systemebene für Telekommunikations- und Netzwerkgeräte in rauen Umgebungen
- ± 0,5 ppb/Tag Alterung
- 2e-11 ADEV bei einer Durchschnittszeit von 10 Sekunden
4x weniger Stromverbrauch und 4x kleiner für kompakte Edge Bausteine
- 110 mW typischer Stromverbrauch (2,5 V)
- Robustes 7,0 mm x 5,0 mm großes Gehäuse
20x besseres Phasenrauschen bei Vibration
- Minimiert Anruf- und/oder Verbindungsabbrüche in Umgebungen mit starken Vibrationen
Keine Aktivitätseinbrüche oder Mikrosprünge
- Macht kostspielige Screening- oder Burn-In-Tests überflüssig
0,2 ps/mV Rauschunterdrückung der Stromversorgung (PSNR)
Reduziert die Stückliste durch den Wegfall eines dedizierten LDO für TCXO
LVCMOS oder abgeschnittener Sinuswellenausgang
- Optimiert für die beste Balance zwischen EMI und Jitter
Umfangreiche programmierbare Funktionen
- Jede Frequenz zwischen 1 und 60 MHz
- 2,25 bis 3,63 V
- Großer Pull-Bereich von ±6,25 bis ±3200 ppm – Passen Sie die TCXO-Spezifikationen für eine optimale Systemleistung an
Digitale Frequenzabstimmung über I2C
- Eliminieren Sie Frequenzverschiebungen durch Platinenrauschen
Überlegene Zuverlässigkeit – reduziert Feldausfälle und Reparaturkosten aufgrund von Taktgeber
- 1 Milliarde Stunden MTBF
- Lebenslange Garantie
- SONET/SDH Stratum 3E
- Kleine Zellen
- IEEE 1588-Grenzuhren und Großmeister
- Synchrones Ethernet (G.8262, Optionen 1 und 2)
- Core- und Edge-Router
- Carrier-Klassenwechsel
- Wireless & Backhaul
- Optischer Transport (OTN, OLT usw.)
- Kabelmodell-Abschlusssystem (CMTS)
- Präzisions-GNSS
- Breitbandsatellit
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- Nachverfolgung von Gütern
- Fernkommunikation
- Intelligente Landwirtschaft
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- Positionierung im Innenbereich
- Verteidigung und Luft- und Raumfahrt
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Resource Name | Resource Type | Date | Format | Size |
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