Der SiT8209 ist ein hochfrequenter Hochleistungsoszillator für Telekommunikations-, Netzwerk-, Speicher- und drahtlose Anwendungen. Er ist der erste MEMS-Oszillator der Branche, der 500 Femtosekunden typischen integrierten RMS-Phasenjitter (12 kHz bis 20 MHz) und eine Frequenzstabilität von ±10 ppm über alle Temperaturbereiche hinweg liefert. Dieses Baustein verfügt über eine Vielzahl konfigurierbarer Funktionen, wie etwa jede Frequenz von 80 bis 220 MHz, und ist mit extrem kurzer Vorlaufzeit erhältlich, um eine schnelle Markteinführung zu gewährleisten. Mit der FlexEdge™-Technologie zur Reduzierung elektromagnetischer Störungen verbessert der SiT8209 die Systemleistung. Der SiT8209 ist platzsparend mit älteren Quarz-, SAW- und Obertonoszillatoren kompatibel und kann diese Bausteine ohne Platinenänderungen ersetzen.
"Spezifikationen" | "Value" |
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Frequency | 80 to 220 MHz |
Frequency Stability (ppm) | ±10, ±20, ±25, ±50 |
Operating Temperature Range (°C) | -20 to +70, -40 to +85 |
Package Type (mm²) | 2.5x2.0, 3.2x2.5, 5.0x3.2, 7.0x5.0 |
Oscillator Type | XO-SE |
Phase Jitter (rms) | 0.5 ps |
FlexEdgeTM Rise/Fall Time | Yes |
Voltage Supply (V) | 1.8, 2.5 to 3.3 |
Features | Field programmable, Low jitter |
Availability | Production |
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Image: SiT8209 4-pin package, top & bottom
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SiT8209 pin assignments
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Phase Noise, 156.25 MHz, 3.3V, LVCMOS Output
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Configurable FlexEdge drive strength reduces EMI by slowing rise/fall time – for example the 11th clock harmonic is reduced by 35 dB by increasing the rise/fall edge from 5% to 45% of the period
<1 ps RMS integrierter Phasenjitter (12 kHz bis 20 MHz)
- Großer Jitter-Spielraum für die anspruchsvollsten Anwendungen wie SONET
Hervorragende Frequenzstabilität bis hinunter zu ±10 ppm
- Besserer Zeitspielraum, der die Systemstabilität und Robustheit verbessert
Umfangreiche Programmierbarkeit
- Frequenz von 80.000001 bis 220
- Versorgungsspannung von 1,8 V; 2,5 V bis 3,3 V
- Frequenzstabilität von ±10 ppm bis ±50 ppm
- Maßgeschneiderte Spezifikation für optimale Systemleistung
- Einfache Verfügbarkeit beliebiger Baustein innerhalb des Betriebsbereichs
Konfigurierbare Antriebsstärke durch FlexEdge-Technologie
- Langsamere Anstiegs-/Abfallzeit, die die elektromagnetischen Störungen des Oszillators minimiert
- Spart Kosten durch Ansteuerung mehrerer Lasten und Eliminierung zusätzlicher Timing-Komponenten
Drei Industriestandardpakete
- 100 %iger Drop-in-Ersatz für Quarz-VCXO ohne Designänderungen
4 bis 6 Wochen Vorlaufzeit
- Reduzieren Sie den Lagerbestand
- Minderung von Engpassrisiken
- Computerserver
- Daten Center
- Raid-Controller
- Router
- Schalter
- Telekommunikationsausrüstung
- SATA / SAS
- Fibre-Channel
- SONET
- 10G-Ethernet
- DDR
- SiT8209 (3.3 V E) IBIS Model
- SiT8209 (3.3 V R) IBIS Model
- SiT8209 (3.3 V S) IBIS Model
- SiT8209 (3.3 V D) IBIS Model
- SiT8209 (3.3 V Q) IBIS Model
- SiT8209 (3.3 V P) IBIS Model
- SiT8209 (3.3 V G) IBIS Model
- SiT8209 (3.3 V T) IBIS Model
- SiT8209 (3.3 V DFLT) IBIS Model
- SiT8209 (3.3 V B) IBIS Model
- SiT8209 (3.3 V U) IBIS Model
- SiT8209 (3.3 V W) IBIS Model
- SiT8209 (3.3 V A) IBIS Model
- SiT8209 (3.3 V L) IBIS Model
- SiT8209 (3.3 V M) IBIS Model
- SiT8209 (3.3 V Z) IBIS Model
- SiT8209 (3.3 V X) IBIS Model
- SiT8209 (3.3 V N) IBIS Model
- SiT8209 (3.3 V Y) IBIS Model
- SiT8209 (3.3 V K) IBIS Model
- SiT8209 (1.8 V K) IBIS Model
- SiT8209 (1.8 V M) IBIS Model
- SiT8209 (1.8 V L) IBIS Model
- SiT8209 (1.8 V Y) IBIS Model
- SiT8209 (1.8 V N) IBIS Model
- SiT8209 (1.8 V X) IBIS Model
- SiT8209 (1.8 V DFLT) IBIS Model
- SiT8209 (1.8 V U) IBIS Model
- SiT8209 (1.8 V B) IBIS Model
- SiT8209 (1.8 V T) IBIS Model
- SiT8209 (1.8 V A) IBIS Model
- SiT8209 (1.8 V W) IBIS Model
- SiT8209 (1.8 V D) IBIS Model
- SiT8209 (1.8 V S) IBIS Model
- SiT8209 (1.8 V R) IBIS Model
- SiT8209 (1.8 V E) IBIS Model
- SiT8209 (1.8 V G) IBIS Model
- SiT8209 (1.8 V P) IBIS Model
- SiT8209 (1.8 V Q) IBIS Model
- SiT8209 (1.8 V F) IBIS Model
- SiT8209 (2.8 V K) IBIS Model
- SiT8209 (2.8 V Y) IBIS Model
- SiT8209 (2.8 V N) IBIS Model
- SiT8209 (2.8 V X) IBIS Model
- SiT8209 (2.8 V Z) IBIS Model
- SiT8209 (2.8 V M) IBIS Model
- SiT8209 (2.8 V L) IBIS Model
- SiT8209 (2.8 V A) IBIS Model
- SiT8209 (2.8 V W) IBIS Model
- SiT8209 (2.8 V U) IBIS Model
- SiT8209 (2.8 V B) IBIS Model
- SiT8209 (2.8 V DFLT) IBIS Model
- SiT8209 (2.8 V T) IBIS Model
- SiT8209 (2.8 V P) IBIS Model
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- SiT8209 (2.8 V D) IBIS Model
- SiT8209 (2.8 V S) IBIS Model
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199 | --- | |
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500-999 | --- | |
1,000-4,999 | --- | |
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