Host-Bus-Adapter

Host-Bus-Adapter (HBA) benötigen eine präzise und robuste Taktquelle, um die gewünschten Bandbreitenanforderungen zu erfüllen. Die SiTime MEMS-Timing-Technologie bietet eine extrem stabile Taktgeber mit überlegener Leistung unter rauen Umgebungsbedingungen.

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Vorteile der SiTime MEMS- Timing Technologie

Vollständiger MEMS- Taktgeber

Taktgeneratoren

Differenzielle Oszillatoren mit geringem Jitter

Robuster unter realen Bedingungen

4x besseres dF/dT für genaue Taktung

Beständig gegen Luftstrom und Hitze

Immunität gegen Netzteilrauschen

Dünnes Profil, einfach zu verwenden

Keine Abdeckung oder Abschirmung

≤1 mm dünn, um auf die Rückseite einer Karte zu passen

HBA-Plattformen ermöglichen Hochgeschwindigkeitsverbindungen zu Speicher- und IO-Subsystemen für Rechenzentrumsserver. Solid-State-Disks (SSDs) sind die gängigste Form von Hochgeschwindigkeits- Bausteine mit hoher Kapazität in Rechenzentrumsanwendungen. Host-Bus-Adapter-Plattformen bieten eine skalierbare Möglichkeit zur Verwaltung der Datenspeicherkapazität in Serverclustern. HBA-Plattformen entkoppeln die Rechenserver von den Speicherclustern, und typischerweise kann eine einzige HBA-Plattform mehrere Rechenserver bedienen.

Blockdiagramm des Host Bus Adapters (HBA)

Die wichtigsten Technologietrends für das Design von HBA-Plattformen sind verteilte Rechnerarchitekturen, hochverdichtete Servercluster, Festplattentreiber mit hoher Speicherkapazität und Hochgeschwindigkeitsschnittstellen. All diese Technologien sorgen für hohe Leistung, gemessen an Speicher- und IO-Übertragungsraten.

Hohe Leistung geht oft mit hohem Stromverbrauch und Herausforderungen beim Wärmemanagement einher. Speicherlaufwerke auf Basis der NVM Express (NVMe)-Technologie sind zudem anfällig für Ausfälle bei Vibrationen. SiTime MEMS-basierte Oszillatoren und Taktgeber sind ideal geeignet, um extrem stabile, hochfrequente und jitterarme Taktgeber zu liefern, die unempfindlich gegenüber rauen Umgebungsbedingungen sind.

MEMS Timing für Host-Bus-Adapter

Geräte	Hauptmerkmale	Schlüsselwerte
Differenzielle Oszillatoren SiT9375 25 bis 644,5 MHz, 70 fs integrierter Phasenjitter ^[1] SiT9501 25 bis 644,5 MHz, 150 fs integrierter Phasenjitter ^[1]	±20 ppm bis ±50 ppm Frequenzstabilität LVPECL, LVDS, HCSL 1,8 V bis 3,3 V -40 °C bis 105 °C 2,0 x 1,6 mm, 2,5 x 2,0 mm, 3,2 x 2,5 mm Pakete	Erfüllt anspruchsvolle Jitter-Anforderungen Geringer Platzbedarf der Leiterplatte, einfacheres Layout Einfaches Design durch Flexibilität MEMS-Zuverlässigkeit
Taktgeber SiT91211 1 bis 750 MHz, 200 fs integrierter Phasenjitter ^[1] SiT91213 1 bis 750 MHz, 90 fs integrierter Phasenjitter ^[1]	4 differenzielle Taktgeber ±20 ppm Frequenzstabilität LVDS, LVPECL, LPHCSL 0,01 ps/mV PSRR -40 °C bis 105 °C 4 mm x 4 mm Paket	Vereinfacht das Taktgeber mit mehreren Taktgeber mit geringem Jitter Programmierbare Taktgeber erhöhen die Flexibilität komplexer Taktarchitekturen Bessere Frequenzstabilität und Störfestigkeit in harschen Umgebungen Geringer Platzbedarf auf der Leiterplatte, kompaktes Layout