Host-Bus-Adapter

Host Bus Adapter on a table

Host-Bus-Adapter (HBA) benötigen eine präzise und robuste Taktquelle, um die gewünschten hohen Bandbreitenanforderungen zu erfüllen. Die SiTime MEMS-Timing-Technologie bietet eine extrem stabile Taktgeber mit überlegener Leistung unter rauen Umgebungsbedingungen.

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Vorteile der SiTime MEMS- Timing Technologie

Vollständiger MEMS- Taktgeber

Taktgeneratoren

Differenzielle Oszillatoren mit geringem Jitter

Robuster unter realen Bedingungen

4x besseres dF/dT für genaue Taktung

Beständig gegen Luftstrom und Hitze

Immunität gegen Netzteilrauschen

Dünnes Profil, einfach zu verwenden

Keine Abdeckung oder Abschirmung

≤1 mm dünn, um auf die Rückseite einer Karte zu passen

HBA-Plattformen ermöglichen Hochgeschwindigkeitsverbindungen zu Speicher- und IO-Subsystemen für Rechenzentrumsserver. Solid-State-Disks (SSDs) sind die gängigste Form von Hochgeschwindigkeits- Bausteine mit hoher Kapazität in Rechenzentrumsanwendungen. Host-Bus-Adapter-Plattformen bieten eine skalierbare Möglichkeit zur Verwaltung der Datenspeicherkapazität in Serverclustern. HBA-Plattformen entkoppeln die Rechenserver von den Speicherclustern, und typischerweise kann eine einzige HBA-Plattform mehrere Rechenserver bedienen.

Blockdiagramm des Host Bus Adapters (HBA)

Die wichtigsten Technologietrends für HBA-Plattformdesigns sind verteilte Rechnerarchitekturen, hochdichte Servercluster, Festplattentreiber mit hoher Speicherkapazität und Hochgeschwindigkeitsschnittstellen. All diese Technologien liefern hohe Leistung, gemessen an Speicher- und IO-Übertragungsraten.

Hohe Leistung geht oft mit hohem Stromverbrauch und Herausforderungen beim Wärmemanagement einher. Speicherlaufwerke auf Basis der NVM Express (NVMe)-Technologie sind zudem anfällig für Ausfälle bei Vibrationen. SiTime MEMS-basierte Oszillatoren und Taktgeber sind ideal geeignet, um extrem stabile, hochfrequente und jitterarme Taktgeber zu liefern, die unempfindlich gegenüber rauen Umgebungsbedingungen sind.

MEMS Timing für Host-Bus-Adapter

Geräte Hauptmerkmale Schlüsselwerte
Differenzielle Oszillatoren
SiT9375 25 bis 644,5 MHz, 70 fs integrierter Phasenjitter [1]
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SiT9501 25 bis 644,5 MHz, 150 fs integrierter Phasenjitter [1]
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  • ±20 ppm bis ±50 ppm Frequenzstabilität
  • LVPECL, LVDS, HCSL
  • 1,8 V bis 3,3 V
  • -40 °C bis 105 °C
  • 2,0 x 1,6 mm, 2,5 x 2,0 mm, 3,2 x 2,5 mm Pakete
  • Erfüllt anspruchsvolle Jitter-Anforderungen
  • Geringer Platzbedarf der Leiterplatte, einfacheres Layout
  • Einfaches Design durch Flexibilität
  • MEMS-Zuverlässigkeit
Taktgeber
SiT91211 1 bis 750 MHz, 200 fs integrierter Phasenjitter [1]
SiT91213 1 bis 750 MHz, 90 fs integrierter Phasenjitter [1]
  • 4 differenzielle Taktgeber
  • ±20 ppm Frequenzstabilität
  • LVDS, LVPECL, LPHCSL
  • 0,01 ps/mV PSRR
  • -40 °C bis 105 °C
  • 4 mm x 4 mm Paket
  • Vereinfacht das Taktgeber mit mehreren Taktgeber mit geringem Jitter
  • Programmierbare Taktgeber erhöhen die Flexibilität komplexer Taktarchitekturen
  • Bessere Frequenzstabilität und Störfestigkeit in harschen Umgebungen
  • Geringer Platzbedarf auf der Leiterplatte, kompaktes Layout

[1] 12 kHz bis 20 MHz Integrationsbereich

MEMS Timing übertrifft Quarz

Ultraniedriges Phasenrauschen, 156,25 MHz

Kleinste Pakete

Image
SiTime – Ultra-Low Phase Noise, 156.25 MHz
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SiTime – Smallest Packages
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