Der robuste Endura Epoch SiT7112 OCXO ist ein MEMS-basiertes Baustein, das zur Lösung langjähriger Probleme von Quarz-OCXOs entwickelt wurde. Durch die Nutzung der einzigartigen Temperatursensortechnologie und des fortschrittlichen CMOS-Designs von SiTime bietet es hervorragende Stabilität bei Umweltbelastungen wie Luftstrom, Temperaturschwankungen, Vibrationen, Stößen und elektromagnetischen Störungen.
Dieser OCXO bietet erhebliche Verbesserungen bei Größe, Gewicht und Leistung (SWaP) mit bis zu 20-mal kleinerer Größe, bis zu 300-mal weniger Gewicht und bis zu 2-mal weniger Leistung. Der Silizium-Herstellungsprozess von SiTime gewährleistet höchste Qualität mit kürzeren Lieferzeiten für eine robuste Lieferkette.
Der SiT7112 OCXO wird in einem kleinen oberflächenmontierbaren Gehäuse (9,0 mm x 7,0 mm x 3,6 mm) geliefert und bietet eine Übertemperaturstabilität von ±3 ppb zwischen -40 °C und 95 °C, eine typische Frequenzsteigung (ΔF/ΔT) von ±0,02 ppb/°C und eine Allen-Abweichung von 5E-12. Der SiT7112 hat einen Frequenzziehbereich von ±400 ppm mit einer Feinauflösung von nur 0,05 ppt (5E-14).
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| "Spezifikationen" | "Value" |
|---|---|
| Frequency | 60 to 220 MHz |
| Frequency Stability (ppm) | ±0.001 (±1 ppb) |
| Operating Temperature Range (°C) | -40 to 85, -40 to 95 |
| Package Type (mm²) | 9.0 x 7.0 |
| Oscillator Type | OCXO |
| Voltage Supply (V) | 2.5, 2.8, 3.3 |
| Features | ±20 ppt/°C frequency slope, 5E-12 ADEV, 460 mW steady state power consumption |
| Availability | Pre-Production Sampling |
-
Epoch OCXO package 9.0x7.0
Benchmark-Überbrückung unter realen Bedingungen für Assured PNT-Systeme
- Weniger als 3,0 µs Zeitfehler nach 12 Stunden ohne GPS-Synchronisierung
- 5E-12 ADEV bei 10 Sekunden Mittelungszeit, bis zu 4-mal besser als vibrationsfeste Quarz-OCXOs
- Bis zu 10-mal bessere Alterung mit ±0,1 ppb/Tag Alterung
Extrem robuster Betrieb in harschen Umgebungen
- Bis zu 70-mal bessere g-Empfindlichkeit als vibrationsfeste Quarz-OCXOs
- ±1 ppb Übertemperaturstabilität von -40 bis 95 °C
- ±0,01 ppb/°C Frequenzsteigung (ΔF/ΔT)
- Stoßfestigkeit bis 20.000 g
Geringere Größe, Gewicht und Stromverbrauch (SWaP)
- Bis zu 3-mal weniger Stromverbrauch bei 460 mW typischer Stromverbrauch (3,3 V)
- Bis zu 20-mal weniger Volumen in einem robusten 9,0 x 7,0 x 3,6 mm großen Gehäuse
- Bis zu 300-mal weniger Gewicht bei 0,35 g
Bestes Phasenrauschen bei Vibration
- Minimiert Verbindungsabbrüche in Umgebungen mit starken Vibrationen
Keine Aktivitätseinbrüche oder Mikrosprünge
- Reduziert den Bedarf an kostspieligen Screening- oder Burn-In-Tests
Integrierte Rauschfilterung der Stromversorgung für exzellentes PSNR
- Reduziert die Stückliste durch den Wegfall eines dedizierten LDO für OCXO
LVCMOS oder abgeschnittener Sinuswellenausgang
- Optimiert für die beste Balance zwischen EMI und Jitter
Umfangreiche programmierbare Funktionen
- Jede Frequenz zwischen 60 und 220 MHz
- Stromversorgungsoptionen: 2,5, 2,8 und 3,3 V
Digitale Frequenzabstimmung über I2C und SPI
- Großer Pull-Bereich von ±3,125 bis ±400 ppm
- 5E-14 Frequenz-Pull-Auflösung
- Assured Positioning Navigation Timing (PNT)
- GNSS-Empfänger
- Leitsysteme
- Datenkommunikationssysteme
- SatCom-Terminal
- Radar
- Manpack und Airborne Radios
- Fahrzeugkommunikations-Holdover und IEEE 1588-Synchronisierung
Frequenzsteigungsrechner (dF/dT) – Berechnen Sie die Frequenzsteigung über der Temperatur
| Resource Name | Resource Type | Date | Format | Size |
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