PAM4 für Hochgeschwindigkeitsverbindungen

100G, 400G, 800G optical module, oscillator, differential

Rechenzentren setzen höhere Durchsatzverbindungen ein, um den steigenden Bandbreitenanforderungen gerecht zu werden. Dadurch wird der Zeitspielraum in Transceivern immer wichtiger, während gleichzeitig die Formfaktoren schrumpfen und die Betriebsumgebungen dichter und heißer werden.

Die Präzisions-Timing-Lösungen von SiTime sind ideal für Hochgeschwindigkeitsverbindungen mit 400 Gbit/s und mehr. Diese MEMS-basierten Geräte erfüllen anspruchsvolle Jitter-Anforderungen in kleinen Gehäusen und verfügen über eine ausgezeichnete Immunität gegenüber Temperaturschwankungen, Netzteilrauschen und anderen Umweltgefahren.

Laden Sie die Bewerbungsunterlagen herunter

Vorteile des SiTime MEMS-Timings

Vollständiger MEMS-Uhrenbaum

Differential-MEMS-XO mit geringem Jitter

Taktgenerator mit geringem Jitter

Robuster unter realen Bedingungen

105 °C, beständig gegen Luftstrom und Hitze

Immunität gegen Netzteilrauschen

Bessere Frequenzstabilität und Zuverlässigkeit

Kleine Größe, einfach zu bedienen

Kleine Fußabdrücke

≤1 mm dünn, passend für die Rückseite einer Karte

Keine Probleme mit der Quarzzuverlässigkeit

Blockdiagramme für PAM4-basierte Hochgeschwindigkeitsverbindungen

400G optisches Modul

Multi-Port-Netzwerk-Switch-SoC

MEMS-Timing für PAM4-Hochgeschwindigkeitsverbindungen

Geräte	Hauptmerkmale	Schlüsselwerte
Differentialoszillatoren SiT9375 25 bis 644,5 MHz, 70 fs Integrierter Phasenjitter ^[1] SiT9501 25 bis 644,5 MHz, 150 fs Integrierter Phasenjitter ^[1]	Frequenzstabilität von ±20 ppm bis ±50 ppm LVPECL-, LVDS- und HCSL-Signalisierungsoptionen 1,8 V bis 3,3 V 0,01 ps/mV PSNR -40 °C bis 105 °C 2,0 x 1,6, 2,5 x 2,0, 3,2 x 2,5 mm Pakete	Erfüllt anspruchsvolle Jitter-Anforderungen Kleiner PCB-Footprint, einfacheres Layout Einfaches Design aufgrund der Flexibilität MEMS-Zuverlässigkeit
Taktgenerator SiT91211 ^[2] 1 bis 750 MHz, 200 fs Integrierter Phasenjitter ^[1] SiT91213 ^[2] 1 bis 750 MHz, 90 fs Integrierter Phasenjitter ^[1]	4 differenzielle Ausgangstakte ±20 ppm Frequenzstabilität LVDS-, LVPECL- und LPHCSL-Signalisierungsoptionen 0,01 ps/mV PSRR -40 °C bis 105 °C 4 mm x 4 mm großes Paket	Vereinfacht das Design des Taktbaums mit mehreren Takten mit geringem Jitter Programmierbare Uhren erhöhen die Flexibilität komplexer Taktarchitekturen Bessere Frequenzstabilität und Störfestigkeit in rauen Umgebungen Geringer PCB-Footprint, kompaktes Layout

^[1] 12 kHz bis 20 MHz Integrationsbereich; ^[2] Informationen zur Verfügbarkeit erhalten Sie bei SiTime

Rechenzentren benötigen äußerst zuverlässige Verbindungen mit einem Durchsatz von 200 Gbit/s, 400 Gbit/s oder mehr, um den Datenverkehr aufrechtzuerhalten, der durch die zunehmende Benutzeranwendungslast in dichten Rack-basierten Servern entsteht. PAM4 steht für Pulsamplitudenmodulation, 4-Level. Dies ist die entscheidende Technologie, die Hochgeschwindigkeitsverbindungen mit 400 Gbit/s und 800 Gbit/s ermöglicht.

Die steigende Nachfrage nach Ethernet-Bandbreite zwingt Anbieter von Netzwerkinfrastrukturen und Rechenzentren zu höheren Geschwindigkeiten über Ethernet. Die meisten Netzwerkinfrastrukturen, wie Router, Switches und Ethernet-Verbindungen in Rechenzentren, haben 400-Gbit/s-Verbindungen implementiert und planen bereits 800-Gbit/s-Verbindungen.

Hochgeschwindigkeits-Ethernet-Verbindungen (10 Gbit/s und höher) leiteten den Schritt zur Einführung von PAM4 ein, aber Geschwindigkeiten von 400 Gbit/s und 800 Gbit/s sind ohne PAM4 nicht zu erreichen. Fortschritte in der PCB-Fertigungstechnologie mit engeren Toleranzen bei den Signalleitern ermöglichten den Einsatz von PAM4 für Hochgeschwindigkeits-SERDES-Verbindungen (56G und 112G), während eine bessere Lasertechnologie den Einsatz von PAM4 über Glasfaserverbindungen ermöglichte.

Anbieter von Telekommunikationsinfrastrukturen verlassen sich auf MEMS-basierte Oszillatoren und Taktgeberprodukte von SiTime, um die Anforderungen von Anbietern von Streaming-Inhalten nach höheren Datenbandbreiten zu erfüllen und zu übertreffen.