Der SiT5711 ist der kleinste Stratum 3E OCXO der Branche mit einer Frequenzstabilität von ±5 ppb und einer Frequenzsteigung von 40 ppt/°C (ΔF/ΔT). Dieses Baustein ist für die beste dynamische Leistung ausgelegt. Dieser OCXO nutzt die einzigartige DualMEMS™- und TurboCompensation™-Temperatursensortechnologie von SiTime und bietet die stabilste Taktung bei Umgebungsbelastungen wie Luftstrom, Temperaturstörungen, Vibration, Schock und elektromagnetischen Störungen (EMI).
Die Umweltbeständigkeit von SiT5711 ermöglicht eine unübertroffene Benutzerfreundlichkeit und vereinfacht das Systemdesign:
- Kann überall auf der Leiterplatte platziert werden
- Keine mechanische Abdeckung oder Abschirmung zur Wärmeisolierung erforderlich
- Keine externen Regler erforderlich
- Keine zusätzliche Abdichtung für Umgebungen mit hoher Luftfeuchtigkeit erforderlich
Der SiT5711 kann werkseitig auf jede Frequenz zwischen 1 und 60 MHz programmiert werden und das 9 x 7 mm große Gehäuse ist der kleinste verfügbare Stratum 3E OCXO.
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| "Spezifikationen" | "Wert" |
|---|---|
| Frequency | 1 to 60 MHz |
| Frequency Stability (ppm) | ±0.005 (±5 ppb), ±0.008 (±8 ppb) |
| Operating Temperature Range (°C) | -20 to +70, -40 to +85 |
| Package Type (mm²) | 9.0 x 7.0 |
| Oscillator Type | OCXO |
| Voltage Supply (V) | 3.3 |
| Features | Frequency Slope: ±40 ppt/°C; Contact SiTime for ±3 ppb stability; Contact SiTime for -40° to 105°C; |
| Availability | Not recommended for new designs |
| Recommendations | SiT5801 |
| Replacement Part | SiT5801 |
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9x7mm MEMS OCXO 10-pin package (top & bottom view)
10-mal bessere dynamische Stabilität bei Luftstrom und schnellem Temperaturanstieg, gewährleistet beste Systemleistung in harschen Umgebungen
- ±5 oder ±8 ppb Übertemperaturstabilität
- 2e-11 ADEV bei 10 Sekunden unter Luftstrom
- ±40 ppt/°C Frequenzsteigung (ΔF/ΔT)
Unübertroffene Benutzerfreundlichkeit, vereinfacht das Systemdesign
- Keine Einschränkungen bei der Leiterplattenplatzierung
- Keine mechanische Abschirmung zur Wärmeisolierung erforderlich
- Resistent gegen Feuchtigkeit
- On-Chip-Regler, keine externen LDOs oder Ferritperlen erforderlich
Kleinste Größe, ideal für Systeme mit hoher Dichte und kleinem Formfaktor
- 9 x 7 mm Grundfläche, 75 % kleiner
- 6,5 mm Höhe, 40 % dünner
Höhere Zuverlässigkeit und Robustheit
- 20-mal bessere Vibrationsfestigkeit, ideal für auf Masten montierte Geräte im Außenbereich
- Beständig gegen Mikrofonie- und/oder Biegeeffekte, ideal für große Telekommunikations-Leiterplatten
- Qualität und Zuverlässigkeit auf Halbleiterniveau, Konsistenz von Charge zu Charge
- Keine Aktivitätseinbrüche oder Mikrosprünge
Programmierbare Plattform eliminiert lange Lieferzeiten und Anpassungskosten, die mit herkömmlichen Quarz-OCXOs verbunden sind
- Jede Frequenz von 1 bis 60 MHz
- LVCMOS- oder abgeschnittene Sinuswellenausgänge
- SONET/SDH Stratum 3E
- 4G / 5G RRH, DU
- Basisstationen
- Core- und Edge-Router
- Carrier-Klassenwechsel
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| Resource Name | Resource Type | Date | Format | Size |
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