博客

新型 Endura Super-TCXO 重新构建了航空航天和国防领域的精确计时,可靠性提高了 100 倍


通过坚固耐用且易于设计的 MEMS 时序提升数据网络性能

世界各地的武装部队面临着越来越复杂的威胁,并正在积极努力实施能够更快地检测和响应这些威胁的先进系统。数据网络是这些新兴系统的支柱。为了在动态环境中实现最高的运行性能,当今先进的航空航天和国防通信及网络系统依靠坚固耐用的精密计时技术来准确可靠地同步数据流。

Image
Military ground radar system on the left, Manpack military radio in dessert in the middle, Military helicopter flying against sunset on the right

军事部门依靠在动态地面、海军和空中行动中收集的大量数据,并正在实施大规模云计算、大数据分析、人工智能和机器学习基础设施,以加速威胁检测和响应。在高速数据传输中,时钟漂移的容限变得越来越小,使得时钟稳定性变得越来越重要。在遭受极端温度、加速度、振动或冲击的恶劣操作环境中,通过最大限度地减少时钟信号漂移,精确计时对于同步无差错数据的传输和接收至关重要。

Endura 加固型 MEMS Super-TCXO 已准备好投入使用

为了满足这些关键任务要求,SiTime 为其经过现场验证的 Endura™ MEMS 加固型 Super-TCXO® 系列添加了新成员 — SiT5543。这款温控振荡器重新定义了航空航天和国防领域的 TCXO 格局,在充满挑战的环境中具有无与伦比的稳定性。 SiTime 的新型SiT5543 Super-TCXO在 -40°C 至 95°C 的温度范围内提供前所未有的 ±5 ppb 频率稳定性。此外,它在频率斜率为 0.3 ppb/°C 的快速温度瞬变期间以及在加速度灵敏度为 0.01 ppb/g 的振动下提供卓越的稳定性。目前,还没有稳定性优于 ±100 ppb 的石英基商用 TCXO。与开放市场石英 TCXO 相比,SiT5543 在整个温度范围内的频率稳定性提高了 20 倍,令人印象深刻。

Image
SiT5543 – Frequency stability ±5 ppb up to 95°C
四个 SiT5543 Super-TCXO DUT 在 -40°C 至 95°C 温度范围内测得的频率稳定性在 ±5 ppb 规格范围内,并显示出出色的器件间可重复性。

在 SiTime Super-TCXO 推出之前,设计人员必须使用恒温石英振荡器 (OCXO) 来实现 ±5 ppb 频率稳定性。使用石英 OCXO 有几个缺点。众所周知,它们价格昂贵、体积庞大、脆弱、耗电且交货时间长。 SiT5543 克服了这些问题,为加固系统设计人员提供了更好的选择。与石英 OCXO 相比,它的可靠性提高了 100 倍,功耗降低了 2 倍,尺寸缩小了 40%,使 SiT5543 成为高速数据通信、军事网络和航空电子设备等应用中 OCXO 的理想替代品。

Image
SiTime Endura™ Super-TCXO: 100x more reliable, 2x lower power, 40% smaller size
SiT5543 Super-TCXO 具有紧凑的 7 x 5 mm 占地面积和 2 mm 高度,与同类石英 OCXO 相比,可靠性更高、功耗更低、尺寸更小。

SiT5543 Super-TCXO 显着降低了误码率、系统尺寸和功耗,同时增强了恶劣操作条件下的可靠性和操作性能。这种基于 MEMS 的 Super-TCXO 的技术规格可将安全、时序相关的加密技术提升到新的水平,以保护军用无线电、GPS 接收器、导航和制导系统免受干扰事件的影响。这款 Endura Super-TCXO 提供构成当今航空航天和国防系统支柱的高速网络所需的温度和振动稳定性。由于 MEMS 技术比传统石英替代品具有卓越的稳健性,因此可以降低满足严格操作要求的风险、周期时间和成本。

硅 MEMS 计时技术是强大的推动者

SiT5543 Endura Super-TCXO 专为实现卓越的动态性能而设计。 MEMS 谐振器是 SiT5543 的核心,采用高纯度硅,使其能够利用 MEMS 计时技术的诸多优势,在存在气流、温度扰动、振动、冲击、和电磁干扰。 MEMS 谐振器的设计和制造工艺封装在低真空、无颗粒腔体中,可实现极低的老化和高可靠性。

Image
DualMEMS device architecture
SiT5543 基于 DualMEMS 架构构建,由安装在混合信号 CMOS IC 顶部的两个 MEMS 组成,可在温度范围内和快速温度瞬变期间提供卓越的稳定性。

SiT5543 采用 SiTime 的DualMEMS ®技术,其中两个 MEMS 谐振器并置在单个芯片上。其中一个谐振器针对超稳定的温度稳定性进行了优化,而另一个谐振器针对用于温度补偿的温度传感进行了优化。这导致随温度变化的近线性频率稳定性。 SiT5543 提供 ±0.3 ppb/°C 典型频率斜率 (dF/dT)。该设计还降低了随机噪声,并在 10 秒平均时间内提供 1.5e-11 ADEV 的稳定性。 MEMS 谐振器的结构及其极低的质量使其能够抵抗冲击和振动,提供卓越的 0.01 ppb/g 加速度灵敏度(业内最佳)和 20,000 g 冲击耐受性。

Image
SiT5543 – Temperature slope dF/dT is less than 0.3 ppb/°C
SiT5543 Super-TCXO 的测量频率与温度斜率 (dF/dT) 在 0.3 ppb/°C(典型)规格范围内。

SiT5443 Super-TCXO 凭借其 7 mm x 5 mm 小表面贴装尺寸、2 mm 低高度、低功耗以及减轻恶劣工作条件影响的独特能力,降低了设计成本和复杂性。由于它可在工厂编程以支持 1 至 60 MHz 的输出频率,因此消除了定制振荡器的高成本、风险和延迟。 SiT5543 具有 I2C 数字控制功能,可用于动态频率调谐或在线用户定义的补偿。数字控制提供对噪声不敏感的频率调整和平滑的频移。 85°C 下指定的低 ±150 ppb 20 年老化可以消除系统级老化补偿的需要。

SiT5543 MEMS Super-TCXO 采用世界一流的半导体工艺制造,具有统计过程控制和 6-sigma 规格限制,以确保它们开箱即用可靠运行并满足实验室和现实世界的规格。

最重要的是,SiT5443 可实现更快、低延迟的数据传输,并降低动态环境中的误码率。系统设计人员不再需要使用昂贵、笨重的定制 OCXO,这些 OCXO 对加速度、冲击和振动高度敏感。

Endura SiT5543 Super-TCXO 亮点

  • 1 至 60 MHz 可编程输出频率
  • -40°C 至 +95°C 温度范围内稳定性为 ±5 ppb
  • 整个温度斜率的稳定性为 ±0.3 ppb/°C
  • 0.01 ppb/g 加速度灵敏度
  • 0.5 ppb/天 每日老化
  • 20 年老化 ±150 ppb
  • 2 秒内最终在整个温度范围内保持稳定
  • 可选 ±3200 ppm 数字控制(带 I2C)
  • 20,000 g 冲击耐受能力
  • 典型值 110 毫瓦2.5V 电源功耗
  • 2.5 至 3.3V 电源电压
  • 7.0 mm x 5.0 mm 陶瓷表面贴装封装

更多信息

产品页面: Endura 加固型 SiT5543 Super-TCXO


我们该怎样帮助你?

联系我们索取样品

媒体联系

pr@sitime.com