80 至 220 MHz，±10 至 ±50 ppm 振荡器
LoginSiT8209 是一款适用于电信、网络、存储和无线应用的高频高性能振荡器。它是业界首款可在所有温度范围内提供 500 飞秒典型集成 RMS 相位抖动（12 kHz 至 20 MHz）和 ±10 ppm 频率稳定性的 MEMS 振荡器。该器件具有丰富的可配置功能，例如 80 至 220 MHz 的任何频率，并且交货时间极短，可确保快速上市。 SiT8209 借助可降低 EMI 的 FlexEdge™ 技术，提高了系统性能。 SiT8209 与传统石英、SAW 和泛音振荡器的封装尺寸兼容，无需更改任何电路板即可替换这些设备。
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| "眼镜" | "Value" |
|---|---|
| Frequency | 80 to 220 MHz |
| Frequency Stability (ppm) | ±10, ±20, ±25, ±50 |
| Operating Temperature Range (°C) | -20 to +70, -40 to +85 |
| Package Type (mm²) | 2.5x2.0, 3.2x2.5, 5.0x3.2, 7.0x5.0 |
| Oscillator Type | XO-SE |
| Phase Jitter (rms) | 0.5 ps |
| FlexEdgeTM Rise/Fall Time | Yes |
| Voltage Supply (V) | 1.8, 2.5 to 3.3 |
| Features | Field programmable, Low jitter |
| Availability | Production |
-
Image: SiT8209 4-pin package, top & bottom
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SiT8209 pin assignments
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Phase Noise, 156.25 MHz, 3.3V, LVCMOS Output
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Configurable FlexEdge drive strength reduces EMI by slowing rise/fall time – for example the 11th clock harmonic is reduced by 35 dB by increasing the rise/fall edge from 5% to 45% of the period
<1 ps RMS 积分相位抖动（12 kHz 至 20 MHz）
- 适用于 SONET 等最严格应用的巨大抖动裕度
出色的频率稳定性，低至 ±10 ppm
- 更好的时序余量可增强系统稳定性和鲁棒性
广泛的可编程性
- 频率从 80.000001 到 220
- 电源电压1.8V； 2.5V 至 3.3V
- 频率稳定性从 ±10 ppm 到 ±50 ppm
- 定制规格以实现最佳系统性能
- 轻松获得工作范围内的任何设备规格
使用 FlexEdge 技术可配置驱动强度
- 较慢的上升/下降时间可最大限度地减少振荡器的 EMI
- 通过驱动多个负载来节省成本并消除额外的计时组件
三个行业标准包
- 100% 直接替代石英 VCXO，无需任何设计更改
4 至 6 周的交货时间
- 减少库存开销
- 缓解短缺风险
- 计算机服务器
- 数据中心
- 突袭控制器
- 路由器
- 开关
- 电信设备
- SATA/SAS
- 光纤通道
- 索内特
- 10G以太网
- DDR
- SiT8209 (3.3 V E) IBIS Model
- SiT8209 (3.3 V R) IBIS Model
- SiT8209 (3.3 V S) IBIS Model
- SiT8209 (3.3 V D) IBIS Model
- SiT8209 (3.3 V Q) IBIS Model
- SiT8209 (3.3 V P) IBIS Model
- SiT8209 (3.3 V G) IBIS Model
- SiT8209 (3.3 V T) IBIS Model
- SiT8209 (3.3 V DFLT) IBIS Model
- SiT8209 (3.3 V B) IBIS Model
- SiT8209 (3.3 V U) IBIS Model
- SiT8209 (3.3 V W) IBIS Model
- SiT8209 (3.3 V A) IBIS Model
- SiT8209 (3.3 V L) IBIS Model
- SiT8209 (3.3 V M) IBIS Model
- SiT8209 (3.3 V Z) IBIS Model
- SiT8209 (3.3 V X) IBIS Model
- SiT8209 (3.3 V N) IBIS Model
- SiT8209 (3.3 V Y) IBIS Model
- SiT8209 (3.3 V K) IBIS Model
- SiT8209 (1.8 V K) IBIS Model
- SiT8209 (1.8 V M) IBIS Model
- SiT8209 (1.8 V L) IBIS Model
- SiT8209 (1.8 V Y) IBIS Model
- SiT8209 (1.8 V N) IBIS Model
- SiT8209 (1.8 V X) IBIS Model
- SiT8209 (1.8 V DFLT) IBIS Model
- SiT8209 (1.8 V U) IBIS Model
- SiT8209 (1.8 V B) IBIS Model
- SiT8209 (1.8 V T) IBIS Model
- SiT8209 (1.8 V A) IBIS Model
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- SiT8209 (1.8 V S) IBIS Model
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- SiT8209 (1.8 V G) IBIS Model
- SiT8209 (1.8 V P) IBIS Model
- SiT8209 (1.8 V Q) IBIS Model
- SiT8209 (1.8 V F) IBIS Model
- SiT8209 (2.8 V K) IBIS Model
- SiT8209 (2.8 V Y) IBIS Model
- SiT8209 (2.8 V N) IBIS Model
- SiT8209 (2.8 V X) IBIS Model
- SiT8209 (2.8 V Z) IBIS Model
- SiT8209 (2.8 V M) IBIS Model
- SiT8209 (2.8 V L) IBIS Model
- SiT8209 (2.8 V A) IBIS Model
- SiT8209 (2.8 V W) IBIS Model
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- SiT8209 (2.8 V T) IBIS Model
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- SiT8209 (2.8 V F) IBIS Model
- SiT8209 (2.8 V D) IBIS Model
- SiT8209 (2.8 V S) IBIS Model
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- SiT8209 (2.5 V Q) IBIS Model
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评估板 （联系SiTime ） – SiT6081 (2520) | SiT6082 (3225) | SiT6083 (5032) | SiT6084 (7050)
频率斜率 (dF/dT) 计算器 – 计算随温度变化的频率斜率
抖动计算器和绘图 – 将相位噪声转换为相位抖动，找到相位噪声图
Time Machine II 编程器– 编程频率、电压、稳定性等
2724 4 针| 3225 4 针| 5032 4 针| 7050 4 引脚– 带有 QFN 3D 步进模型的预览封装
| Resource Name | Resource Type | Date | Format | Size |
|---|
Step 1: Configure SiT8209 Part Number
Step 2. Purchase
Quantity
| Qty: | Unit Price | Total |
|---|---|---|
| --- | --- | --- |
| Quantity | Unit Price | |
|---|---|---|
| 199 | --- | |
| 100-499 | --- | |
| 500-999 | --- | |
| 1,000-4,999 | --- | |
| > 4,999 | --- |