µPower 振荡器 1 Hz 至 26 MHz

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SiTime µPower MEMS 振荡器专为空间和功耗至关重要的可穿戴、物联网和移动应用而设计。与石英振荡器相比,它们的功耗降低了 90%,尺寸缩小了 80%。此外,它们还提供石英无法支持的低频。

如需将输出频率调节高达 ±150,000 ppm,请参阅我们的数控 µPower XO

1 Hz to 462.5 kHz Oscillator 1508 4-pin Package Top Bottom

1 Hz 至 462.5 kHz 振荡器

SiT1534 和 SiT1569 是首款 µPower 振荡器,其频率范围为 1 Hz 至 462.5 kHz,占用面积为 1.2 mm2。在芯片级封装 (CSP) 中,与现有的 2.0 x 1.2 mm SMD 石英封装相比,这些产品可将计时器件的占地面积减少多达 85%。与 XTAL 不同,SiT1534 振荡器输出可实现更大的组件放置灵活性,并消除外部负载电容器,从而节省额外的组件数量和电路板空间。

  • 工厂可编程范围为 1 Hz 至 462.5 kHz
  • 振荡器输出驱动多个负载并消除 XTAL
  • <±10 ppm 频率容差
  • 超低功耗振荡器:<1 µA
  • 采用 1.2 mm 2 (1.5 x 0.8 mm) CSP,占用面积小
器件 产品说明书 立即购买 频率 精度(ppm) 输出类型 供电电压(V) 温度范围(°C) 封装尺寸(mm)
SiT1534 立即购买 16 frequencies 75 100 250 LVCMOS NanoDrive™ 1.2 to 3.63 -10 to +70 -40 to +85 1.5x0.8 2.0x1.2
SiT1569 立即购买 1 Hz to 462.5 kHz ±50 LVCMOS 1.62 to 3.63 -20 to +70 -40 to +85 1.5x0.8
1 Hz to 2.5 MHz Oscillator/TCXO 1508 4-pin Package Top Bottom

1 Hz 至 2.5 MHz 振荡器/TCXO

这些超小型 µPower 低频参考源具有灵活的频率,为空间和功耗至关重要的可穿戴、移动和物联网应用提供了新的架构选择。

  • 世界上最小的振荡器占板面积:1.2 mm 2 (1.5 x 0.8 mm) CSP
  • 振荡器输出驱动多个负载并消除 XTAL
  • 超低功耗:100 kHz 时为 2.5 至 5.5 μA
  • SiT1576 TCXO 提供 ±5 ppm 全包频率稳定性,以改善本地计时和系统功耗
  • SiT1580 TCXO 采用最新一代 EpiSeal® 技术,该技术可密封谐振器,使其不受所有小分子气体的影响,并且不受外部大气因素的影响
器件 产品说明书 立即购买 频率 精度(ppm) 输出类型 供电电压(V) 温度范围(°C) 封装尺寸(mm)
SiT1576 立即购买 1 Hz to 2.5 MHz ±5 ±20 LVCMOS 1.62 to 3.63 -20 to +70 -40 to +85 1.5x0.8
SiT1579 立即购买 1 Hz to 2.5 MHz ±50 LVCMOS 1.62 to 3.63 -20 to +70 -40 to +85 1.5x0.8
1 to 26 MHz Oscillator 1508 4-pin Package Top Bottom

1 至 26 MHz 振荡器

SiTime 的 µPower MEMS 振荡器专为可穿戴、物联网和移动应用而设计,在这些应用中,节省空间和功耗至关重要。与石英振荡器相比,我们的 µPower 振荡器功耗降低高达 90%,空间节省高达 80%。此外,它们还提供石英无法支持的低频。

  • 最小振荡器占位面积:1.2 mm 2 (1.5 x 0.8 mm) CSP
  • 低功耗:3 MHz 时的有效功耗为 0.1 mW
  • 振荡器输出驱动多个负载并消除 XTAL
  • 对于数控 µPower 振荡器,请参见SiT3901 DCXO
器件 产品说明书 立即购买 频率 精度(ppm) 输出类型 供电电压(V) 温度范围(°C) 封装尺寸(mm)
SiT8021 立即购买 1 to 26 MHz ±50 ±100 LVCMOS 1.8 2.25 to 3.63 -20 to +70 -40 to +85 1.5x0.8