SiTime µPower MEMS 振荡器专为空间和功耗至关重要的可穿戴、物联网和移动应用而设计。与石英振荡器相比,它们的功耗降低了 90%,尺寸缩小了 80%。此外,它们还提供石英无法支持的低频。
如需将输出频率调节高达 ±150,000 ppm,请参阅我们的数控 µPower XO 。

1 Hz 至 462.5 kHz 振荡器
SiT1534 和 SiT1569 是首款 µPower 振荡器,其频率范围为 1 Hz 至 462.5 kHz,占用面积为 1.2 mm2。在芯片级封装 (CSP) 中,与现有的 2.0 x 1.2 mm SMD 石英封装相比,这些产品可将计时器件的占地面积减少多达 85%。与 XTAL 不同,SiT1534 振荡器输出可实现更大的组件放置灵活性,并消除外部负载电容器,从而节省额外的组件数量和电路板空间。
- 工厂可编程范围为 1 Hz 至 462.5 kHz
- 振荡器输出驱动多个负载并消除 XTAL
- <±10 ppm 频率容差
- 超低功耗振荡器:<1 µA
- 采用 1.2 mm 2 (1.5 x 0.8 mm) CSP,占用面积小
器件 | 产品说明书 | 立即购买 | 频率 | 精度(ppm) | 输出类型 | 供电电压(V) | 温度范围(°C) | 封装尺寸(mm) |
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SiT1534 |
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16 frequencies | 75 100 250 | LVCMOS NanoDrive™ | 1.2 to 3.63 | -10 to +70 -40 to +85 | 1.5x0.8 2.0x1.2 | |
SiT1569 |
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1 Hz to 462.5 kHz | ±50 | LVCMOS | 1.62 to 3.63 | -20 to +70 -40 to +85 | 1.5x0.8 |

1 Hz 至 2.5 MHz 振荡器/TCXO
这些超小型 µPower 低频参考源具有灵活的频率,为空间和功耗至关重要的可穿戴、移动和物联网应用提供了新的架构选择。
- 世界上最小的振荡器占板面积:1.2 mm 2 (1.5 x 0.8 mm) CSP
- 振荡器输出驱动多个负载并消除 XTAL
- 超低功耗:100 kHz 时为 2.5 至 5.5 μA
- SiT1576 TCXO 提供 ±5 ppm 全包频率稳定性,以改善本地计时和系统功耗
- SiT1580 TCXO 采用最新一代 EpiSeal® 技术,该技术可密封谐振器,使其不受所有小分子气体的影响,并且不受外部大气因素的影响
器件 | 产品说明书 | 立即购买 | 频率 | 精度(ppm) | 输出类型 | 供电电压(V) | 温度范围(°C) | 封装尺寸(mm) |
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SiT1576 |
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1 Hz to 2.5 MHz | ±5 ±20 | LVCMOS | 1.62 to 3.63 | -20 to +70 -40 to +85 | 1.5x0.8 | |
SiT1579 |
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1 Hz to 2.5 MHz | ±50 | LVCMOS | 1.62 to 3.63 | -20 to +70 -40 to +85 | 1.5x0.8 | |
SiT1811 |
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32.768 kHz Contact SiTime for more | ±20 | LVCMOS Reduced Swing | 1.35 to 1.98 | 0 to +70 -10 to +85 | 1.2x1.1 |

1 至 26 MHz 振荡器
SiTime 的 µPower MEMS 振荡器专为可穿戴、物联网和移动应用而设计,在这些应用中,节省空间和功耗至关重要。与石英振荡器相比,我们的 µPower 振荡器功耗降低高达 90%,空间节省高达 80%。此外,它们还提供石英无法支持的低频。
- 最小振荡器占位面积:1.2 mm 2 (1.5 x 0.8 mm) CSP
- 低功耗:3 MHz 时的有效功耗为 0.1 mW
- 振荡器输出驱动多个负载并消除 XTAL
- 对于数控 µPower 振荡器,请参见SiT3901 DCXO
器件 | 产品说明书 | 立即购买 | 频率 | 精度(ppm) | 输出类型 | 供电电压(V) | 温度范围(°C) | 封装尺寸(mm) |
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SiT8021 |
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1 to 26 MHz | ±50 ±100 | LVCMOS | 1.8 2.25 to 3.63 | -20 to +70 -40 to +85 | 1.5x0.8 |