MHz 振荡器

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SiTime 提供完整的 MEMS MHz 振荡器产品组合。这些器件提供石英所不具备的可配置功能，旨在提高可靠性、缩短交货时间，并解决独特的时序问题，例如 EMI 和系统内可编程性。它们可以取代石英振荡器，无需重新设计或更改电路板布局。

类别

LVPECL / LVDS / HCSL 振荡器 LVCMOS 振荡器 车载与高温振荡器 扩频振荡器 压控振荡器 I2C/SPI 振荡器 数控 VCXO
LVPECL / LVDS / HCSL Oscillators Package 6-pin Top Bottom

LVPECL / LVDS / HCSL 振荡器

SiTime 可为网络、服务器、存储和电信应用提供广泛的高性能差分振荡器产品组合。当处于冲击、震动、高噪声电源和EMI 等常见的恶劣环境中时，SiT91xx和SiT93xx 系列能提供业界最佳的抖动性能和电源噪声抑制(PSNR) 功能。

  • 以1Hz 为增量提供从1MHz 到725MHz 不等的任意频率
  • 以符合业界标准的小外形封装提供0.23 到0.6ps 的抖动（典型值）
  • 提供业界最佳的±10ppm 的动态精度
器件 产品说明书 立即购买 频率 精度(ppm) 输出类型 供电电压(V) 温度范围(°C) 封装尺寸(mm)
SiT9120 立即购买 31 standard frequencies ±10 ±20 ±25 ±50 LVPECL LVDS 2.5 3.3 2.25 to 3.63 -20 to +70 -40 to +85 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0
SiT9121 立即购买 1 to 220 MHz ±10 ±20 ±25 ±50 LVPECL LVDS 2.5 3.3 2.25 to 3.63 -20 to +70 -40 to +85 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0
SiT9122 立即购买 220 to 625 MHz ±10 ±20 ±25 ±50 LVPECL LVDS 2.5 3.3 2.25 to 3.63 -20 to +70 -40 to +85 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0
SiT9365 立即购买 32 standard frequencies ±10 ±20 ±25 ±50 LVPECL LVDS HCSL 2.5 2.8 3 3.3 -20 to +70 -40 to +85 -40 to +105 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0
SiT9366 立即购买 1 to 220 MHz ±10 ±20 ±25 ±50 LVPECL LVDS HCSL 2.5 2.8 3 3.3 -20 to +70 -40 to +85 -40 to +105 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0
SiT9367 立即购买 220 to 725 MHz ±10 ±20 ±25 ±50 LVPECL LVDS HCSL 2.5 2.8 3 3.3 -20 to +70 -40 to +85 -40 to +105 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0
SiT9501 立即购买 14 standard frequencies ±20 ±25 ±30 ±50 LVPECL LVDS HCSL Low-power HCSL FlexSwing 1.8 2.5 2.8 3.3 1.71 to 3.63 2.25 to 3.63 -20 to +70 -40 to +85 -40 to +95 -40 to +105 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5
SiT9375 立即购买 31 standard frequencies ±20 ±25 ±30 ±50 LVPECL LVDS HCSL Low-power HCSL FlexSwing 1.8 2.5 3.3 1.71 to 3.63 2.25 to 3.63 -20 to +70 -40 to +85 -40 to +95 -40 to +105 2.0 x 1.6 2.5 x 2.0 3.2 x 2.5

关键资源

AN10029 Output Terminations for Differential Oscillators
LVCMOS Oscillator Package 4-pin Top Bottom

LVCMOS 振荡器

SiTime 可为消费类电子、工业类、IoT 和网络应用提供广泛的 LVCMOS 振荡器产品组合。这些器件不仅尺寸小而且功耗低，此外，还能以多种封装供货。

  • 1 至 220MHz时精度精确到小数点后六位
  • 低至 60µA 的最低功耗
  • 提供业界最佳的 ±10ppm 的频率精度
  • 最小封装 (1508) 以及符合业界标准的封装（2016、2520、3225、5032和7050）
  • SOT23-5-Leaded 封装实现最佳可制造性
  • 用于降低EMI 的 FlexEdge™ 压摆率选项：0.25ns 到 40ns 的可配置上升/下降时间
器件 产品说明书 立即购买 频率 精度(ppm) 输出类型 供电电压(V) 温度范围(°C) 封装尺寸(mm)
SiT1602 立即购买 52 standard frequencies ±20 ±25 ±50 LVCMOS 1.8 2.5 to 3.3 1.8 to 3.3 -20 to +70 -40 to +85 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0
SiT2001 立即购买 1 to 110 MHz ±20 ±25 ±50 LVCMOS 1.8 2.5 to 3.3 -20 to +70 -40 to +85 SOT23 (2.9x2.8)
SiT2002 立即购买 115 to 137 MHz ±20 ±25 ±50 LVCMOS 1.8 2.5 to 3.3 -20 to +70 -40 to +85 SOT23 (2.9x2.8)
SiT8009 立即购买 115 to 137 MHz ±20 ±25 ±50 LVCMOS 1.8 2.5 to 3.3 -20 to +70 -40 to +85 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0
SiT8208 立即购买 1 to 80 MHz ±10 ±20 ±25 ±50 LVCMOS 1.8 2.5 to 3.3 -20 to +70 -40 to +85 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0
SiT8209 立即购买 80 to 220 MHz ±10 ±20 ±25 ±50 LVCMOS 1.8 2.5 to 3.3 -20 to +70 -40 to +85 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0

关键资源

AN10002 Termination Recommendations for Single-ended Oscillator Driving Single or Multiple Loads AN10022 Rise and Fall Time Selection for SiT8103, SiT8003, and SiT9003
Automotive & High Temp Oscillator Package 4-pin Top Bottom

车载与高温振荡器

SiTime 的车载 (AEC-Q100) 与高温振荡器在 -55 °C 至 125 °C 的温度范围内可提供 ±20ppm 的频率稳定性。与石英振荡器相比，其精度高出 2 倍，可靠性高出 20 倍，抗冲击与耐振动能力高 30 倍。

  • 1 至 137MHz 并且精度精确到小数点后六位
  • -55 至 125 °C 的军规温度、-40 至 125 °C的车规温度、-40 至 105 °C的更广泛工规温度
  • 低至 0.1ppb/g 的振动敏感性（g敏感性）
  • 耐 50,000g 冲击和 70g 振动
  • 5 亿小时平均故障间隔时间（MTBF）
器件 产品说明书 立即购买 频率 精度(ppm) 输出类型 供电电压(V) 温度范围(°C) 封装尺寸(mm)
SiT8924 立即购买 1 to 110 MHz ±20 ±25 ±30 ±50 LVCMOS 1.8 2.5 to 3.3 -40 to +85 -40 to +105 -40 to +125 -55 to +125 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0
SiT8925 立即购买 115 to 137 MHz ±20 ±25 ±30 ±50 LVCMOS 1.8 2.5 to 3.3 -40 to +85 -40 to +105 -40 to +125 -55 to +125 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0
SiT9386 立即购买 1 to 220 MHz ±20 ±25 ±50 LVPECL LVDS HCSL 2.5 2.8 3.0 3.3 -40 to 85 (Gr. 3) -40 to 105 (Gr. 2) 3.2x2.5 7.0x5.0
SiT9387 立即购买 220 to 725 MHz ±20 ±25 ±50 LVPECL LVDS HCSL 2.5 2.8 3.0 3.3 -40 to 85 (Gr. 3) -40 to 105 (Gr. 2) 3.2x2.5 7.0x5.0
SiT9025 立即购买 1 to 150 MHz ±25 ±50 LVCMOS 1.8 2.5 to 3.3 -40 to 85 (Gr. 3) -40 to 105 (Gr. 2) -40 to 125 (Gr. 1) -55 to 125 (Ext. Cold Gr. 1) 2.0x1.6 mm 2.5x2.0 mm 3.2x2.5 mm
SiT9396 联系销售人员 1 to 220 MHz ±25 (105ºC) ±30 (125ºC) ±50 (125ºC) LVPECL LVDS HCSL Low-power HCSL FlexSwing 1.8 2.5 3.3 2.25 to 3.63 1.71 to 3.63 -40 to +85 -40 to +105 -40 to +125 2.0 x 1.6 2.5 x 2.0 3.2 x 2.5
SiT9397 联系销售人员 220 to 920 MHz ±25 (105ºC) ±30 (125ºC) ±50 (125ºC) LVPECL LVDS HCSL Low-power HCSL FlexSwing 1.8 2.5 3.3 2.25 to 3.63 1.71 to 3.63 -40 to +85 -40 to +105 -40 to +125 2.0 x 1.6 2.5 x 2.0 3.2 x 2.5
SiT1625 立即购买 44 standard frequencies ±25 ppm (85ºC) ±30 (105ºC) ±50 (125ºC) LVCMOS 1.5 ±10% 1.8 ±10% 2.5 ±10% 3.3 ±10% 1.62 to 3.63 *1.2 ±5% -40 to 85 (Gr.3) -40 to 105 (Gr.2) -40 to 125 (Gr.1) 1.6x1.2 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5
SiT1618 立即购买 33 standard frequencies ±20 ±25 ±50 LVCMOS 1.8 2.5 to 3.3 -40 to +105 -40 to +125 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0
SiT2018 立即购买 1 to 110 MHz ±20 ±25 ±50 LVCMOS 1.8 2.5 to 3.3 -40 to +105 -40 to +125 SOT23 (2.9x2.8)
SiT2019 立即购买 115 to 137 MHz ±20 ±25 ±50 LVCMOS 1.8 2.5 to 3.3 -40 to +105 -40 to +125 SOT23 (2.9x2.8)
SiT2020 立即购买 1 to 110 MHz ±20 ±25 ±50 LVCMOS 1.8 2.5 to 3.3 -55 to +125 SOT23 (2.9x2.8)
SiT2021 立即购买 119 to 137 MHz ±20 ±25 ±50 LVCMOS 1.8 2.5 to 3.3 -55 to +125 SOT23 (2.9x2.8)
SiT2024 立即购买 1 to 110 MHz ±20 ±25 ±50 LVCMOS 1.8 2.5 to 3.3 -40 to 85 (Gr. 3) -40 to 105 (Gr. 2) -40 to 125 (Gr. 1) -55 to 125 (Ext. Cold Gr. 1) SOT23 (2.9x2.8)
SiT2025 立即购买 115 to 137 MHz ±20 ±25 ±50 LVCMOS 1.8 2.5 to 3.3 -40 to 85 (Gr. 3) -40 to 105 (Gr. 2) -40 to 125 (Gr. 1) -55 to 125 (Ext. Cold Gr. 1) SOT23 (2.9x2.8)
SiT8918 立即购买 1 to 110 MHz ±20 ±25 ±50 LVCMOS 1.8 2.5 to 3.3 -40 to +105 -40 to +125 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0
SiT8919 立即购买 115 to 137 MHz ±20 ±25 ±50 LVCMOS 1.8 2.5 to 3.3 -40 to +105 -40 to +125 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0
SiT8920 立即购买 1 to 110 MHz ±20 ±25 ±50 LVCMOS 1.8 2.5 to 3.3 -55 to +125 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0
SiT8921 立即购买 119 to 137 MHz ±20 ±25 ±50 LVCMOS 1.8 2.5 to 3.3 -55 to +125 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0

关键资源

Increase automotive reliability and performance with ultra robust MEMS oscillators AEC-Q100 Automotive Oscillators for ADAS, Camera Modules, and In-Vehicle Ethernet
Spread Spectrum Oscillator Package 4-pin Top Bottom

扩频振荡器

SiTime用于降低EMI 的振荡器可通过扩频时钟和时钟信号的上升/下降时间调整来确保满足辐射合规要求。此类振荡器由SiTime 的Time Machine II 编程器提供支持，能帮助工程师快速降低辐射水平，进而确保客户通过合规性认证。

  • 基频高达17dB，谐波高达30dB
  • 宽泛的扩展范围：高达4% 的峰至峰
  • 提供FlexEdge™ 可配置上升下降时间选项：0.25ns到40ns 的压摆率
器件 产品说明书 立即购买 频率 精度(ppm) 输出类型 供电电压(V) 温度范围(°C) 封装尺寸(mm)
SiT9002 立即购买
SiT9003 立即购买
SiT9005 立即购买 1 to 141 MHz ±20 ±25 ±50 LVCMOS 1.8 2.5 to 3.3 -20 to +70 -40 to +85 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5

关键资源

AN10005 Spread Spectrum Clock Oscillators AN10022 Rise and Fall Time Selection for SiT8103, SiT8003, and SiT9003
Voltage-Controlled Oscillator Package 4-pin Top Bottom

压控振荡器

SiTime MEMS VCXO 为视频分配 (CMTS)、网络、电信和仪器仪表应用提供卓越的动态性能和最高的可靠性。这些器件经过精心设计，可在存在常见环境危害（例如冲击、振动、噪声电源和 EMI）的情况下保持相同的相位噪声和频率调谐精度。它们使电缆头端和远程无线电头端 (RRH) 等设备能够在不受控制的环境（例如无空调的地下室或屋顶）中提供最高的性能、最佳的可靠性和最高的服务质量。

  • 1 MHz 至 725 MHz 之间的任何频率（步长为 1 Hz）
  • ±15 ppm，整个温度范围内（-40 至 +85°C）最佳动态稳定性
  • 0.02 ps/mV 电源噪声抑制 (PSNR)，降低电源要求
  • 最佳 (0.1%) 和最宽（±25 至 ±3200 ppm）拉动范围线性度，比石英好 50 倍
器件 产品说明书 立即购买 频率 精度(ppm) 输出类型 供电电压(V) 温度范围(°C) 封装尺寸(mm)
SiT3372 立即购买 1 to 220 MHz ±15 ±25 ±30 ±50 LVPECL LVDS HCSL 2.5 2.8 3.0 3.3 -20 to +70 -40 to +85 -40 to +105 3.2x2.5 7.0x5.0 5.0x3.2
SiT3373 立即购买 220 to 725 MHz ±15 ±25 ±30 ±50 LVPECL LVDS HCSL 2.5 2.8 3.0 3.3 -20 to +70 -40 to +85 -40 to +105 3.2x2.5 7.0x5.0 5.0x3.2
SiT3807 立即购买 31 frequencies ±25 ±50 LVCMOS 1.8 2.5 2.8 3.3 -20 to +70 -40 to +85 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0
SiT3808 立即购买 1 to 80 MHz ±25 ±50 LVCMOS 1.8 2.5 2.8 3.3 -20 to +70 -40 to +85 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0
SiT3809 立即购买 80 to 220 MHz ±25 ±50 LVCMOS 1.8 2.5 2.8 3.3 -20 to +70 -40 to +85 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0

关键资源

AN10020 Definitions of VCXO Specifications AN10021 VCXO Parameter Trade-offs for PLL Design
I2C/SPI Oscillator 11 pins Package

I2C/SPI 振荡器

SiTime 的 Elite Platform™ I2C/SPI 振荡器使用户能够使用数字接口对输出频率和系统内牵引频率进行编程，为设计人员提供了极大的灵活性。该系列提供超低抖动，并利用 SiTime 独特的 DualMEMS™ 温度传感和 TurboCompensation™ 技术来提供卓越的动态性能。

  • 非常适合替换支持多种频率的系统中的多个计时组件，例如电信、网络、服务器、存储、广播、测试和测量设备
  • 任意频率模式，可通过 I2C 或 SPI 将输出频率编程为 1 MHz 至 725 MHz
  • 数控振荡器 (DCO) 模式可通过 I2C 或 SPI 将频率拉升/调谐至 ±3200 ppm，分辨率为 0.005 ppb
  • 频率（1 MHz 至 725 MHz）、电压（2.5 V 至 3.3 V）、牵引范围（±25 ppm 至 ±3200 ppm）和三种 DE 输出格式（LVPECL、LVDS 或 HCSL）的任意组合
  • 0.2 ps 典型积分相位抖动
器件 产品说明书 立即购买 频率 精度(ppm) 输出类型 供电电压(V) 温度范围(°C) 封装尺寸(mm)
SiT3521 立即购买 1 to 340 MHz ±20 ±25 ±50 LVPECL LVDS HCSL 2.5 to 3.3 -20 to +70 -40 to +85 -40 to +105 5.0 x 3.2 10-pin
SiT3522 立即购买 340 to 725 MHz ±20 ±25 ±50 LVPECL LVDS HCSL 2.5 to 3.3 -20 to +70 -40 to +85 -40 to +105 5.0 x 3.2 10-pin

关键资源

AN10050 I2C/SPI Programmable Oscillators
Digitally Controlled Oscillator VCXO Package 6-pin Top Bottom

数控 VCXO

SiTime的数控MEMS振荡器(DCXO)能帮助用户通过单线数字接口对输出频率进行微调，牵引范围高达±1600ppm，从而无需在传统的VCXO设计中使用外部DAC。此外，其还可消除在电压控制线路上由电路板噪声引起的频移。

  • 业界最宽泛的拉动范围选项，包括±25、±50、±100、±150、±200、±400、±800及±1600ppm
  • 1ppb的拉动范围分辨率
  • 任意组合的频率（高达625MHz）、电压（1.8V、2.5V至3.3V）、拉动范围（±25ppm至±1600ppm）以及业界标准封装（3225、5032或7050）
  • LVCMOS输出（SiT3907）与差动输出（SiT3921和SiT3922）
器件 产品说明书 立即购买 频率 精度(ppm) 输出类型 供电电压(V) 温度范围(°C) 封装尺寸(mm)
SiT3907 立即购买 1 to 220 MHz ±10 ±25 ±50 LVCMOS 1.8 2.5 2.8 3.3 -20 to +70 -40 to +85 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0
SiT3921 立即购买 1 to 220 MHz ±10 ±25 ±50 LVPECL LVDS 2.5 3.3 -20 to +70 -40 to +85 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0
SiT3922 立即购买 220 to 625 MHz ±10 ±25 ±50 LVPECL LVDS 2.5 3.3 -20 to +70 -40 to +85 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0
SiT3901 联系销售人员 1 to 26 MHz ±50 ±100 LVCMOS 1.8 2.5 to 3.3 -20 to +70 -40 to +85 1.5x0.8

关键资源

AN10041 Designing with the SiT39xx Family of DCXOs (Digitally Controlled Oscillators)

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