SiTime 提供完整的 MEMS MHz 振荡器产品组合。这些器件提供石英所不具备的可配置功能,旨在提高可靠性、缩短交货时间,并解决独特的时序问题,例如 EMI 和系统内可编程性。它们可以取代石英振荡器,无需重新设计或更改电路板布局。

LVPECL / LVDS / HCSL 振荡器
SiTime 可为网络、服务器、存储和电信应用提供广泛的高性能差分振荡器产品组合。当处于冲击、震动、高噪声电源和EMI 等常见的恶劣环境中时,SiT91xx和SiT93xx 系列能提供业界最佳的抖动性能和电源噪声抑制(PSNR) 功能。
- 以1Hz 为增量提供从1MHz 到725MHz 不等的任意频率
- 以符合业界标准的小外形封装提供0.23 到0.6ps 的抖动(典型值)
- 提供业界最佳的±10ppm 的动态精度
器件 | 产品说明书 | 立即购买 | 频率 | 精度(ppm) | 输出类型 | 供电电压(V) | 温度范围(°C) | 封装尺寸(mm) |
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SiT9121 |
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1 to 220 MHz | ±10 ±20 ±25 ±50 | LVPECL LVDS | 2.5 3.3 2.25 to 3.63 | -20 to +70 -40 to +85 | 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 | |
SiT9122 |
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220 to 625 MHz | ±10 ±20 ±25 ±50 | LVPECL LVDS | 2.5 3.3 2.25 to 3.63 | -20 to +70 -40 to +85 | 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 | |
SiT9365 |
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32 standard frequencies | ±10 ±20 ±25 ±50 | LVPECL LVDS HCSL | 2.5 2.8 3 3.3 | -20 to +70 -40 to +85 -40 to +105 | 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 | |
SiT9366 |
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1 to 220 MHz | ±10 ±20 ±25 ±50 | LVPECL LVDS HCSL | 2.5 2.8 3 3.3 | -20 to +70 -40 to +85 -40 to +105 | 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 | |
SiT9367 |
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220 to 725 MHz | ±10 ±20 ±25 ±50 | LVPECL LVDS HCSL | 2.5 2.8 3 3.3 | -20 to +70 -40 to +85 -40 to +105 | 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 | |
SiT9501 |
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14 standard frequencies | ±20 ±25 ±30 ±50 | LVPECL LVDS HCSL Low-power HCSL FlexSwing | 1.8 2.5 2.8 3.3 1.71 to 3.63 2.25 to 3.63 | -20 to +70 -40 to +85 -40 to +95 -40 to +105 | 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 | |
SiT9375 |
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31 standard frequencies | ±20 ±25 ±30 ±50 | LVPECL LVDS HCSL Low-power HCSL FlexSwing | 1.8 2.5 3.3 1.71 to 3.63 2.25 to 3.63 | -20 to +70 -40 to +85 -40 to +95 -40 to +105 | 2.0 x 1.6 2.5 x 2.0 3.2 x 2.5 | |
SiT9376 |
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25 MHz to 644.53125 MHz | ±20 ±25 ±30 ±50 | LVPECL LVDS HCSL Low-power HCSL FlexSwing | 1.8 2.5 3.3 1.71 to 3.63 2.25 to 3.63 | -20 to +70 -40 to +85 -40 to +95 -40 to +105 | 2.0 x 1.6 2.5 x 2.0 3.2 x 2.5 | |
SiT9377 |
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220 MHz and 920 MHz | ±20 ±25 ±30 ±50 | LVPECL LVDS HCSL Low-power HCSL FlexSwing | 1.8 2.5 3.3 1.71 to 3.63 2.25 to 3.63 | -20 to +70 -40 to +85 -40 to +95 -40 to +105 | 2.0 x 1.6 2.5 x 2.0 3.2 x 2.5 | |
SiT9505 |
|
4 standard frequencies | ±20 ±25 ±30 ±50 | LVPECL LVDS HCSL Low-power HCSL FlexSwing | 1.8 2.5 2.8 3.3 1.71 to 3.63 2.25 to 3.63 | -20 to +70 -40 to +85 -40 to +95 -40 to +105 | 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 | |
SiT9120 |
|
31 standard frequencies | ±10 ±20 ±25 ±50 | LVPECL LVDS | 2.5 3.3 2.25 to 3.63 | -20 to +70 -40 to +85 | 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 |

LVCMOS 振荡器
SiTime 可为消费类电子、工业类、IoT 和网络应用提供广泛的 LVCMOS 振荡器产品组合。这些器件不仅尺寸小而且功耗低,此外,还能以多种封装供货。
- 1 至 220MHz时精度精确到小数点后六位
- 低至 60µA 的最低功耗
- 提供业界最佳的 ±10ppm 的频率精度
- 最小封装 (1508) 以及符合业界标准的封装(2016、2520、3225、5032和7050)
- SOT23-5-Leaded 封装实现最佳可制造性
- 用于降低EMI 的 FlexEdge™ 压摆率选项:0.25ns 到 40ns 的可配置上升/下降时间
器件 | 产品说明书 | 立即购买 | 频率 | 精度(ppm) | 输出类型 | 供电电压(V) | 温度范围(°C) | 封装尺寸(mm) |
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SiT2001 |
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1 to 110 MHz | ±20 ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 to 3.3 | -20 to +70 -40 to +85 | SOT23 (2.9x2.8) | |
SiT2002 |
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115 to 137 MHz | ±20 ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 to 3.3 | -20 to +70 -40 to +85 | SOT23 (2.9x2.8) | |
SiT8009 |
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115 to 137 MHz | ±20 ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 to 3.3 | -20 to +70 -40 to +85 | 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 | |
SiT8208 |
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1 to 80 MHz | ±10 ±20 ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 to 3.3 | -20 to +70 -40 to +85 | 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 | |
SiT8209 |
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80 to 220 MHz | ±10 ±20 ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 to 3.3 | -20 to +70 -40 to +85 | 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 | |
SiT1602 |
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52 standard frequencies | ±20 ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 to 3.3 1.8 to 3.3 | -20 to +70 -40 to +85 | 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 |

车载与高温振荡器
SiTime 的车载 (AEC-Q100) 与高温振荡器在 -55 °C 至 125 °C 的温度范围内可提供 ±20ppm 的频率稳定性。与石英振荡器相比,其精度高出 2 倍,可靠性高出 20 倍,抗冲击与耐振动能力高 30 倍。
- 1 至 137MHz 并且精度精确到小数点后六位
- -55 至 125 °C 的军规温度、-40 至 125 °C的车规温度、-40 至 105 °C的更广泛工规温度
- 低至 0.1ppb/g 的振动敏感性(g敏感性)
- 耐 50,000g 冲击和 70g 振动
- 5 亿小时平均故障间隔时间(MTBF)
器件 | 产品说明书 | 立即购买 | 频率 | 精度(ppm) | 输出类型 | 供电电压(V) | 温度范围(°C) | 封装尺寸(mm) |
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SiT2018 |
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1 to 110 MHz | ±20 ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 to 3.3 | -40 to +105 -40 to +125 | SOT23 (2.9x2.8) | |
SiT2019 |
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115 to 137 MHz | ±20 ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 to 3.3 | -40 to +105 -40 to +125 | SOT23 (2.9x2.8) | |
SiT2020 |
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1 to 110 MHz | ±20 ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 to 3.3 | -55 to +125 | SOT23 (2.9x2.8) | |
SiT2021 |
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119 to 137 MHz | ±20 ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 to 3.3 | -55 to +125 | SOT23 (2.9x2.8) | |
SiT2024 |
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1 to 110 MHz | ±20 ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 to 3.3 | -40 to 85 (Gr. 3) -40 to 105 (Gr. 2) -40 to 125 (Gr. 1) -55 to 125 (Ext. Cold Gr. 1) | SOT23 (2.9x2.8) | |
SiT2025 |
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115 to 137 MHz | ±20 ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 to 3.3 | -40 to 85 (Gr. 3) -40 to 105 (Gr. 2) -40 to 125 (Gr. 1) -55 to 125 (Ext. Cold Gr. 1) | SOT23 (2.9x2.8) | |
SiT8918 |
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1 to 110 MHz | ±20 ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 to 3.3 | -40 to +105 -40 to +125 | 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 | |
SiT8919 |
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115 to 137 MHz | ±20 ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 to 3.3 | -40 to +105 -40 to +125 | 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 | |
SiT8920 |
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1 to 110 MHz | ±20 ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 to 3.3 | -55 to +125 | 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 | |
SiT8921 |
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119 to 137 MHz | ±20 ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 to 3.3 | -55 to +125 | 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 | |
SiT8924 |
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1 to 110 MHz | ±20 ±25 ±30 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 to 3.3 | -40 to +85 -40 to +105 -40 to +125 -55 to +125 | 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 | |
SiT8925 |
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115 to 137 MHz | ±20 ±25 ±30 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 to 3.3 | -40 to +85 -40 to +105 -40 to +125 -55 to +125 | 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 | |
SiT9386 |
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1 to 220 MHz | ±20 ±25 ±50 | LVPECL LVDS HCSL | 2.5 2.8 3.0 3.3 | -40 to 85 (Gr. 3) -40 to 105 (Gr. 2) | 3.2x2.5 7.0x5.0 | |
SiT9387 |
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220 to 725 MHz | ±20 ±25 ±50 | LVPECL LVDS HCSL | 2.5 2.8 3.0 3.3 | -40 to 85 (Gr. 3) -40 to 105 (Gr. 2) | 3.2x2.5 7.0x5.0 | |
SiT9025 |
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1 to 150 MHz | ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 to 3.3 | -40 to 85 (Gr. 3) -40 to 105 (Gr. 2) -40 to 125 (Gr. 1) -55 to 125 (Ext. Cold Gr. 1) | 2.0x1.6 mm 2.5x2.0 mm 3.2x2.5 mm | |
SiT9396 |
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1 to 220 MHz | ±25 (105ºC) ±30 (125ºC) ±50 (125ºC) | LVPECL LVDS HCSL Low-power HCSL FlexSwing | 1.8 2.5 3.3 2.25 to 3.63 1.71 to 3.63 | -40 to +85 -40 to +105 -40 to +125 | 2.0 x 1.6 2.5 x 2.0 3.2 x 2.5 | |
SiT9397 |
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220 to 920 MHz | ±25 (105ºC) ±30 (125ºC) ±50 (125ºC) | LVPECL LVDS HCSL Low-power HCSL FlexSwing | 1.8 2.5 3.3 2.25 to 3.63 1.71 to 3.63 | -40 to +85 -40 to +105 -40 to +125 | 2.0 x 1.6 2.5 x 2.0 3.2 x 2.5 | |
SiT1625 |
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44 standard frequencies | ±25 ppm (85ºC) ±30 (105ºC) ±50 (125ºC) | LVCMOS | 1.5 ±10% 1.8 ±10% 2.5 ±10% 3.3 ±10% 1.62 to 3.63 *1.2 ±5% | -40 to 85 (Gr.3) -40 to 105 (Gr.2) -40 to 125 (Gr.1) | 1.6x1.2 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 | |
SiT1618 |
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33 standard frequencies | ±20 ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 to 3.3 | -40 to +105 -40 to +125 | 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 |

扩频振荡器
SiTime用于降低EMI 的振荡器可通过扩频时钟和时钟信号的上升/下降时间调整来确保满足辐射合规要求。此类振荡器由SiTime 的Time Machine II 编程器提供支持,能帮助工程师快速降低辐射水平,进而确保客户通过合规性认证。
- 基频高达17dB,谐波高达30dB
- 宽泛的扩展范围:高达4% 的峰至峰
- 提供FlexEdge™ 可配置上升下降时间选项:0.25ns到40ns 的压摆率
器件 | 产品说明书 | 立即购买 | 频率 | 精度(ppm) | 输出类型 | 供电电压(V) | 温度范围(°C) | 封装尺寸(mm) |
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SiT9003 |
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SiT9005 |
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1 to 141 MHz | ±20 ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 to 3.3 | -20 to +70 -40 to +85 | 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 | |
SiT9002 |
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压控振荡器
SiTime MEMS VCXO 为视频分配 (CMTS)、网络、电信和仪器仪表应用提供卓越的动态性能和最高的可靠性。这些器件经过精心设计,可在存在常见环境危害(例如冲击、振动、噪声电源和 EMI)的情况下保持相同的相位噪声和频率调谐精度。它们使电缆头端和远程无线电头端 (RRH) 等设备能够在不受控制的环境(例如无空调的地下室或屋顶)中提供最高的性能、最佳的可靠性和最高的服务质量。
- 1 MHz 至 725 MHz 之间的任何频率(步长为 1 Hz)
- ±15 ppm,整个温度范围内(-40 至 +85°C)最佳动态稳定性
- 0.02 ps/mV 电源噪声抑制 (PSNR),降低电源要求
- 最佳 (0.1%) 和最宽(±25 至 ±3200 ppm)拉动范围线性度,比石英好 50 倍
器件 | 产品说明书 | 立即购买 | 频率 | 精度(ppm) | 输出类型 | 供电电压(V) | 温度范围(°C) | 封装尺寸(mm) |
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SiT3373 |
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220 to 725 MHz | ±15 ±25 ±30 ±50 | LVPECL LVDS HCSL | 2.5 2.8 3.0 3.3 | -20 to +70 -40 to +85 -40 to +105 | 3.2x2.5 7.0x5.0 5.0x3.2 | |
SiT3807 |
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31 frequencies | ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 2.8 3.3 | -20 to +70 -40 to +85 | 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 | |
SiT3808 |
|
1 to 80 MHz | ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 2.8 3.3 | -20 to +70 -40 to +85 | 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 | |
SiT3809 |
|
80 to 220 MHz | ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 2.8 3.3 | -20 to +70 -40 to +85 | 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 | |
SiT3372 |
|
1 to 220 MHz | ±15 ±25 ±30 ±50 | LVPECL LVDS HCSL | 2.5 2.8 3.0 3.3 | -20 to +70 -40 to +85 -40 to +105 | 3.2x2.5 7.0x5.0 5.0x3.2 |

I2C/SPI 振荡器
SiTime 的 Elite Platform™ I2C/SPI 振荡器使用户能够使用数字接口对输出频率和系统内牵引频率进行编程,为设计人员提供了极大的灵活性。该系列提供超低抖动,并利用 SiTime 独特的 DualMEMS™ 温度传感和 TurboCompensation™ 技术来提供卓越的动态性能。
- 非常适合替换支持多种频率的系统中的多个计时组件,例如电信、网络、服务器、存储、广播、测试和测量设备
- 任意频率模式,可通过 I2C 或 SPI 将输出频率编程为 1 MHz 至 725 MHz
- 数控振荡器 (DCO) 模式可通过 I2C 或 SPI 将频率拉升/调谐至 ±3200 ppm,分辨率为 0.005 ppb
- 频率(1 MHz 至 725 MHz)、电压(2.5 V 至 3.3 V)、牵引范围(±25 ppm 至 ±3200 ppm)和三种 DE 输出格式(LVPECL、LVDS 或 HCSL)的任意组合
- 0.2 ps 典型积分相位抖动
器件 | 产品说明书 | 立即购买 | 频率 | 精度(ppm) | 输出类型 | 供电电压(V) | 温度范围(°C) | 封装尺寸(mm) |
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SiT3522 |
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340 to 725 MHz | ±20 ±25 ±50 | LVPECL LVDS HCSL | 2.5 to 3.3 | -20 to +70 -40 to +85 -40 to +105 | 5.0 x 3.2 10-pin | |
SiT3521 |
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1 to 340 MHz | ±20 ±25 ±50 | LVPECL LVDS HCSL | 2.5 to 3.3 | -20 to +70 -40 to +85 -40 to +105 | 5.0 x 3.2 10-pin |

数控 VCXO
SiTime的数控MEMS振荡器(DCXO)能帮助用户通过单线数字接口对输出频率进行微调,牵引范围高达±1600ppm,从而无需在传统的VCXO设计中使用外部DAC。此外,其还可消除在电压控制线路上由电路板噪声引起的频移。
- 业界最宽泛的拉动范围选项,包括±25、±50、±100、±150、±200、±400、±800及±1600ppm
- 1ppb的拉动范围分辨率
- 任意组合的频率(高达625MHz)、电压(1.8V、2.5V至3.3V)、拉动范围(±25ppm至±1600ppm)以及业界标准封装(3225、5032或7050)
- LVCMOS输出(SiT3907)与差动输出(SiT3921和SiT3922)
器件 | 产品说明书 | 立即购买 | 频率 | 精度(ppm) | 输出类型 | 供电电压(V) | 温度范围(°C) | 封装尺寸(mm) |
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SiT3921 |
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1 to 220 MHz | ±10 ±25 ±50 | LVPECL LVDS | 2.5 3.3 | -20 to +70 -40 to +85 | 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 | |
SiT3922 |
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220 to 625 MHz | ±10 ±25 ±50 | LVPECL LVDS | 2.5 3.3 | -20 to +70 -40 to +85 | 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 | |
SiT3901 |
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1 to 26 MHz | ±50 ±100 | LVCMOS | 1.8 2.5 to 3.3 | -20 to +70 -40 to +85 | 1.5x0.8 | |
SiT3907 |
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1 to 220 MHz | ±10 ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 2.8 3.3 | -20 to +70 -40 to +85 | 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 |