精密 MHz 高精度TCXO

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SiTime MEMS 精密振荡器在小型、坚固的封装中，可在环境压力（气流、快速温度变化、冲击、振动、电源不良和 EMI）下提供最稳定的定时。这些设备可以在各种参数范围内编程为频率、稳定性、电压和牵引范围的任意组合，从而消除了与石英TCXO和 OCXO 相关的长交货时间、定制成本和可靠性问题。

类别

超级TCXO 汽车 TCXO TCXOs
5032 10-Pin Ceramic MEMS Oscillator (Top & Bottom Angled View)

超级TCXO

Elite Platform®、Elite X™ 和 Elite RF™ Super-TCXO是精密计时解决方案，具有卓越的动态性能和丰富的功能。这些设备解决了电信、射频、网络、边缘同步和精密 GNSS 应用的根深蒂固的定时问题。通过将高稳定性和低相位噪声与陶瓷 TCXO 的坚固封装相结合，SiTime Super-TCXO 取代了传统的石英 OCXO，同时提高了可靠性、降低了功耗并缩小了尺寸。

  • 严格的稳定性（±0.01 ppm 至 ±2.5 ppm），1 至 220 MHz
  • 比石英更好的动态稳定性 (±0.5 ppb/°C ΔF/ΔT)，耐气流和热冲击
  • -40°C 至 105°C 运行独特地支持无风扇户外设备
  • 低相位噪声：10 kHz 时为 -159 dBc/Hz（标称值 19.2 MHz）
  • 电池供电的边缘设备功耗更低（110 mW，2.5V）
  • I2C 数字频率调谐消除了外部 DAC 和对电路板噪声的敏感性
  • 片上电源噪声过滤消除了专用 LDO
器件 产品说明书 立即购买 频率 精度(ppm) 输出类型 供电电压(V) 温度范围(°C) 封装尺寸(mm)
SiT5155 立即购买 12 standard frequencies ±0.5 LVCMOS Clipped sinewave 2.5 2.8 3 3.3 -20 to +70 -40 to +85 -40 to +105 5.0 x 3.2 10-pin
SiT5156 立即购买 1 to 60 MHz ±0.5 ±1 ±2.5 LVCMOS Clipped sinewave 2.5 2.8 3 3.3 -20 to +70 -40 to +85 -40 to +105 5.0 x 3.2 10-pin
SiT5157 立即购买 60 to 220 MHz ±0.5 ±1 ±2.5 LVCMOS 2.5 2.8 3 3.3 -20 to +70 -40 to +85 -40 to +105 5.0 x 3.2 10-pin
SiT5356 立即购买 1 to 60 MHz ±0.1 ±0.2 ±0.25 LVCMOS Clipped sinewave 2.5 2.8 3 3.3 -20 to +70 -40 to +85 -40 to +105 5.0 x 3.2 10-pin
SiT5357 立即购买 60 to 220 MHz ±0.1 ±0.2 ±0.25 LVCMOS 2.5 2.8 3 3.3 -20 to +70 -40 to +85 -40 to +105 5.0 x 3.2 10-pin
SiT5359 立即购买 60 to 220 MHz ±0.05 (±50 ppb) LVCMOS 2.5 2.8 3.0 3.3 0 to +70 -20 to +70 -40 to +85 -40 to +105 5.0 x 3.2 10-pin
SiT5358 立即购买 1 to 60 MHz ±0.05 LVCMOS Clipped sinewave 2.5 2.8 3.0 3.3 0 to +70 -20 to +70 -40 to +85 -40 to +105 5.0 x 3.2 10-pin
SiT5501 立即购买 1 to 60 MHz ±0.01 (±10 ppb) ±0.02 (±20 ppb) LVCMOS Clipped sinewave 2.5 2.8 3.0 3.3 -40 to +85 -40 to +105 7.0 x 5.0 10-pin
SiT5503 联系销售人员 1 to 60 MHz ±0.005 (±5 ppb) LVCMOS Clipped sinewave 2.5 2.8 3.0 3.3 -20 to +70 -40 to +85 -40 to +95 7.0 x 5.0 10-pin
SiT5376 立即购买 1 to 60 MHz ±0.1 ±0.2 ±0.25 LVCMOS Clipped Sinewave 1.8 2.5 2.8 3.0 3.3 -20 to 70 -40 to +85 -40 to +105 5.0 x 3.5 10-pin
SiT5377 联系销售人员 60 to 220 MHz ±0.1 ±0.2 ±0.25 LVDS 1.8 2.5 2.8 3.0 3.3 -20 to 70 -40 to +85 -40 to +105 5.0 x 3.5, 10-pin
SiT5977 联系销售人员 156.25 MHz ±0.1 ±0.2 ±0.25 LVDS 3.3 -40 to +85 5.0 x 3.5, 10-pin

关键资源

SiT6722EBBC Evaluation Board User Manual (Clipped Sinewave) How to Design with SiTime TCXOs and OCXOs Elite Precision Super-TCXOs Solve Networking and Telecom Timing Issues Synchronization System Performance Benefits of Precision MEMS TCXOs under Environmental Stress Conditions AN10063 TCXO and OCXO Stability Degradation AN10064 Improved System Performance with Digital Frequency Tuning in Precision Super-TCXOs AN10039 TCXO Frequency Stability and Frequency Accuracy Budget
5032 10-Pin Ceramic MEMS Oscillator (Top & Bottom Angled View)

汽车 TCXO

SiTime 的 AEC-Q100 汽车TCXO基于 Elite Platform™，旨在提供更高的动态性能、可靠性和鲁棒性，使其成为自动驾驶系统的理想选择。这些 1 至 220 MHz 精密器件在 -40°C 至 105°C 的 AEC-Q100 2 级温度范围内具有高度稳定性（±0.1 ppm 至 ±2.5 ppm），可解决恶劣汽车环境中根深蒂固的时序问题。

  • 动态稳定性 (1 ppb/°C ΔF/ΔT) 比石英高 30 倍，耐气流和热冲击
  • AEC-Q100 Grade-2 -40°C 至 105°C 高温环境运行
  • 业界最佳的 G 灵敏度为 0.1 ppb/g
  • 10,000g 下更好的抗冲击性，70g 下更好的抗振性
  • MTBF 超过 10 亿小时（< 1 FIT），可靠性更高
器件 产品说明书 立即购买 频率 精度(ppm) 输出类型 供电电压(V) 温度范围(°C) 封装尺寸(mm)
SiT5186 立即购买 1 to 60 MHz ±0.5 ±1 ±2.5 LVCMOS Clipped Sinewave 2.5 2.8 3 3.3 -20 to 70 (Gr 4) -40 to 85 (Gr 3) -40 to 105 (Gr 2) 5.0 x 3.2 10-pin
SiT5187 联系销售人员 60 to 220 MHz ±0.5 ±1 ±2.5 LVCMOS 2.5 2.8 3 3.3 -20 to 70 (Gr 4) -40 to 85 (Gr 3) -40 to 105 (Gr 2) 5.0 x 3.2 10-pin
SiT5386 联系销售人员 1 to 60 MHz ±0.1 ±0.2 ±0.25 LVCMOS Clipped Sinewave 2.5 2.8 3 3.3 -20 to 70 (Gr 4) -40 to 85 (Gr 3) -40 to 105 (Gr 2) 5.0 x 3.2 10-pin
SiT5387 联系销售人员 60 to 220 MHz ±0.1 ±0.2 ±0.25 LVCMOS 2.5 2.8 3 3.3 -20 to +70 (Gr 4) -40 to +85 (Gr 3) -40 to +105 (Gr 2) 5.0 x 3.2 10-pin

关键资源

DualMEMS and TurboCompensation Temperature Sensing Technology Timing Solutions for Automotive Systems
TCXO Package 6-pin Top Bottom

TCXOs

SiTime可编程温度补偿振荡器(TCXO)堪称业界灵活性最高与可靠最高的解决方案，适用于电信、网络及工业应用领域。其可与石英TCXO引脚兼容，能在无需重新设计或进行板面布局更改的情况下即实现100%的简易替换。

  • 从1MHz到625MHz的宽泛频率范围
  • 可支持LVCMOS、LVPECL及LVDS
  • 提供±5ppm的极佳频率精度
  • 具有宽泛拉动范围（高达±1600ppm）的可选电压控制
器件 产品说明书 立即购买 频率 精度(ppm) 输出类型 供电电压(V) 温度范围(°C) 封装尺寸(mm)
SiT5000 联系销售人员 27 frequencies ±5 LVCMOS 1.8 2.5 2.8 3.0 3.3 -20 to +70 -40 to +85 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0
SiT5001 联系销售人员 1 to 80 MHz ±5 LVCMOS 1.8 2.5 2.8 3.0 3.3 -20 to +70 -40 to +85 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0
SiT5021 立即购买 1 to 220 MHz ±5 LVPECL LVDS 2.5 3.3 2.25 to 3.63 -20 to +70 -40 to +85 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0
SiT5022 立即购买 220 to 625 MHz ±5 LVPECL LVDS 2.5 3.3 2.25 to 3.63 -20 to +70 -40 to +85 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0
SiT5008 联系销售人员 26 MHz ±2 ±10 LVCMOS 1.8 2.8 3.3 -40 to +85 2.5x2.0 4-pin

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