SiTime Endura™ 加固型振荡器专为航空航天、国防和工业自动化应用而设计,这些应用需要在各种恶劣环境条件下具有超高弹性。这些基于硅 MEMS 的器件可提供最低的加速度灵敏度、最佳的抗冲击和抗振动性、高可靠性(>22 亿小时 MTBF)以及在气流、热梯度、压力和电源噪声下的卓越动态性能。
Endura 产品可以在工厂编程为各种参数范围内的频率、稳定性和电压的任意组合,从而消除了与石英产品相关的较长交货时间和定制成本。所有 Endura 振荡器均经过 SiTime Endura 工艺流程 100% 筛选,以提供高可靠性。
类别
加固型 OCXO Ruggedized Low Noise MHz Super-TCXOs 加固型 MHz Super-TCXO LVCMOS 加固型振荡器 LVPECL / LVDS / HCSL 加固型振荡器 加固型 32.768 kHz TCXO 数控加固型振荡器 压控加固型振荡器 扩频加固型振荡器
加固型 OCXO
Endura Epoch Platform™ MEMS OCXO(烤箱控制振荡器)解决了传统石英 OCXO 长期存在的问题,即对环境压力敏感且难以使用。如果系统丢失 GPS 信号,这些 OCXO 可以提供可靠的保持,从而提高 PNT 系统的恢复能力。除了增强的稳健性之外,Endura OCXO 还改进了尺寸、重量和功率 (SWaP)。与传统的 g 灵敏度级石英 OCXO 相比,Endura OCXO 具有以下优势。
- G 灵敏度提高 70 倍
- 抗冲击能力提高 30 倍,额定载荷为 20,000 g
- 随温度变化频率提高高达 20 倍
- 艾伦偏差提高高达 4 倍
- 占地面积缩小 20 倍,尺寸为 9.0 x 7.0 毫米,高度降低为 3.6 毫米
- 重量比振动补偿设计轻 300 倍(0.35 克)
- 功率降低高达 2 倍,额定功率为 420 mW
- 无与伦比的易用性,消除了 PCB 布局的限制,最大限度地减少了热隔离所需的屏蔽
器件 | 产品说明书 | 立即购买 | 频率 | 精度(ppm) | 输出类型 | 供电电压(V) | 温度范围(°C) | 封装尺寸(mm) |
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SiT7111 |
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10 to 60 MHz | ±0.001 (±1 ppb) | Regulated LVCMOS Clipped Sinewave | 2.5 2.8 3.3 | -40 to 85 -40 to 95 | 9.0 x 7.0 | |
SiT7112 |
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60 to 220 MHz | ±0.001 (±1 ppb) | Regulated LVCMOS | 2.5 2.8 3.3 | -40 to 85 -40 to 95 | 9.0 x 7.0 | |
SiT7101 |
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10 to 60 MHz | ±0.003 (±3 ppb) ±0.005 (±5 ppb) | Regulated LVCMOS Clipped Sinewave | 2.5 2.8 3.3 | -40 to 85 -40 to 95 | 9.0 x 7.0 | |
SiT7102 |
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60 to 220 MHz | ±0.003 (±3 ppb) ±0.005 (±5 ppb) | Regulated LVCMOS | 2.5 2.8 3.3 | -40 to 85 -40 to 95 | 9.0 x 7.0 |

Ruggedized Low Noise MHz Super-TCXOs
Endura low phase noise MHz Super-TCXOs combine low phase noise, tight frequency stability over temperature and low g-sensitivity in a single 5032 footprint-compatible device. With phase noise virtually insensitive to vibration compared to up to 20 dBC/Hz jump for quartz, there is no need to derate phase noise to compensate for vibration.
- Best acceleration sensitivity, 0.01 ppb/g – 50x better than quartz
- -159 dBc/Hz phase noise at 10 kHz offset for 19.2 MHz carrier frequency
- -172 dBc/Hz broadbase phase noise for 19.2 MHz carrier frequency
- ±0.1 ppm frequency stability over -40 to 105C with no frequency jump
- Low Allen deviation (ADEV), 1E-11, 10s averaging time – fewer errors in processing signals with long integration time
- Low power supply noise rejection (PSNR), 0.1 ps/mV
- I2C or SPI digital frequency tuning eliminates external DAC and sensitivity to board noise

加固型 MHz Super-TCXO
Endura 加固型 Super-TCXO 具有高度稳定性(±0.05 ppm 至 ±2.5 ppm)、1 至 220 MHz 精密振荡器,旨在在环境压力下(气流、温度快速变化、冲击、振动、电源不良、和电磁干扰。
- 最佳加速灵敏度,0.004 ppb/g(典型值)——比石英好 50 倍
- 30,000g 机械冲击和 70g 抗振性
- 抗气流和热冲击,0.9 ppb/°C (ΔF/ΔT)
- 出色的艾伦偏差 (ADEV),1.5e-11,10 秒平均时间
- 低电源噪声抑制 (PSNR),0.2 ps/mV
- I2C 数字频率调谐消除了外部 DAC 和对电路板噪声的敏感性
器件 | 产品说明书 | 立即购买 | 频率 | 精度(ppm) | 输出类型 | 供电电压(V) | 温度范围(°C) | 封装尺寸(mm) |
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SiT5146 |
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1 to 60 MHz | ±0.5 ±1 ±2.5 | LVCMOS Clipped Sinewave | 2.5 2.8 3 3.3 | -20 to +70 -40 to +85 -40 to +105 -55 to +105 | 5.0 x 3.2 10-pin | |
SiT5147 |
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60 to 220 MHz | ±0.5 ±1 ±2.5 | LVCMOS | 2.5 2.8 3 3.3 | -20 to +70 -40 to +85 -40 to +105 | 5.0 x 3.2 10-pin | |
SiT5346 |
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1 to 60 MHz | ±0.1 ±0.2 ±0.25 | LVCMOS Clipped Sinewave | 2.5 2.8 3 3.3 | -20 to +70 -40 to +85 -40 to +105 | 5.0 x 3.2 10-pin | |
SiT5348 |
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1 to 60 MHz | ±0.05 | LVCMOS Clipped Sinewave | 2.5 2.8 3 3.3 | 0 to +70 -20 to +70 -40 to +85 -40 to +105 | 5.0 x 3.2 10-pin | |
SiT5349 |
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60 to 220 MHz | ±0.05 | LVCMOS | 2.5 2.8 3 3.3 | 0 to +70 -20 to +70 -40 to +85 -40 to +105 | 5.0 x 3.2 10-pin | |
SiT5347 |
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60 to 189 MHz 208 to 220 MHz | ±0.1 ±0.2 ±0.25 | LVCMOS | 2.5 2.8 3.0 3.3 | -20 to +70 -40 to +85 -40 to +105 | 5.0 x 3.2 10-pin | |
SiT5541 |
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1 to 60 MHz | ±0.01 (±10 ppb) ±0.02 (±20 ppb) | LVCMOS Clipped Sinewave | 2.5 ±10% 2.8 ±10% 3.0 ±10% 3.3 ±10% | -40 to 85 -40 to 105 | 7.0 x 5.0 | |
SiT5543 |
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1 to 60 MHz | ±0.005 (±5 ppb) | LVCMOS Clipped Sinewave | 2.5 ±10% 2.8 ±10% 3.0 ±10% 3.3 ±10% | -40 to 85 -40 to 95 | 7.0 x 5.0 | |
SiT7201 |
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10 to 60 MHz | ±0.1 ±0.2 ±0.25 | LVCMOS Clipped Sinewave | 1.8 2.5 2.8 3.0 3.3 | -40 to 105 | 5.0 x 3.5, 10-pin | |
SiT7202 |
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60 to 220 MHz | ±0.1 ±0.2 ±0.25 | LVCMOS | 1.8 2.5 2.8 3.0 3.3 | -40 to 105 | 5.0 x 3.5, 10-pin |

LVCMOS 加固型振荡器
SiTime 为国防和航空航天应用提供坚固耐用的单端 Endura 振荡器,具有广泛的功能。这些器件以任意组合完美地结合了宽频率范围(1 至 137 MHz)、出色的稳定性(±20 ppm)和宽温度范围(-55 至 125°C)。
- 低加速度灵敏度,0.1 ppb/g
- 宽工作温度,-55 至 +125°C
- 行业标准 QFN 封装,小至 2.0 mm x 1.6 mm
- SOT23-5 引线封装可实现更高的板级可靠性和可制造性
- FlexEdge™ 可配置上升/下降时间以降低 EMI
器件 | 产品说明书 | 立即购买 | 频率 | 精度(ppm) | 输出类型 | 供电电压(V) | 温度范围(°C) | 封装尺寸(mm) |
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SiT2045 |
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115 to 137 MHz | ±20 ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 to 3.3 | -40 to +105 -40 to +125 -55 to +125 | SOT23 (2.9x2.8) | |
SiT2044 |
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1 to 110 MHz | ±20 ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 to 3.3 | -40 to +105 -40 to +125 -55 to +125 | SOT23 (2.9x2.8) | |
SiT8945 |
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115 to 137 MHz | ±20 ±25 ±30 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 to 3.3 | -40 to +105 -40 to +125 -55 to +125 | 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 | |
SiT8944 |
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1 to 110 MHz | ±20 ±25 ±30 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 to 3.3 | -40 to +105 -40 to +125 -55 to +125 | 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 |

LVPECL / LVDS / HCSL 加固型振荡器
SiTime 为高可靠性航空航天和国防应用提供 Endura 高性能差分振荡器。这些坚固耐用的设备在存在环境危害(例如冲击、振动、噪声电源和 EMI)的情况下提供低抖动和电源噪声抑制 (PSNR)。
- 低加速度灵敏度,0.1 ppb/g
- 采用小型行业标准封装,低 0.21 ps RMS 抖动(典型值)
- ±10 ppm,在恶劣环境条件下具有更好的动态稳定性
- 精确的频率控制,数字调谐至 ±5 ppt
- 1 MHz 至 725 MHz 之间的任何频率,精度为 6 位小数
器件 | 产品说明书 | 立即购买 | 频率 | 精度(ppm) | 输出类型 | 供电电压(V) | 温度范围(°C) | 封装尺寸(mm) |
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SiT9346 |
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1 to 220 MHz | ±10 ±20 ±25 ±50 | LVCMOS LVPECL HCSL | 2.5 2.8 3 3.3 | -40 to +105 | 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 | |
SiT9347 |
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220 to 725 MHz | ±10 ±20 ±25 ±50 | LVPECL LVDS HCSL | 2.5 2.8 3 3.3 | -40 to +105 | 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 | |
SiT9357 |
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220 to 900 MHz | ±20 ±50 | LVPECL LVDS HCSL Low-power HCSL FlexSwing | 1.8 ±5% 2.5 ±10% 3.3 ±10% 2.25 to 3.63 1.71 to 3.63 | -40 to 85 -40 to 105 -40 to 125 -55 to 125 | 2.0 x 1.6 2.5 x 2.0 3.2 x 2.5 | |
SiT9551 |
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14 standard frequencies from 25 MHz to 644 MHz | ±20 ±50 | LVPECL LVDS HCSL Low-power HCSL FlexSwing | 1.8 ±5% 2.5 ±10% 3.3 ±10% 2.25 to 3.63 1.71 to 3.63 | -40 to 85 -40 to 105 -40 to 125 -55 to 125 | 2.0 x 1.6 2.5 x 2.0 3.2 x 2.5 | |
SiT9356 |
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1 to 220 MHz | ±20 ±50 | LVPECL LVDS HCSL Low-power HCSL FlexSwing | 1.8 ±5% 2.5 ±10% 3.3 ±10% 2.25 to 3.63 1.71 to 3.63 | -40 to 85 -40 to 105 -40 to 125 -55 to 125 | 2.0 x 1.6 2.5 x 2.0 3.2 x 2.5 |

加固型 32.768 kHz TCXO
Endura 加固型 32.768 kHz Super-TCXO 专为航空航天、国防和其他在恶劣环境下运行的应用中进行每秒脉冲 (pps) 计时而设计。
- 与石英相比稳定性提高 25 倍
- 宽工作温度,高达 -55 至 +105°C
- 一流的 20 ppb/g g 灵敏度,可在高振动环境中保持弹性
- 低 2ns RMS 相位抖动
- 6.0 µA 功耗,比石英低 30 倍
器件 | 产品说明书 | 立即购买 | 频率 | 精度(ppm) | 输出类型 | 供电电压(V) | 温度范围(°C) | 封装尺寸(mm) |
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SiT7910 |
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32.768 kHz | ±0.1 ±0.2 ±0.4 | LVCMOS | 1.8 1.62 to 3.63 | -40 to 85 -40 to 105 -55 to 105 | 2.5x2.0 ceramic |

数控加固型振荡器
SiTime 的 Endura DCXO 使用户能够使用数字接口(I2C 或 SPI)在系统内对输出频率和牵引频率进行编程,为设计人员提供了无噪声时钟同步的极大灵活性。这个坚固耐用的系列提供超低加速度灵敏度和低抖动。
- 非常适合替换支持多个频率的系统中的多个计时组件
- 任意频率模式,可通过 I2C 或 SPI 将输出频率编程为 1 MHz 至 725 MHz
- 通过 I2C 或 SPI 频率牵引/调谐高达 ±3200 ppm,分辨率为 0.005 ppb,线性度 <1%
- 0.21 ps RMS(典型值)低集成相位抖动
- 低加速度灵敏度,0.1 ppb/g
器件 | 产品说明书 | 立即购买 | 频率 | 精度(ppm) | 输出类型 | 供电电压(V) | 温度范围(°C) | 封装尺寸(mm) |
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SiT3541 |
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1 to 340 MHz | ±20 ±25 ±50 | LVPECL LVDS HCSL | 2.5 to 3.3 | -40 to +85 | 5.0 x 3.2 10-pin | |
SiT3542 |
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340 to 725 MHz | ±20 ±25 ±50 | LVPECL LVDS HCSL | 2.5 to 3.3 | -40 to +85 | 5.0 x 3.2 10-pin |

压控加固型振荡器
SiTime Endura VCXO 为国防和航空航天应用提供卓越的动态性能和高可靠性。这些坚固耐用的设备经过精心设计,可在恶劣的环境条件下保持相位噪声性能和频率调谐精度。
- 1 MHz 至 725 MHz 之间的任何频率(步长为 1 Hz)
- 宽牵引范围,±25 至 ±3200 ppm,线性度 <1%
- 低抖动,0.21 ps RMS(12k 至 20MHz)
- 低电源噪声抑制 (PSNR),0.05 ps/mV
- 低加速度灵敏度,0.1 ppb/g
器件 | 产品说明书 | 立即购买 | 频率 | 精度(ppm) | 输出类型 | 供电电压(V) | 温度范围(°C) | 封装尺寸(mm) |
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SiT3343 |
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220 to 725 MHz | ±25 ±30 ±50 | LVPECL LVDS HCSL | 2.5 2.8 3.0 3.3 | -40 to +105 | 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 | |
SiT3342 |
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1 to 220 MHz | ±15 ±25 ±35 ±50 | LVPECL LVDS HSCL | 2.5 2.8 3.0 3.3 | -40 to +105 | 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 |

扩频加固型振荡器
SiTime 的 Endura EMI 降低振荡器通过两种技术确保辐射合规性:扩频时钟和时钟信号的上升/下降时间调整。这些坚固耐用的设备专为恶劣环境而设计,具有超低加速度灵敏度和高温操作。
- 基频 EMI 降低高达 17 dB,谐波 EMI 降低 30 dB
- 价差范围宽,峰峰值比高达 4%
- FlexEdge™ 可配置上升/下降时间选项:0.25 ns 至 40 ns 转换速率
- 低加速度灵敏度,0.1 ppb/g
- 宽工作温度,-55 至 +125°C
- 小型行业标准 QFN 封装,小至 2.0 mm x 1.6 mm
器件 | 产品说明书 | 立即购买 | 频率 | 精度(ppm) | 输出类型 | 供电电压(V) | 温度范围(°C) | 封装尺寸(mm) |
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SiT9045 |
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1 to 150 MHz | ±20 ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.25 to 3.3 | -55 to +125 | 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 |