加固型振荡器/TCXO/OCXO

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SiTime Endura™ 加固型振荡器专为航空航天、国防和工业自动化应用而设计,这些应用需要在各种恶劣环境条件下具有超高弹性。这些基于硅 MEMS 的器件可提供最低的加速度灵敏度、最佳的抗冲击和抗振动性、高可靠性(>22 亿小时 MTBF)以及在气流、热梯度、压力和电源噪声下的卓越动态性能。

Endura 产品可以在工厂编程为各种参数范围内的频率、稳定性和电压的任意组合,从而消除了与石英产品相关的较长交货时间和定制成本。所有 Endura 振荡器均经过 SiTime Endura 工艺流程 100% 筛选,以提供高可靠性。

Epoch OCXO package 9.0x7.0

加固型 OCXO

Endura Epoch Platform™ MEMS OCXO(烤箱控制振荡器)解决了传统石英 OCXO 长期存在的问题,即对环境压力敏感且难以使用。如果系统丢失 GPS 信号,这些 OCXO 可以提供可靠的保持,从而提高 PNT 系统的恢复能力。除了增强的稳健性之外,Endura OCXO 还改进了尺寸、重量和功率 (SWaP)。与传统的 g 灵敏度级石英 OCXO 相比,Endura OCXO 具有以下优势。

  • G 灵敏度提高 70 倍
  • 抗冲击能力提高 30 倍,额定载荷为 20,000 g
  • 随温度变化频率提高高达 20 倍
  • 艾伦偏差提高高达 4 倍
  • 占地面积缩小 20 倍,尺寸为 9.0 x 7.0 毫米,高度降低为 3.6 毫米
  • 重量比振动补偿设计轻 300 倍(0.35 克)
  • 功率降低高达 2 倍,额定功率为 420 mW
  • 无与伦比的易用性,消除了 PCB 布局的限制,最大限度地减少了热隔离所需的屏蔽
器件 产品说明书 立即购买 频率 精度(ppm) 输出类型 供电电压(V) 温度范围(°C) 封装尺寸(mm)
SiT7111 联系销售人员 10 to 60 MHz ±0.001 (±1 ppb) Regulated LVCMOS Clipped Sinewave 2.5 2.8 3.3 -40 to 85 -40 to 95 9.0 x 7.0
SiT7112 联系销售人员 60 to 220 MHz ±0.001 (±1 ppb) Regulated LVCMOS 2.5 2.8 3.3 -40 to 85 -40 to 95 9.0 x 7.0
SiT7101 联系销售人员 10 to 60 MHz ±0.003 (±3 ppb) ±0.005 (±5 ppb) Regulated LVCMOS Clipped Sinewave 2.5 2.8 3.3 -40 to 85 -40 to 95 9.0 x 7.0
SiT7102 联系销售人员 60 to 220 MHz ±0.003 (±3 ppb) ±0.005 (±5 ppb) Regulated LVCMOS 2.5 2.8 3.3 -40 to 85 -40 to 95 9.0 x 7.0
Image: Elite Ceramic 5032 10-pin package, top & bottom

加固型 MHz Super-TCXO

Endura 加固型 Super-TCXO 具有高度稳定性(±0.05 ppm 至 ±2.5 ppm)、1 至 220 MHz 精密振荡器,旨在在环境压力下(气流、温度快速变化、冲击、振动、电源不良、和电磁干扰。

  • 最佳加速灵敏度,0.004 ppb/g(典型值)——比石英好 50 倍
  • 30,000g 机械冲击和 70g 抗振性
  • 抗气流和热冲击,0.9 ppb/°C (ΔF/ΔT)
  • 出色的艾伦偏差 (ADEV),1.5e-11,10 秒平均时间
  • 低电源噪声抑制 (PSNR),0.2 ps/mV
  • I2C 数字频率调谐消除了外部 DAC 和对电路板噪声的敏感性
器件 产品说明书 立即购买 频率 精度(ppm) 输出类型 供电电压(V) 温度范围(°C) 封装尺寸(mm)
SiT5146 立即购买 1 to 60 MHz ±0.5 ±1 ±2.5 LVCMOS Clipped Sinewave 2.5 2.8 3 3.3 -20 to +70 -40 to +85 -40 to +105 -55 to +105 5.0 x 3.2 10-pin
SiT5147 立即购买 60 to 220 MHz ±0.5 ±1 ±2.5 LVCMOS 2.5 2.8 3 3.3 -20 to +70 -40 to +85 -40 to +105 5.0 x 3.2 10-pin
SiT5346 立即购买 1 to 60 MHz ±0.1 ±0.2 ±0.25 LVCMOS Clipped Sinewave 2.5 2.8 3 3.3 -20 to +70 -40 to +85 -40 to +105 5.0 x 3.2 10-pin
SiT5348 立即购买 1 to 60 MHz ±0.05 LVCMOS Clipped Sinewave 2.5 2.8 3 3.3 0 to +70 5.0 x 3.2 10-pin
SiT5349 立即购买 60 to 220 MHz ±0.05 LVCMOS 2.5 2.8 3 3.3 0 to +70 5.0 x 3.2 10-pin
SiT5347 立即购买 60 to 220 MHz ±0.1 ±0.2 ±0.25 LVCMOS 2.5 2.8 3.0 3.3 -20 to +70 -40 to +85 -40 to +105 5.0 x 3.2 10-pin
SiT5541 立即购买 1 to 60 MHz ±0.01 (±10 ppb) ±0.02 (±20 ppb) LVCMOS Clipped Sinewave 2.5 ±10% 2.8 ±10% 3.0 ±10% 3.3 ±10% -40 to 85 -40 to 105 7.0 x 5.0
SiT5543 立即购买 1 to 60 MHz ±0.005 (±5 ppb) LVCMOS Clipped Sinewave 2.5 ±10% 2.8 ±10% 3.0 ±10% 3.3 ±10% -40 to 85 -40 to 95 7.0 x 5.0
LVCMOS Ruggedized Oscillators 4-pin Package Top Bottom

LVCMOS 加固型振荡器

SiTime 为国防和航空航天应用提供坚固耐用的单端 Endura 振荡器,具有广泛的功能。这些器件以任意组合完美地结合了宽频率范围(1 至 137 MHz)、出色的稳定性(±20 ppm)和宽温度范围(-55 至 125°C)。

  • 低加速度灵敏度,0.1 ppb/g
  • 宽工作温度,-55 至 +125°C
  • 行业标准 QFN 封装,小至 2.0 mm x 1.6 mm
  • SOT23-5 引线封装可实现更高的板级可靠性和可制造性
  • FlexEdge™ 可配置上升/下降时间以降低 EMI
器件 产品说明书 立即购买 频率 精度(ppm) 输出类型 供电电压(V) 温度范围(°C) 封装尺寸(mm)
SiT2045 立即购买 115 to 137 MHz ±20 ±25 ±50 LVCMOS 1.8 2.5 to 3.3 -40 to +105 -40 to +125 -55 to +125 SOT23 (2.9x2.8)
SiT2044 立即购买 1 to 110 MHz ±20 ±25 ±50 LVCMOS 1.8 2.5 to 3.3 -40 to +105 -40 to +125 -55 to +125 SOT23 (2.9x2.8)
SiT8945 立即购买 115 to 137 MHz ±20 ±25 ±30 ±50 LVCMOS 1.8 2.5 to 3.3 -40 to +105 -40 to +125 -55 to +125 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0
SiT8944 立即购买 1 to 110 MHz ±20 ±25 ±30 ±50 LVCMOS 1.8 2.5 to 3.3 -40 to +105 -40 to +125 -55 to +125 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0
LVPECL / LVDS / HCSL Ruggedized Oscillator 6-pin Package Top Bottom

LVPECL / LVDS / HCSL 加固型振荡器

SiTime 为高可靠性航空航天和国防应用提供 Endura 高性能差分振荡器。这些坚固耐用的设备在存在环境危害(例如冲击、振动、噪声电源和 EMI)的情况下提供低抖动和电源噪声抑制 (PSNR)。

  • 低加速度灵敏度,0.1 ppb/g
  • 采用小型行业标准封装,低 0.21 ps RMS 抖动(典型值)
  • ±10 ppm,在恶劣环境条件下具有更好的动态稳定性
  • 精确的频率控制,数字调谐至 ±5 ppt
  • 1 MHz 至 725 MHz 之间的任何频率,精度为 6 位小数
器件 产品说明书 立即购买 频率 精度(ppm) 输出类型 供电电压(V) 温度范围(°C) 封装尺寸(mm)
SiT9346 立即购买 1 to 220 MHz ±10 ±20 ±25 ±50 LVCMOS LVPECL HCSL 2.5 2.8 3 3.3 -40 to +105 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0
SiT9347 立即购买 220 to 725 MHz ±10 ±20 ±25 ±50 LVPECL LVDS HCSL 2.5 2.8 3 3.3 -40 to +105 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0
SiT9357 立即购买 220 to 900 MHz ±20 ±50 LVPECL LVDS HCSL Low-power HCSL FlexSwing 1.8 ±5% 2.5 ±10% 3.3 ±10% 2.25 to 3.63 1.71 to 3.63 -40 to 85 -40 to 105 -40 to 125 -55 to 125 2.0 x 1.6 2.5 x 2.0 3.2 x 2.5
SiT9551 立即购买 14 standard frequencies from 25 MHz to 644 MHz ±20 ±50 LVPECL LVDS HCSL Low-power HCSL FlexSwing 1.8 ±5% 2.5 ±10% 3.3 ±10% 2.25 to 3.63 1.71 to 3.63 -40 to 85 -40 to 105 -40 to 125 -55 to 125 2.0 x 1.6 2.5 x 2.0 3.2 x 2.5
SiT9356 立即购买 1 to 220 MHz ±20 ±50 LVPECL LVDS HCSL Low-power HCSL FlexSwing 1.8 ±5% 2.5 ±10% 3.3 ±10% 2.25 to 3.63 1.71 to 3.63 -40 to 85 -40 to 105 -40 to 125 -55 to 125 2.0 x 1.6 2.5 x 2.0 3.2 x 2.5
2520-4-Pin-Ceramic-MEMS-Oscillator

加固型 32.768 kHz TCXO

Endura 加固型 32.768 kHz Super-TCXO 专为航空航天、国防和其他在恶劣环境下运行的应用中进行每秒脉冲 (pps) 计时而设计。

  • 与石英相比稳定性提高 25 倍
  • 宽工作温度,高达 -55 至 +105°C
  • 一流的 20 ppb/g g 灵敏度,可在高振动环境中保持弹性
  • 低 2ns RMS 相位抖动
  • 6.0 µA 功耗,比石英低 30 倍
器件 产品说明书 立即购买 频率 精度(ppm) 输出类型 供电电压(V) 温度范围(°C) 封装尺寸(mm)
SiT7910 立即购买 32.768 kHz ±0.1 ±0.2 ±0.4 LVCMOS 1.8 1.62 to 3.63 -40 to 85 -40 to 105 -55 to 105 2.5x2.0 ceramic
Digitally Controlled Ruggedized Oscillator 6-pin Package Top Bottom

数控加固型振荡器

SiTime 的 Endura DCXO 使用户能够使用数字接口(I2C 或 SPI)在系统内对输出频率和牵引频率进行编程,为设计人员提供了无噪声时钟同步的极大灵活性。这个坚固耐用的系列提供超低加速度灵敏度和低抖动。

  • 非常适合替换支持多个频率的系统中的多个计时组件
  • 任意频率模式,可通过 I2C 或 SPI 将输出频率编程为 1 MHz 至 725 MHz
  • 通过 I2C 或 SPI 频率牵引/调谐高达 ±3200 ppm,分辨率为 0.005 ppb,线性度 <1%
  • 0.21 ps RMS(典型值)低集成相位抖动
  • 低加速度灵敏度,0.1 ppb/g
器件 产品说明书 立即购买 频率 精度(ppm) 输出类型 供电电压(V) 温度范围(°C) 封装尺寸(mm)
SiT3541 立即购买 1 to 340 MHz ±20 ±25 ±50 LVPECL LVDS HCSL 2.5 to 3.3 -40 to +85 5.0 x 3.2 10-pin
SiT3542 立即购买 340 to 725 MHz ±20 ±25 ±50 LVPECL LVDS HCSL 2.5 to 3.3 -40 to +85 5.0 x 3.2 10-pin
Voltage-Controlled Ruggedized Oscillator 6-pin Package Top Bottom

压控加固型振荡器

SiTime Endura VCXO 为国防和航空航天应用提供卓越的动态性能和高可靠性。这些坚固耐用的设备经过精心设计,可在恶劣的环境条件下保持相位噪声性能和频率调谐精度。

  • 1 MHz 至 725 MHz 之间的任何频率(步长为 1 Hz)
  • 宽牵引范围,±25 至 ±3200 ppm,线性度 <1%
  • 低抖动,0.21 ps RMS(12k 至 20MHz)
  • 低电源噪声抑制 (PSNR),0.05 ps/mV
  • 低加速度灵敏度,0.1 ppb/g
器件 产品说明书 立即购买 频率 精度(ppm) 输出类型 供电电压(V) 温度范围(°C) 封装尺寸(mm)
SiT3343 立即购买 220 to 725 MHz ±25 ±30 ±50 LVPECL LVDS HCSL 2.5 2.8 3.0 3.3 -40 to +105 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0
SiT3342 立即购买 1 to 220 MHz ±15 ±25 ±35 ±50 LVPECL LVDS HSCL 2.5 2.8 3.0 3.3 -40 to +105 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0
Spread Spectrum Ruggedized Oscillator 4-pin Package Top Bottom

扩频加固型振荡器

SiTime 的 Endura EMI 降低振荡器通过两种技术确保辐射合规性:扩频时钟和时钟信号的上升/下降时间调整。这些坚固耐用的设备专为恶劣环境而设计,具有超低加速度灵敏度和高温操作。

  • 基频 EMI 降低高达 17 dB,谐波 EMI 降低 30 dB
  • 价差范围宽,峰峰值比高达 4%
  • FlexEdge™ 可配置上升/下降时间选项:0.25 ns 至 40 ns 转换速率
  • 低加速度灵敏度,0.1 ppb/g
  • 宽工作温度,-55 至 +125°C
  • 小型行业标准 QFN 封装,小至 2.0 mm x 1.6 mm
器件 产品说明书 立即购买 频率 精度(ppm) 输出类型 供电电压(V) 温度范围(°C) 封装尺寸(mm)
SiT9045 立即购买 1 to 150 MHz ±20 ±25 ±50 LVCMOS 1.8 2.25 to 3.3 -55 to +125 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5