SiTime Endura™ 加固型振荡器专为航空航天、国防和工业自动化应用而设计,这些应用需要在各种恶劣环境条件下具有超高弹性。这些基于硅 MEMS 的器件可提供最低的加速度灵敏度、最佳的抗冲击和抗振动性、高可靠性(>22 亿小时 MTBF)以及在气流、热梯度、压力和电源噪声下的卓越动态性能。
Endura 产品可以在工厂编程为各种参数范围内的频率、稳定性和电压的任意组合,从而消除了与石英产品相关的较长交货时间和定制成本。所有 Endura 振荡器均经过 SiTime Endura 工艺流程 100% 筛选,以提供高可靠性。
Endura Epoch Platform™ MEMS OCXO(烤箱控制振荡器)解决了传统石英 OCXO 长期存在的问题,即对环境压力敏感且难以使用。如果系统丢失 GPS 信号,这些 OCXO 可以提供可靠的保持,从而提高 PNT 系统的恢复能力。除了增强的稳健性之外,Endura OCXO 还改进了尺寸、重量和功率 (SWaP)。与传统的 g 灵敏度级石英 OCXO 相比,Endura OCXO 具有以下优势。
器件 | 产品说明书 | 立即购买 | 频率 | 精度(ppm) | 输出类型 | 供电电压(V) | 温度范围(°C) | 封装尺寸(mm) |
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SiT7111 | 10 to 60 MHz | ±0.001 (±1 ppb) | Regulated LVCMOS Clipped Sinewave | 2.5 2.8 3.3 | -40 to 85 -40 to 95 | 9.0 x 7.0 | ||
SiT7112 | 60 to 220 MHz | ±0.001 (±1 ppb) | Regulated LVCMOS | 2.5 2.8 3.3 | -40 to 85 -40 to 95 | 9.0 x 7.0 | ||
SiT7101 | 10 to 60 MHz | ±0.003 (±3 ppb) ±0.005 (±5 ppb) | Regulated LVCMOS Clipped Sinewave | 2.5 2.8 3.3 | -40 to 85 -40 to 95 | 9.0 x 7.0 | ||
SiT7102 | 60 to 220 MHz | ±0.003 (±3 ppb) ±0.005 (±5 ppb) | Regulated LVCMOS | 2.5 2.8 3.3 | -40 to 85 -40 to 95 | 9.0 x 7.0 |
Endura 加固型 Super-TCXO 具有高度稳定性(±0.05 ppm 至 ±2.5 ppm)、1 至 220 MHz 精密振荡器,旨在在环境压力下(气流、温度快速变化、冲击、振动、电源不良、和电磁干扰。
器件 | 产品说明书 | 立即购买 | 频率 | 精度(ppm) | 输出类型 | 供电电压(V) | 温度范围(°C) | 封装尺寸(mm) |
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SiT5146 | 1 to 60 MHz | ±0.5 ±1 ±2.5 | LVCMOS Clipped Sinewave | 2.5 2.8 3 3.3 | -20 to +70 -40 to +85 -40 to +105 -55 to +105 | 5.0 x 3.2 10-pin | ||
SiT5147 | 60 to 220 MHz | ±0.5 ±1 ±2.5 | LVCMOS | 2.5 2.8 3 3.3 | -20 to +70 -40 to +85 -40 to +105 | 5.0 x 3.2 10-pin | ||
SiT5346 | 1 to 60 MHz | ±0.1 ±0.2 ±0.25 | LVCMOS Clipped Sinewave | 2.5 2.8 3 3.3 | -20 to +70 -40 to +85 -40 to +105 | 5.0 x 3.2 10-pin | ||
SiT5348 | 1 to 60 MHz | ±0.05 | LVCMOS Clipped Sinewave | 2.5 2.8 3 3.3 | 0 to +70 | 5.0 x 3.2 10-pin | ||
SiT5349 | 60 to 220 MHz | ±0.05 | LVCMOS | 2.5 2.8 3 3.3 | 0 to +70 | 5.0 x 3.2 10-pin | ||
SiT5347 | 60 to 220 MHz | ±0.1 ±0.2 ±0.25 | LVCMOS | 2.5 2.8 3.0 3.3 | -20 to +70 -40 to +85 -40 to +105 | 5.0 x 3.2 10-pin | ||
SiT5541 | 1 to 60 MHz | ±0.01 (±10 ppb) ±0.02 (±20 ppb) | LVCMOS Clipped Sinewave | 2.5 ±10% 2.8 ±10% 3.0 ±10% 3.3 ±10% | -40 to 85 -40 to 105 | 7.0 x 5.0 | ||
SiT5543 | 1 to 60 MHz | ±0.005 (±5 ppb) | LVCMOS Clipped Sinewave | 2.5 ±10% 2.8 ±10% 3.0 ±10% 3.3 ±10% | -40 to 85 -40 to 95 | 7.0 x 5.0 |
SiTime 为国防和航空航天应用提供坚固耐用的单端 Endura 振荡器,具有广泛的功能。这些器件以任意组合完美地结合了宽频率范围(1 至 137 MHz)、出色的稳定性(±20 ppm)和宽温度范围(-55 至 125°C)。
器件 | 产品说明书 | 立即购买 | 频率 | 精度(ppm) | 输出类型 | 供电电压(V) | 温度范围(°C) | 封装尺寸(mm) |
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SiT2045 | 115 to 137 MHz | ±20 ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 to 3.3 | -40 to +105 -40 to +125 -55 to +125 | SOT23 (2.9x2.8) | ||
SiT2044 | 1 to 110 MHz | ±20 ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 to 3.3 | -40 to +105 -40 to +125 -55 to +125 | SOT23 (2.9x2.8) | ||
SiT8945 | 115 to 137 MHz | ±20 ±25 ±30 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 to 3.3 | -40 to +105 -40 to +125 -55 to +125 | 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 | ||
SiT8944 | 1 to 110 MHz | ±20 ±25 ±30 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 to 3.3 | -40 to +105 -40 to +125 -55 to +125 | 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 |
SiTime 为高可靠性航空航天和国防应用提供 Endura 高性能差分振荡器。这些坚固耐用的设备在存在环境危害(例如冲击、振动、噪声电源和 EMI)的情况下提供低抖动和电源噪声抑制 (PSNR)。
器件 | 产品说明书 | 立即购买 | 频率 | 精度(ppm) | 输出类型 | 供电电压(V) | 温度范围(°C) | 封装尺寸(mm) |
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SiT9346 | 1 to 220 MHz | ±10 ±20 ±25 ±50 | LVCMOS LVPECL HCSL | 2.5 2.8 3 3.3 | -40 to +105 | 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 | ||
SiT9347 | 220 to 725 MHz | ±10 ±20 ±25 ±50 | LVPECL LVDS HCSL | 2.5 2.8 3 3.3 | -40 to +105 | 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 | ||
SiT9357 | 220 to 900 MHz | ±20 ±50 | LVPECL LVDS HCSL Low-power HCSL FlexSwing | 1.8 ±5% 2.5 ±10% 3.3 ±10% 2.25 to 3.63 1.71 to 3.63 | -40 to 85 -40 to 105 -40 to 125 -55 to 125 | 2.0 x 1.6 2.5 x 2.0 3.2 x 2.5 | ||
SiT9551 | 14 standard frequencies from 25 MHz to 644 MHz | ±20 ±50 | LVPECL LVDS HCSL Low-power HCSL FlexSwing | 1.8 ±5% 2.5 ±10% 3.3 ±10% 2.25 to 3.63 1.71 to 3.63 | -40 to 85 -40 to 105 -40 to 125 -55 to 125 | 2.0 x 1.6 2.5 x 2.0 3.2 x 2.5 | ||
SiT9356 | 1 to 220 MHz | ±20 ±50 | LVPECL LVDS HCSL Low-power HCSL FlexSwing | 1.8 ±5% 2.5 ±10% 3.3 ±10% 2.25 to 3.63 1.71 to 3.63 | -40 to 85 -40 to 105 -40 to 125 -55 to 125 | 2.0 x 1.6 2.5 x 2.0 3.2 x 2.5 |
Endura 加固型 32.768 kHz Super-TCXO 专为航空航天、国防和其他在恶劣环境下运行的应用中进行每秒脉冲 (pps) 计时而设计。
器件 | 产品说明书 | 立即购买 | 频率 | 精度(ppm) | 输出类型 | 供电电压(V) | 温度范围(°C) | 封装尺寸(mm) |
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SiT7910 | 32.768 kHz | ±0.1 ±0.2 ±0.4 | LVCMOS | 1.8 1.62 to 3.63 | -40 to 85 -40 to 105 -55 to 105 | 2.5x2.0 ceramic |
SiTime 的 Endura DCXO 使用户能够使用数字接口(I2C 或 SPI)在系统内对输出频率和牵引频率进行编程,为设计人员提供了无噪声时钟同步的极大灵活性。这个坚固耐用的系列提供超低加速度灵敏度和低抖动。
器件 | 产品说明书 | 立即购买 | 频率 | 精度(ppm) | 输出类型 | 供电电压(V) | 温度范围(°C) | 封装尺寸(mm) |
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SiT3541 | 1 to 340 MHz | ±20 ±25 ±50 | LVPECL LVDS HCSL | 2.5 to 3.3 | -40 to +85 | 5.0 x 3.2 10-pin | ||
SiT3542 | 340 to 725 MHz | ±20 ±25 ±50 | LVPECL LVDS HCSL | 2.5 to 3.3 | -40 to +85 | 5.0 x 3.2 10-pin |
SiTime Endura VCXO 为国防和航空航天应用提供卓越的动态性能和高可靠性。这些坚固耐用的设备经过精心设计,可在恶劣的环境条件下保持相位噪声性能和频率调谐精度。
器件 | 产品说明书 | 立即购买 | 频率 | 精度(ppm) | 输出类型 | 供电电压(V) | 温度范围(°C) | 封装尺寸(mm) |
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SiT3343 | 220 to 725 MHz | ±25 ±30 ±50 | LVPECL LVDS HCSL | 2.5 2.8 3.0 3.3 | -40 to +105 | 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 | ||
SiT3342 | 1 to 220 MHz | ±15 ±25 ±35 ±50 | LVPECL LVDS HSCL | 2.5 2.8 3.0 3.3 | -40 to +105 | 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 |
SiTime 的 Endura EMI 降低振荡器通过两种技术确保辐射合规性:扩频时钟和时钟信号的上升/下降时间调整。这些坚固耐用的设备专为恶劣环境而设计,具有超低加速度灵敏度和高温操作。
器件 | 产品说明书 | 立即购买 | 频率 | 精度(ppm) | 输出类型 | 供电电压(V) | 温度范围(°C) | 封装尺寸(mm) |
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SiT9045 | 1 to 150 MHz | ±20 ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.25 to 3.3 | -55 to +125 | 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 |