SiT5812 是 SiTime 的 Epoch Platform™ MEMS OCXO系列的成员之一，可在实际环境中以一流的时间精度最大限度地提高服务连续性。Epoch Platform OCXO 旨在解决石英OCXO 的长期问题，可抵御热冲击、气流和振动。SiT5812 简化并加快了设计流程，体积缩小了 25 倍，功耗降低了 3 倍，此外还具有领先的环境适应能力，无需使用保护罩。SiTime 的硅制造工艺可确保最高品质和更短的交货时间，从而实现强大的供应链。
SiT5812 是业界最小的 OCXO（9 毫米 x 7 毫米），可提供 ±1 ppb 的超温稳定性、±0.01 ppb/°C 的典型频率斜率 (dF/dT) 以及长达 12 小时的时间保持。它是同类产品中第一款提供 -40°C 至 95°C 温度范围的 OCXO。
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| "眼镜" | "Value" |
|---|---|
| Frequency | 60 to 220 MHz |
| Frequency Stability (ppm) | ±0.001 (±1 ppb) |
| Operating Temperature Range (°C) | -20 to 70, -40 to 85, -40 to 95 |
| Package Type (mm²) | 9.0 x 7.0 |
| Oscillator Type | OCXO |
| Voltage Supply (V) | 2.5, 2.8, 3.3 |
| Features | 12-Hour Holdover, ±10 ppt/°C frequency slope, 4E-12 HDEV at 10 seconds, 460 mW steady state power consumption |
| Availability | Pre-Production Sampling |
-
Epoch OCXO package 9.0x7.0
在实际条件下实现 12 小时保持，服务连续性提高 2 倍
- ±0.1 ppb/天老化
- 包括 ITU-T 推荐曲线下的 8°C 温度变化和 1 m/s 气流
气流下具有出色的动态稳定性，温度上升速度快
- ±1 ppb 过温稳定性（-40 至 95°C）
- ±0.01 ppb/°C 频率斜率 (ΔF/ΔT) - 确保恶劣环境下电信和网络设备的系统级服务质量
- 4E-12 HDEV，平均时间为 10 秒
适用于紧凑型边缘和数据中心设备，功耗降低 3 倍，体积减小 25 倍
- 典型功耗 460 mW（3.3V）
- 坚固的 9.0 x 7.0 x 3.6 毫米封装
振动下最佳相位噪声
- 最大限度地减少高振动环境中的呼叫和/或链路中断
无活动下降或微跳跃
- 无需进行昂贵的筛选或老化测试
片上电源噪声滤波，实现出色的 PSNR
通过消除 OCXO 专用的 LDO 来减少 BOM
LVCMOS 或削波正弦波输出
- 优化 EMI 和抖动之间的最佳平衡
丰富的可编程功能
- 60 至 220 MHz 之间的任意频率
- 2.5、2.8 和 3.3V 电源选项
通过 I2C 和 SPI 进行数字频率调节
- 拉力范围大，从 ±3.125 至 ±400 ppm
- 5E-14 频率拉分辨率
- 消除电路板噪声引起的频率偏移
卓越的可靠性——减少因时钟组件引起的现场故障和维修成本
- 10 亿小时平均无故障时间
- 终身保修
- 5G基础设施
- 4G/5G RRH、DU
- ITU-T G.8273.2 D 类
- 小蜂窝
- 数据中心交换机和路由器
- 核心和边缘路由器
- 光传输（OTN、OLT等）
- 定时服务器
- 测试与测量
- IEEE 1588 边界时钟和大师
- SONET/SDH 层 3E
- GNSS 规范授时模块
频率斜率 (dF/dT) 计算器 – 计算频率随温度变化的斜率
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| Resource Name | Resource Type | Date | Format | Size |
|---|