监管机构对工业和消费产品产生的射频发射设定了限制。满足这些标准可能具有挑战性且成本高昂,尤其是在当今电子系统中处理器速度和数据速率不断提高的情况下。随着产品尺寸的缩小和功耗的降低,对抗 EMI 的挑战变得更加复杂。
随着产品变得越来越小,传统的 EMI 抑制技术(例如屏蔽)变得更加昂贵且不切实际。由于机械解决方案价格昂贵且占用空间,因此使用扩频调制已成为降低 EMI 的流行手段。设计人员可以使用扩频时钟发生器 IC 和晶体。然而,这种组合也可能过于庞大、难以实施并且对于许多应用来说不灵活。
随着 MEMS 技术和可编程架构的引入,超小型扩频振荡器 (SSXO) 为降低 EMI 提供了极其有效且易于使用的低功耗解决方案。新型 SiT9005 SSXO 将 MEMS 谐振器和先进的模拟电路组合到微型 2.0 mm x 1.6 mm DFN 封装中。与最小的基于石英的 SSXO 相比,该 MEMS SSXO 的占地面积小 95%,高度低 70%。
1.8V 时的典型电源电流为 4 mA,待机模式下仅为 0.2 µA,启动时间仅为 5 ms。 SiT9005 频率范围为 1 MHz 至 141 MHz,温度稳定性低至 ±20 ppm。 MEMS 和模拟技术使该器件极其坚固,与石英相比,交流耦合噪声注入抗扰度提高 10 倍,抗冲击/振动能力提高 30 倍。此外,它还具有 <15 ps(皮秒)的最佳周期抖动,非常适合为高速芯片提供时钟。
该器件的小尺寸、低功耗和灵活的 EMI 降低选项使 SiT9005 成为易于辐射不需要的 RF 能量的产品的理想解决方案。示例包括 IP 摄像头、汽车摄像头模块、工业电机、平板电脑、平板显示器和打印机。
让我们看看接触式图像传感器 (CIS) 型多功能打印机 (MFP)。与电荷耦合器件(CCD) 复合机相比,CIS 型打印机的功耗显着降低且体积更小。 CIS MFP 中的传感器扫描模块必须体积小且重量轻,因为它在稿台玻璃下方移动以扫描文档。由于玻璃不能过滤 RF 能量,因此 EMI 可以传播,这使得 SiT9005 SSXO 等减排解决方案成为完美选择。
除了占用空间小和功耗低之外,现场可编程 SiT9005 还具有一系列灵活的选项,可确保 EMI 合规性,这是任何电子产品的关键里程碑。如果在原型完全组装后的产品开发周期后期发现不遵守规定,可能会导致代价高昂的生产延误并推迟创收时间。 SiT9005 SSXO 通过提供两种合规技术解决了该问题:扩频时钟和时钟信号的上升/下降时间调整。
1.共有30 个扩频选项(2 个扩频样式和 2 个扩频配置文件选项):
2. 8 个 FlexEdge™ 上升/下降时间选项:
通过单独使用扩频调制,基频上的 EMI 可以降低高达 17dB,谐波频率上的 EMI 可以降低高达 30dB。此外,SiT9005 还受到 Time Machine II 编程器的支持。该工具使工程师能够立即调整频率扩展和上升/下降时间。设计人员可以在实验室中尝试各种设置,以找到降低各种类型 EMI 的正确配置,无论这些 EMI 是源自SOC 谐波、时钟迹线还是数据链路。参数只需编程到 SSXO 内的非易失性存储器中即可。
载波频率 EMI 降低高达 17 dB,谐波 EMI 降低 30 dB
全硅 MEMS 扩频解决方案使设计过程风险极低,并实现最快的上市时间。设计可以使用SiT9005 ,无需扩频。如果最终测试确定需要扩频,SiT9005 可在完全相同的占位面积内提供多种可编程 EMI 降低选项。如果设计使用石英 XO,则 SiT9005 是一种快速、简单的直接替换方案,无需更改任何 PCB。除了 2.0 x 1.6 mm 封装外,SiT9005 还提供 2.5 x 2.0 和 3.2 x 2.5 mm 封装,所有封装均与基于石英的 XO 引脚兼容。结果是一个非常具有成本效益的解决方案。
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