硅器件本质上比石英产品更可靠。我们的硅 MEMS 谐振器采用先进的 EpiSeal™ 工艺进行真空密封，可消除异物并大大提高可靠性。
| MEMS 计时解决方案 | 可靠性 | 主要特征 |
|---|---|---|
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 | >22 亿小时 MTBF | 1 至 725 MHz、LVCMOS XO、差分 XO、VCXO、DCXO、SSXO |
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 | >22 亿小时 MTBF | Stratum 3/3E，1 至 220 MHz，±0.05 至 ±2.5 ppm，+105°C，耐温 |
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| >22 亿小时 MTBF | 超稳健的 Super-TCXO、XO、差分 XO、VCXO、DCXO、SSXO |
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 | >22 亿小时 MTBF | AEC-Q100 Super-TCXO、XO、差分 XO、SSXO，+125°C |
>10 亿小时 MTBF | 超小型 1.2 mm 2芯片级封装 (CSP)、低功耗 | |
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 | >22 亿小时 MTBF | 1 至 725 MHz，晶体谐振器更换，可靠性更高，+85°C |
| >4 亿小时 MTBF** | 具有集成 MEMS 谐振器的时钟片上系统产品 |
**新版本
比传统石英具有更好的可靠性平均故障间隔时间 (MTBF) 可预测设备的预期寿命。 MTBF 越高，设备越可靠。 SiTime 对数以万计的振荡器进行了压力测试，发现我们基于 MEMS 的振荡器非常可靠，其质量水平在半导体行业中名列前茅，比石英计时器件好几个数量级。 事实上，SiTime 计时设备保证永远运行。我们的终身保修体现了我们对生产最高质量和可靠性产品的承诺，旨在让您更有信心在您的应用中使用最可靠的计时组件。 * SiTime 振荡器的可靠性比同类石英器件高出 50 倍。 | Image
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• 技术论文：硅MEMS 振荡器的弹性和可靠性——了解在真实环境条件下对石英振荡器和MEMS 振荡器进行的比较实验。
• 技术论文： SiTime 的MEMS First™ 和EpiSeal™ 工艺——了解使SiTime MEMS 谐振器极其稳定、耐用和可靠的制造工艺。
• 应用指南： AN10025 SiTime 振荡器的可靠性计算– 了解 SiTime MEMS 振荡器的测试过程和预测 MTBF 的计算。
• 文档：质量报告——查找验证SiTime 产品所需的可靠性数据和其他信息。
• 白皮书：利用超稳健的MEMS 振荡器提高汽车可靠性和性能——了解汽车应用中的MEMS、硅MEMS 制造工艺、汽车制造的封装特性等。
