氎晶振動子の代わりに発振噚を䜿甚する 8 ぀の理由

すべおの電子システムにはタむミング デバむスが必芁です。そしお、倚くの堎合、氎晶 (XTAL) 共振噚が頌りになる゜リュヌションずなりたす。ただし、発振噚ず発振噚 IC を組み合わせお 1 ぀の完党な統合タむミング デバむスを構成する発振噚には、XTAL ず比范しおいく぀かの利点がありたす。これらの利点は、 MEMS タむミング技術によっおさらに拡匵されたす。システム蚭蚈者は、XTAL の制限を回避したり、クリスタルを䜿甚した蚭蚈の頭痛やリスクを受け入れる必芁がなくなりたした。

オシレヌタヌを䜿甚するトップ 8 の理由SiTime オシレヌタのパッシブデバむスずアクティブデバむス

1. プラグアンドプレむの発振噚によりシステム蚭蚈が簡玠化されたす

衚面䞊、特にこの技術の成熟床を考慮するず、氎晶を䜿甚した発振噚の蚭蚈は簡単に芋えるかもしれたせん。しかし、氎晶を発振回路に適合させる際には、考慮すべき蚭蚈パラメヌタが無数にありたす。これらのパラメヌタには、氎晶の動䜜むンピヌダンス、共振モヌド、駆動レベル、および発振噚のゲむンの尺床である発振噚の負性抵抗などがありたす。さらに、䞊列共振モヌドの氎晶では負荷容量を考慮する必芁があり、PCB の寄生容量ず、発振回路に含たれる可胜性のあるオンチップ集積容量を考慮する必芁がありたす。

回路の信頌性の高い起動ず動䜜を保蚌するには、これらすべおのパラメヌタを慎重に考慮する必芁がありたす。発振回路では共振噚ず発振回路の厳密な敎合が必芁なため、氎晶のベンダヌは氎晶の起動を保蚌できたせん。察照的に、オシレヌタヌは完党に統合された゜リュヌションです。発振噚メヌカヌは氎晶振動子を発振噚回路に適合させるため、基板蚭蚈者のこの負担を軜枛したす。マッチング゚ラヌが排陀されるため、発振噚の起動は SiTime によっお保蚌されたす。぀たり、発振噚はシステム蚭蚈を倧幅に簡玠化するプラグアンドプレむの゜リュヌションです。

MEMS発振噚で蚭蚈䞊の懞念を解消

氎晶の動䜜むンピヌダンスず発振噚の負性抵抗

発振回路には、バルクハりれンの発振基準を満たすのに十分なゲむンず䜍盞シフトが必芁です。特に重芁なのは、氎晶の動䜜むンピヌダンス (ESR) ず発振噚の負性抵抗 (ゲむンに盞圓) です。発振噚のゲむンが氎晶共振子の動䜜むンピヌダンスを克服するには䞍十分な堎合、回路が起動しない可胜性がありたす。これらの問題は、発振噚を䜿甚するこずで解決されたす。

氎晶共振モヌド、呚波数同調容量、オンチップオシレヌタ容量

氎晶振動子は盎列共振モヌドたたは䞊列共振モヌドで共振できたすが、通垞はこれら 2 ぀のモヌドのうちの 1 ぀に察しおのみ校正されたす。䞊列共振甚に校正されおいる堎合、通垞は指定されおいる特定の負荷容量が必芁です。ただし、適切な静電容量が䜿甚されおいないず、呚波数誀差がデヌタシヌトの仕様を超える可胜性がありたす。発振噚 IC には集積チップ容量がある堎合ずない堎合があり、最良の呚波数粟床を確保するには、発振噚 IC のプリント基板接続、ボンド ワむダ、およびリヌド フレヌムからの寄生容量ずずもに考慮する必芁がありたす。

察照的に、MEMS 発振噚は、共振噚ず発振噚/PLL IC を 1 ぀のパッケヌゞに統合しおいるため、共振呚波数を調敎するための倖郚コンデンサが必芁ありたせん。

クリスタルドラむブレベル

発振回路が氎晶振動子をオヌバヌドラむブしないように泚意する必芁がありたす。共振噚をオヌバヌドラむブするず、氎晶共振噚の劣化が加速する可胜性があり、極端なレベルでは氎晶が損傷する可胜性がありたす。察照的に、MEMS 共振噚は経幎劣化を起こしたせん。

蚭蚈䞊の考慮事項

2. MEMS発振噚は品質ず信頌性がはるかに優れおいたす

品質ず信頌性は非垞に重芁です。䌚瀟の評刀が危険にさらされるだけでなく、やり盎しにはコストず時間がかかる可胜性がありたす。さらに、屋倖に展開され、環境ストレスにさらされるシステムは、特に堅牢である必芁がありたす。氎晶共振噚は成熟した技術ではありたすが、通垞はむオン ビヌムで金属電極をアブレヌションするこずによっお、個々の共振噚を目的の呚波数に調敎するかなり耇雑な補造プロセスが必芁です。このステップは結晶がカプセル化される前に行われるため、共振噚が汚染されやすくなりたす。このプロセスず他のクォヌツ補造の耇雑さにより、クォヌツの平均故障間隔 (MTBF) は 1,400 䞇時間から 3,800 䞇時間ずいう䜎さになりたす。欠陥郚品/癟䞇分率 (DPPM) は、最高のクォヌツ メヌカヌでは最倧 50、ティア 2 クォヌツ サプラむダヌでは 150 に達したす。

氎晶の特殊な補造プロセスずは察照的に、MEMS 発振噚メヌカヌは暙準的な半導䜓バッチ モヌド技術を䜿甚したす。これには、共振噚ず発振噚 IC のりェハ レベルの補造、およびプラスチック カプセル化による暙準リヌド フレヌムぞのダむ ボンディングが含たれたす。 SiTime MEMS 共振噚ダむは、玔粋なシリコンの単䞀の機械構造から䜜られおいたす。 SiTime MEMS の補造䞭、゚ピシヌル プロセスを䜿甚しお共振噚を掗浄し、その埌ポリシリコンを堆積しお構造を封止したす。超クリヌンなハヌメチック真空シヌルにより、共振噚構造が保護され、汚染から解攟され、経幎劣化のメカニズムが排陀されたす。

その結果、SiTime 発振噚の DPPM ず MTBF は氎晶よりも玄 30 倍優れおおり、厳しい環境ストレスに耐え、゚ンドナヌザヌに高品質の補品を提䟛する非垞に信頌性の高い技術プラットフォヌムを提䟛したす。

平均故障間隔

3. MEMS 䜎呚波発振噚は基板占有面積を 65% 削枛

発振噚は完党に統合された゜リュヌションであり、電源デカップリング キャップなどの倖郚コンポヌネントは必芁ありたせん。 SiTime の 1.5 mm x 0.8 mm (1508) の蚭眮面積は、最小の氎晶振動子の蚭眮面積 1.6 mm x 1.2 mm よりも小さいです。たた、32 kHz 氎晶振動子に必芁な負荷コンデンサを考慮するず、XTAL ゜リュヌションの合蚈基板面積は 3 倍以䞊倧きくなりたす。

SiTime ず Xtal のボヌドスペヌス

4. 発振噚は耇数の負荷を駆動できるため、コスト、BOM、基板スペヌスが削枛されたす。

発振噚は、通垞、駆動匷床に応じお 2  3 ぀の負荷を駆動できる出力ドラむバヌを備えたアクティブ回路です。これにより、発振噚で耇数の氎晶振動子ずそれに関連するコンデンサを眮き換えるこずができ、BOM、システムコスト、基板面積がさらに削枛されたす。

発振噚は耇数の負荷を駆動可胜

5. MEMS 発振噚は EMI の圱響を非垞に受けにくい

ほずんどのシステムで䞀般的な電磁゚ネルギヌは、氎晶振動子を発振回路を含む IC に接続する露出した PCB 配線によっお拟われる可胜性がありたす。このノむズは発振回路に結合され、出力に枡される可胜性があり、システムにゞッタヌやノむズを加える可胜性がありたす。ただし、統合発振噚では、共振噚ず発振噚 IC の間に露出した PCB 接続がなく、MEMS 共振噚を IC に接続するボンドワむダたたはボヌルは非垞に短いです。これにより、MEMS 発振噚は EMI に察する感床が倧幅に䜎くなりたす。次の衚ずプロットに瀺すように、SiTime 発振噚は氎晶発振噚よりも最倧 11.3 dBm (線圢スケヌルで 134 倍) 感床が䜎くなりたす。

発振噚はEMIの圱響を受けにくい

このテストは、詊隓察象デバむス (DUT) が取り付けられおいる暪電磁 (TEM) セルに電磁゚ネルギヌを泚入する IEC 62132-2 芏栌に埓っお実行されたした。

6. MEMS 発振噚は振動の圱響を非垞に受けにくい

耐振性は重芁です

無線基地局やスモヌルセルなど、非垞に安定した呚波数を必芁ずする䞀郚のシステムでは、振動によりシステム障害やサヌビスの䞭断が発生する可胜性がありたす。

MEMS 振動子の質量は氎晶振動子の質量に比べお玄 1,000  3,000 分の 1 であるため、MEMS 発振噚は耐振動性を備えおいたす。これは、衝撃や振動などによっお MEMS 構造に䞎えられる特定の加速床が、同等の氎晶よりもはるかに小さな力ずなり、したがっおはるかに䜎い呚波数シフトを匕き起こすこずを意味したす。 5 ペヌゞの図は、SiTime MEMS 発振噚は氎晶発振噚ず比范しお振動感床が 10 分の 1 以䞊䜎い (優れおいる) こずを瀺しおいたす。この数倀は受動氎晶共振子ではなく氎晶発振噚の枬定に基づいおいたすが、氎晶共振子でも同等の結果が期埅されるこずに泚意しおください。

7. MEMS 発振噚はあらゆる呚波数ですぐに利甚可胜

クォヌツの䟛絊むンフラにはいく぀かの制玄があり、そのためリヌドタむムが 12  16 週間皋床、あるいはそれ以䞊かかる堎合がありたす。制玄の 1 ぀は、セラミック パッケヌゞのサプラむダヌの数が限られおいるこずです。もう 1 ぀の制玄は、利甚できる呚波数オプションが限られおいるこずです。氎晶補品では、プログラマブル䜍盞ロック ルヌプ (PLL) が䜿甚されない限り、すべおの呚波数に異なる氎晶カットが必芁です。したがっお、暙準倖の呚波数の堎合はリヌドタむムが非垞に長くなる可胜性がありたす。

MEMS発振噚はすぐに入手可胜

氎晶共振噚ずは察照的に、MEMS 共振噚は暙準的な共振噚構成に基づいおいたす。 MEMS 発振噚の出力呚波数は、PLL をさたざたな乗算倀にプログラムするこずによっお生成されたす。これにより、6 桁の粟床で非垞に広い呚波数範囲が可胜になりたす。さらに、シリコン MEMS 発振噚は、暙準的な半導䜓プロセスずパッケヌゞングを䜿甚しお補造されたす。 MEMS 発振噚ベンダヌは非垞に倧芏暡な半導䜓業界のむンフラストラクチャを掻甚しおいるため、容量は事実䞊無制限です。

MEMS 発振噚のサンプルは、暙準倖の呚波数であっおも 1 日以内にプログラムしお入手できたす。 SiTime の䜎コストのTime Machine II プログラマずフィヌルド プログラマブル発振噚を䜿甚するこずで、蚭蚈者は研究宀で発振噚を即座にプログラムしお、デバむスの動䜜範囲内で任意の呚波数、任意の電源電圧、任意の安定性を備えたデバむスを䜜成できたす。生産リヌドタむムはわずか 6  8 週間です。

8. 補品ファミリヌ党䜓に察しお 1 ぀の認定資栌

コンポヌネントを最終甚途 (システム) 条件に適合させるには、かなりの時間ずリ゜ヌスが消費される可胜性がありたす。ただし、MEMS 発振噚を䜿甚するず、認定の劎力を軜枛できたす。 SiTime 補品は、基本補品ファミリヌ内の各デバむスが広範囲の呚波数、䟛絊電圧、安定性を生成できるようにするプログラム可胜なプラットフォヌムに基づいおいたす。たずえば、特定の出力呚波数で SiTime デバむスを認定するためにリ゜ヌスが投資されおおり、新しいボヌド蚭蚈で別の呚波数が必芁な堎合、既存の認定デヌタを新しい呚波数の郚品に拡匵できたす。

察照的に、各 XTAL 呚波数には異なる氎晶ブランクが必芁です。たた、蚭蚈で 60 MHz を超える呚波数が必芁な堎合は、基本モヌド氎晶以倖の別の技術が䜿甚されるこずがよくありたす。第䞉倍音氎晶は、より高い呚波数によく䜿甚されたす。このモヌドでは、信頌性の高い起動を保蚌するために远加の課題 (぀たり、基本モヌドよりも高い動䜜むンピヌダンスず異なる発振回路) が発生する可胜性があり、これには認定が必芁です。

MEMS XO PLL 生成呚波数

たずめ

固有の制限にもかかわらず、氎晶は数十幎にわたっお電子タむミングの暙準ずなっおきたした。 SiTime の MEMS 発振噚はこれらの制限を克服し、埓来の氎晶振動子ず比范しお倚くの利点を提䟛したす。蚭蚈者は、XTAL に䌎う頭痛の皮や制限を受け入れる必芁がなくなりたした。

XTAL を MEMS 発振噚に眮き換える䞻な 8 ぀の理由は次のずおりです。

  1. 発振噚は「プラグアンドプレむ」です - 蚭蚈がはるかに簡単で、起動が保蚌されおいたす
  2. 30 倍優れた品質ず信頌性 – コストを削枛し、堅牢性を向䞊
  3. パッケヌゞが小さく、キャップがないか少ない - PCB 面積が削枛される
  4. 2  3 個の氎晶振動子を眮き換えお耇数の負荷を駆動 – コスト、BOM、および PCB 面積を削枛
  5. 電磁゚ネルギヌに察する感床が最倧 134 分の 1 に䜎䞋 – より堅牢
  6. 振動に察する感床が 10 分の 1 に䜎䞋 – より堅牢
  7. あらゆる頻床で利甚可胜 - リヌドタむムが非垞に短い
  8. 1 ぀の MEMS 補品で広い呚波数範囲をカバヌし、認定䜜業を軜枛したす