SiTime の Epoch Platform™ MEMS OCXOファミリーの一員である SiT5802 は、実際の環境でクラス最高の時間精度を実現し、サービスの継続性を最大限に高めます。長年の水晶OCXO の問題を解決するように設計された Epoch Platform OCXO は、熱衝撃、気流、振動に強いです。SiT5802 は、保護カバーが不要になる優れた環境耐性に加え、体積が 25 分の 1、消費電力が 3 分の 1 であるため、設計プロセスを簡素化および迅速化できます。SiTime のシリコン製造プロセスは、最高の品質と短いリードタイムを保証し、堅牢なサプライ チェーンを実現します。
SiT5802 は、業界最小の OCXO (9 mm x 7 mm) で、±3 ppb の温度安定性、±0.02 ppb/°C の標準周波数勾配 (dF/dT)、および最大 8 時間のホールドオーバーを提供します。このクラスで初めて、-40°C ~ 95°C の広い温度範囲を提供する OCXO です。
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"スペック" | "値" |
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Frequency | 60 to 220 MHz |
Frequency Stability (ppm) | ±0.003 (±3 ppb), ±0.005 (±5 ppb) |
Operating Temperature Range (°C) | -20 to 70, -40 to 85, -40 to 95 |
Package Type (mm²) | 9.0 x 7.0 |
Oscillator Type | OCXO |
Voltage Supply (V) | 2.5, 2.8, 3.3 |
Features | 8-Hour Holdover, ±20 ppt/°C frequency slope, 4E-12 HDEV at 10 seconds, 460 mW steady state power consumption |
Availability | Pre-Production Sampling |
-
Epoch OCXO package 9.0x7.0
実際の条件下での 8 時間のホールドオーバーにより、サービスの継続性が 2 倍向上
- ±0.3 ppb/日老化
- ITU-T推奨プロファイルと1m/sの気流で8°Cの温度変化を含む
気流下、急速な温度上昇下でも優れた動的安定性
- -40~95℃で±3~±5ppbの温度安定性
- ±0.02 ppb/°C 周波数勾配 (ΔF/ΔT) - 過酷な環境における通信およびネットワーク機器のシステムレベルのサービス品質を保証します。
- 4E-12 HDEV(平均時間10秒)
コンパクトなエッジおよびデータセンターデバイス向けに、消費電力を 3 分の 1、体積を 25 分の 1 に削減
- 標準消費電力460mW(3.3V)
- 堅牢な9.0 x 7.0 x 3.6 mmパッケージ
振動下でも位相ノイズが最良
- 振動の多い環境でも通話やリンクの切断を最小限に抑えます
アクティビティディップやマイクロジャンプなし
- コストのかかるスクリーニングやバーンインテストが不要
優れたPSNRを実現するオンチップ電源ノイズフィルタリング
OCXO専用のLDOを排除することでBOMを削減
LVCMOSまたはクリップされた正弦波出力
- EMIとジッターのバランスを最適化
豊富なプログラム可能な機能
- 60~220MHzの任意の周波数
- 2.5、2.8、3.3V電源オプション
I2CとSPIによるデジタル周波数チューニング
- ±3.125~±400 ppmの広いプル範囲
- 5E-14周波数プル解像度
- ボードノイズによる周波数シフトを排除
優れた信頼性 - クロックコンポーネントによる現場での故障や修理コストを削減
- 10億時間のMTBF
- 一生保証
- 5Gインフラ
- 4G / 5G RRH、DU
- ITU-T G.8273.2 クラス D
- スモールセル
- データセンターのスイッチとルーター
- コアルーターとエッジルーター
- 光トランスポート (OTN、OLT など)
- タイミングサーバー
- テストと測定
- IEEE 1588 境界クロックとグランドマスター
- SONET/SDH ストラタム 3E
- GNSS 規律あるタイミング モジュール
周波数勾配 (dF/dT) 計算機 – 温度による周波数勾配を計算する
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