SiT5811

実際の状況での 12 時間のホールドオーバーにより、サービス継続性が 2 倍向上

• ±0.1 ppb/日の老化
• ITU-T 推奨プロファイルおよび 1 m/s の気流による 8°C の温度変化を含む

空気の流れ、速い温度下での優れた動的安定性。ランプ

• ±1 ppb の過温度-40℃から95℃までの安定性
• ±0.01 ppb/°C の周波数勾配 (ΔF/ΔT) -- 過酷な環境における通信およびネットワーク機器のシステムレベルのサービス品質を保証します
• 4E-12 HDEV、10 秒の平均時間

コンパクトなエッジおよびデータセンター デバイス向けに 3 分の 1 の消費電力と 25 分の 1 の体積を実現

• 420mW（標準消費電力）（3.3V）
• 堅牢な 9.0 x 7.0 x 3.6 mm パッケージ

振動下での最良の位相雑音

• 高振動環境での通話やリンクの切断を最小限に抑えます。

アクティビティの低下やマイクロジャンプがない

• コストのかかるスクリーニングやバーンイン テストの必要性を排除します。

優れた PSNR を実現するオンチップ電源ノイズ フィルタリング

• OCXO専用のLDOを排除することでBOMを削減

LVCMOS またはクリップされた正弦波出力

• EMIとジッターの間の最適なバランスを実現するように最適化します。

豊富なプログラム可能な機能

• 10 ～ 60 MHz の任意の周波数
• 2.5、2.8、3.3V 電源オプション

I2C および SPI によるデジタル周波数調整

• ±3.125 ～ ±400 ppm の広いプル範囲
• 5E-14 周波数プル分解能
• 基板ノイズによる周波数シフトを除去

優れた信頼性 – クロックコンポーネントに起因する現場での故障と修理コストを削減します。

• 10億時間のMTBF
• 一生保証