10~60 MHz、12時間ホールドオーバーOCXO

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Pre-Production Sampling

SiTimeのEpoch Platform™ MEMS OCXOファミリーの一員であるSiT5811は、実環境下においてクラス最高の時刻精度を実現し、サービス継続性を最大限に高めます。水晶OCXOの長年の課題を解決するために設計されたEpoch Platform OCXOは、熱衝撃、気流、振動に対する耐性を備えています。SiT5811は、体積比で25分の1、消費電力で3分の1を実現し、設計プロセスを簡素化・迅速化します。さらに、優れた耐環境性により保護カバーが不要になります。SiTimeのシリコン製造プロセスは、最高の品質と短いリードタイムを実現し、堅牢なサプライチェーンを実現します。

SiT5811は、業界最小のOCXO(9 mm x 7 mm)で、±1 ppbの温度安定性、±0.01 ppb/°Cの標準周波数勾配(dF/dT)、そして最大12時間のタイムホールドオーバーを実現します。同クラスで初めて、-40°Cから95°Cという広い温度範囲に対応するOCXOです。

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Epoch OCXO package 9.0x7.0
"スペック" "値"
Frequency 10 to 60 MHz
Frequency Stability (ppm) ±0.001 (±1 ppb)
Operating Temperature Range (°C) -20 to 70, -40 to 85, -40 to 95
Package Type (mm²) 9.0 x 7.0
Oscillator Type OCXO
Voltage Supply (V) 2.5, 2.8, 3.3
Features 12-Hour Holdover, ±10 ppt/°C frequency slope, 4E-12 HDEV at 10 seconds, 420 mW steady state power consumption
Availability Pre-Production Sampling

実際の条件下での12時間のホールドオーバーにより、サービス継続性が2倍向上

  • ±0.1 ppb/日老化
  • ITU-T推奨プロファイルと1m/sの気流で8°Cの温度変化を含む

気流下、急速な温度上昇下でも優れた動的安定性

  • -40~95℃の温度範囲で±1ppbの安定性
  • ±0.01 ppb/°C 周波数勾配 (ΔF/ΔT) - 過酷な環境における通信およびネットワーク機器のシステムレベルのサービス品質を保証します。
  • 平均時間10秒で4E-12 HDEV

コンパクトなエッジおよびデータセンターデバイス向けに、消費電力を 3 分の 1、体積を 25 分の 1 に削減

  • 標準消費電力420 mW(3.3V)
  • 堅牢な9.0 x 7.0 x 3.6 mmパッケージ

振動下でも位相ノイズが最良

  • 振動の多い環境でも通話やリンクの切断を最小限に抑えます

アクティビティディップやマイクロジャンプは禁止

  • コストのかかるスクリーニングやバーンインテストが不要になります

優れたPSNRを実現するオンチップ電源ノイズフィルタリング

  • OCXO専用のLDOを排除することでBOMを削減

LVCMOSまたはクリップされた正弦波出力

  • EMIとジッターのバランスを最適化

豊富なプログラム可能な機能

  • 10~60MHzの任意の周波数
  • 2.5、2.8、3.3V電源オプション

I2CとSPIによるデジタル周波数チューニング

  • ±3.125~±400 ppmの広い引張範囲
  • 5E-14周波数プル解像度
  • ボードノイズによる周波数シフトを排除

優れた信頼性 - クロックコンポーネントによる現場での故障や修理コストを削減

  • 10億時間のMTBF
  • 生涯保証
  • 5Gインフラ
  • 4G / 5G RRH、DU
  • ITU-T G.8273.2 クラス D
  • スモールセル
  • データセンターのスイッチとルーター
  • コアルーターとエッジルーター
  • 光トランスポート (OTN、OLT など)
  • タイミングサーバー
  • テストと測定
  • IEEE 1588 境界クロックとグランドマスター
  • SONET/SDH ストラタム 3E
  • GNSS 規律あるタイミング モジュール

周波数勾配(dF/dT)計算機  – 温度に対する周波数勾配を計算する

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