SiT8009

115~137 MHz、低電力発振器

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SiT8009B は、LVCMOS/HCMOS 互換出力を備えた低電力、高周波発振器です。標準消費電力量は 4.9 mA (1.8 V 時) で、パフォーマンスを犠牲にすることなく、より環境に優しい電子機器を実現します。ポータブル、民生、産業用アプリケーション向けに、低消費電力、優れた安定性、柔軟な動作電圧、小型サイズ、短いリードタイムの​​完璧な組み合わせを提供します。

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Industry standard footprints in small 2016 & 2520 packages for all frequencies, voltages, and stabilities
"スペック" "値"
Frequency 115 to 137 MHz
Frequency Stability (ppm) ±20, ±25, ±50
Operating Temperature Range (°C) -20 to +70, -40 to +85
Package Type (mm²) 2.0x1.6, 2.5x2.0, 3.2x2.5, 5.0x3.2, 7.0x5.0
Oscillator Type XO-SE
Phase Jitter (rms) 1.3 ps
FlexEdgeTM Rise/Fall Time Yes
Voltage Supply (V) 1.8, 2.5 to 3.3
Features Field programmable
Availability Production

設定可能な機能セット

  • 115~137 MHz の任意の周波数を小数点以下 6 桁の精度で測定
  • ±20 ppmから±50 ppmまでの安定性
  • 工業用または拡張商業用温度。
  • 1.8 Vおよび2.5 V~3.3 Vの電源電圧
  • 最適なシステムパフォーマンスのために仕様をカスタマイズ
  • 多くの設計に同じベースデバイスを使用し、認定要件を削減

あらゆる高周波発振器の中で最も低い消費電力

  • 5.5 mA 標準アクティブ電流 (1.8 V)
  • 1 µA 標準スタンバイ電流 (1.8 V):
  • バッテリー寿命を延ばす
  • より環境に優しい電子機器を実現します。

すべての周波数、電圧、安定性に対応する小型の2016および2520パッケージ

  • パフォーマンスと可用性を損なうことなくボードスペースを節約

FlexEdge™ 設定可能なドライブ強度

  • 発振器からのEMIを最小限に抑える遅い立ち上がり/立ち下がり時間
  • 複数の負荷を駆動し、追加のタイミング コンポーネントを排除することでコストを節約します。

超高速リードタイム(4~6週間)

  • 在庫経費を削減
  • 不足リスクを軽減する

  • GPON
  • エポン
  • イーサネット
  • SATA/SAS
  • ストレージサーバーとSSD
  • PCI
  • PCIe
  • DDR
  • CPEおよびホームゲートウェイ
  • セキュリティアプライアンス
  • データセンター
  • ファクトリーオートメーション
  • 商用セキュリティ
  • スマートメーター
  • テストと測定
  • 小売用電子機器
  • ワイヤレス充電器
  • 家電
  • ホームエンターテイメント
  • AR/VR

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