データセンターでは、帯域幅の需要増大に対応するために、より高速なリンクを導入しています。これにより、トランシーバーのタイミング マージンがさらに重要になると同時に、フォーム ファクタが縮小し、動作環境が高密度化、高温化しています。
SiTime の高精度タイミング ソリューションは、400Gbps 以上の高速リンクに最適です。これらの MEMS ベースのデバイスは、小型パッケージで厳しいジッタ要件を満たし、温度過渡現象、電源ノイズ、その他の環境危険に対する優れた耐性を備えています。
完全なMEMSクロックツリー低ジッタ差動MEMS XO 低ジッタクロックジェネレータ |
実際の条件下でより堅牢105°C、気流と熱に耐性 電源ノイズに対する耐性 周波数安定性と信頼性の向上 |
小型で使いやすい小さなフットプリント カードの裏に収まる厚さ1mm以下 クォーツの信頼性の問題なし |
| デバイス | 主な特徴 | 重要な価値 |
|---|---|---|
|
差動発振器
|
|
|
|
クロックジェネレータ
SiT91211 [2] 1～750MHz、
200 fsの統合位相ジッタ[1] SiT91213 [2] 1～750MHz、
90 fs積分位相ジッタ[1] |
|
|
[1] 12kHz～20MHzの積分範囲。 [2]入手性についてはSiTimeにお問い合わせください。
データセンターでは、高密度のラックベース サーバーでユーザー アプリケーションの負荷が増大して生成されるデータ トラフィックを維持するために、極めて信頼性の高い 200 Gbps、400 Gbps 以上のスループット リンクが必要です。PAM4 は、パルス振幅変調 4 レベルを表します。これは、高速の 400 Gbps および 800 Gbps リンクを可能にする重要なテクノロジです。
イーサネット帯域幅の需要の増加により、ネットワーク インフラストラクチャ ベンダーとデータセンター ベンダーは、イーサネット経由の高速化を目指しています。データセンターのルーター、スイッチ、イーサネット リンクなどのほとんどのネットワーク インフラストラクチャでは、400 Gbps リンクが導入されており、すでに 800 Gbps リンクの計画が進められています。
高速イーサネット リンク (10Gbps 以上) により、PAM4 の採用に向けた動きが始まりました。しかし、400Gbps および 800Gbps の速度は PAM4 なしでは実現できません。信号トレースの許容範囲が狭くなる PCB 製造技術の進歩により、高速 SERDES リンク (56G および 112G) に PAM4 を導入できるようになり、レーザー技術の向上により、光ファイバー リンクに PAM4 を導入できるようになりました。
通信インフラベンダーは、ストリーミング コンテンツ プロバイダーからのデータ帯域幅の増加に対する要求を満たすために、SiTime の MEMS ベースの発振器とクロック製品に依存しています。
超低位相ノイズ、156.25 MHz |
超低位相ノイズ、644.53125 MHz |
|---|---|
|
Image
|
Image
|
優れた安定性 |
優れたPSNR（電源ノイズ除去） |
|---|---|
|
Image
|
Image
|
より高い信頼性 |
最小パッケージ |
|---|---|
|
Image
|
Image
|
