PAM4高速リンク向けMEMSタイミング
デバイス | 主な特徴 | 主要な値 |
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差動発振器 |
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クロックジェネレータ SiT91211 [2] 1~750MHz、 200 fs積分位相ジッタ[1] SiT91213 [2] 1~750MHz、 90 fs積分位相ジッタ[1] |
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[1] 12kHz~20MHzの積分範囲。 [2]在庫状況についてはSiTimeにお問い合わせください。
データセンターでは、増大する帯域幅需要に対応するため、より高スループットのリンクを導入しています。これにより、トランシーバーのタイミングマージンの重要性が増しています。同時に、フォームファクタは縮小し、動作環境はより高密度かつ高温になっています。
SiTimeの高精度タイミングソリューションは、400Gbps以上の高速リンクに最適です。これらのMEMSベースデバイスは、小型フットプリントで厳しいジッタ要件を満たし、温度過渡、電源ノイズ、その他の環境要因に対する優れた耐性を備えています。
完全なMEMSクロックツリー低ジッタ差動MEMS XO 低ジッタクロックジェネレータ | 実世界の条件でより堅牢105°C、気流と熱に耐性あり 電源ノイズに対する耐性 周波数安定性と信頼性の向上 | 小型で使いやすい小さなフットプリント カードの裏に収まる厚さ1mm以下 水晶の信頼性の問題なし |
デバイス | 主な特徴 | 主要な値 |
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差動発振器 |
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クロックジェネレータ SiT91211 [2] 1~750MHz、 200 fs積分位相ジッタ[1] SiT91213 [2] 1~750MHz、 90 fs積分位相ジッタ[1] |
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[1] 12kHz~20MHzの積分範囲。 [2]在庫状況についてはSiTimeにお問い合わせください。
データセンターでは、高密度のラックベースサーバーにおけるユーザーアプリケーション負荷の増加によって発生するデータトラフィックに対応するため、極めて信頼性の高い200Gbps、400Gbps、あるいはそれ以上のスループットを実現するリンクが必要です。PAM4は、4レベルパルス振幅変調(Pulse Amplitude Modulation, 4-Level)の略です。これは、400Gbpsおよび800Gbpsの高速リンクを実現する重要な技術です。
イーサネット帯域幅の需要増加により、ネットワークインフラベンダーとデータセンターベンダーは、イーサネットの高速化を目指しています。ルーター、スイッチ、データセンターのイーサネットリンクなど、ほとんどのネットワークインフラは400Gbpsのリンクを導入しており、既に800Gbpsのリンクの導入を計画しています。
高速イーサネットリンク(10Gbps以上)がPAM4採用への動きのきっかけとなりましたが、400Gbpsや800Gbpsの速度はPAM4なしでは実現できません。PCB製造技術の進歩により信号トレースの許容誤差が縮小されたことで、高速SERDESリンク(56Gおよび112G)にPAM4を導入できるようになり、レーザー技術の向上により光ファイバーリンクにもPAM4を導入できるようになりました。
通信インフラベンダーは、ストリーミング コンテンツ プロバイダーからのデータ帯域幅の増加に対する要求を満たすために、SiTime の MEMS ベースの発振器とクロック製品に依存しています。
超低位相ノイズ、156.25 MHz | 超低位相ノイズ、644.53125 MHz |
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優れた安定性 | 優れたPSNR(電源ノイズ除去比) |
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より高い信頼性 | 最小パッケージ |
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