SiT8209 は、通信、ネットワーク、ストレージ、ワイヤレス アプリケーション向けの高周波、高性能発振器です。業界初の MEMS 発振器で、500 フェムト秒の標準統合 RMS 位相ジッタ (12 kHz ~ 20 MHz) と、すべての温度範囲にわたる ±10 ppm の周波数安定性を実現します。このデバイスは、80 ~ 220 MHz の任意の周波数など、構成可能な機能が豊富に用意されており、非常に短いリード タイムで入手できるため、市場投入までの時間が短縮されます。EMI を低減する FlexEdge™ テクノロジーにより、SiT8209 はシステム パフォーマンスを向上させます。SiT8209 は、従来の水晶、SAW、オーバートーン発振器とフットプリントフットプリント性があり、ボードを変更することなくこれらのデバイスを置き換えることができます。

"スペック" | "値" |
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Frequency | 80 to 220 MHz |
Frequency Stability (ppm) | ±10, ±20, ±25, ±50 |
Operating Temperature Range (°C) | -20 to +70, -40 to +85 |
Package Type (mm²) | 2.5x2.0, 3.2x2.5, 5.0x3.2, 7.0x5.0 |
Oscillator Type | XO-SE |
Phase Jitter (rms) | 0.5 ps |
FlexEdgeTM Rise/Fall Time | Yes |
Voltage Supply (V) | 1.8, 2.5 to 3.3 |
Features | Field programmable, Low jitter |
Availability | Production |
-
Image: SiT8209 4-pin package, top & bottom
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SiT8209 pin assignments
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Phase Noise, 156.25 MHz, 3.3V, LVCMOS Output
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Configurable FlexEdge drive strength reduces EMI by slowing rise/fall time – for example the 11th clock harmonic is reduced by 35 dB by increasing the rise/fall edge from 5% to 45% of the period
<1 ps RMS 統合位相ジッタ (12 kHz ~ 20 MHz)
- SONETなどの最も厳しいアプリケーションでも優れたジッタマージンを実現
優れた周波数安定性、最小±10 ppm
- システムの安定性と堅牢性を高めるタイミングマージンの向上
広範なプログラミング機能
- 周波数は80.000001から220まで
- 供給電圧 1.8 V; 2.5 V ~ 3.3 V
- 周波数安定性 ±10 ppm ~ ±50 ppm
- 最適なシステムパフォーマンスを実現するカスタマイズされた仕様
- 動作範囲内のあらゆるデバイス仕様を簡単に利用可能
FlexEdgeテクノロジーを使用した構成可能なドライブ強度
- 発振器からのEMIを最小限に抑える遅い立ち上がり/立ち下がり時間
- 複数の負荷を駆動し、追加のタイミングコンポーネントを排除することでコストを節約します。
3つの業界標準パッケージ
- 設計変更なしで水晶VCXOの100%代替品
4~6週間のリードタイム
- 在庫経費を削減
- 不足リスクを軽減する
- コンピュータサーバー
- データセンター
- RAIDコントローラー
- ルーター
- スイッチ
- 通信機器
- SATA/SAS
- ファイバーチャネル
- ソネット
- 10Gイーサネット
- DDR
- SiT8209 (3.3 V E) IBIS Model
- SiT8209 (3.3 V R) IBIS Model
- SiT8209 (3.3 V S) IBIS Model
- SiT8209 (3.3 V D) IBIS Model
- SiT8209 (3.3 V Q) IBIS Model
- SiT8209 (3.3 V P) IBIS Model
- SiT8209 (3.3 V G) IBIS Model
- SiT8209 (3.3 V T) IBIS Model
- SiT8209 (3.3 V DFLT) IBIS Model
- SiT8209 (3.3 V B) IBIS Model
- SiT8209 (3.3 V U) IBIS Model
- SiT8209 (3.3 V W) IBIS Model
- SiT8209 (3.3 V A) IBIS Model
- SiT8209 (3.3 V L) IBIS Model
- SiT8209 (3.3 V M) IBIS Model
- SiT8209 (3.3 V Z) IBIS Model
- SiT8209 (3.3 V X) IBIS Model
- SiT8209 (3.3 V N) IBIS Model
- SiT8209 (3.3 V Y) IBIS Model
- SiT8209 (3.3 V K) IBIS Model
- SiT8209 (1.8 V K) IBIS Model
- SiT8209 (1.8 V M) IBIS Model
- SiT8209 (1.8 V L) IBIS Model
- SiT8209 (1.8 V Y) IBIS Model
- SiT8209 (1.8 V N) IBIS Model
- SiT8209 (1.8 V X) IBIS Model
- SiT8209 (1.8 V DFLT) IBIS Model
- SiT8209 (1.8 V U) IBIS Model
- SiT8209 (1.8 V B) IBIS Model
- SiT8209 (1.8 V T) IBIS Model
- SiT8209 (1.8 V A) IBIS Model
- SiT8209 (1.8 V W) IBIS Model
- SiT8209 (1.8 V D) IBIS Model
- SiT8209 (1.8 V S) IBIS Model
- SiT8209 (1.8 V R) IBIS Model
- SiT8209 (1.8 V E) IBIS Model
- SiT8209 (1.8 V G) IBIS Model
- SiT8209 (1.8 V P) IBIS Model
- SiT8209 (1.8 V Q) IBIS Model
- SiT8209 (1.8 V F) IBIS Model
- SiT8209 (2.8 V K) IBIS Model
- SiT8209 (2.8 V Y) IBIS Model
- SiT8209 (2.8 V N) IBIS Model
- SiT8209 (2.8 V X) IBIS Model
- SiT8209 (2.8 V Z) IBIS Model
- SiT8209 (2.8 V M) IBIS Model
- SiT8209 (2.8 V L) IBIS Model
- SiT8209 (2.8 V A) IBIS Model
- SiT8209 (2.8 V W) IBIS Model
- SiT8209 (2.8 V U) IBIS Model
- SiT8209 (2.8 V B) IBIS Model
- SiT8209 (2.8 V DFLT) IBIS Model
- SiT8209 (2.8 V T) IBIS Model
- SiT8209 (2.8 V P) IBIS Model
- SiT8209 (2.8 V Q) IBIS Model
- SiT8209 (2.8 V F) IBIS Model
- SiT8209 (2.8 V D) IBIS Model
- SiT8209 (2.8 V S) IBIS Model
- SiT8209 (2.8 V R) IBIS Model
- SiT8209 (2.8 V E) IBIS Model
- SiT8209 (2.5 V F) IBIS Model
- SiT8209 (2.5 V Q) IBIS Model
- SiT8209 (2.5 V P) IBIS Model
- SiT8209 (2.5 V E) IBIS Model
- SiT8209 (2.5 V R) IBIS Model
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周波数勾配 (dF/dT) 計算機 – 温度による周波数勾配を計算する
ジッター計算機とプロット – 位相ノイズを位相ジッタに変換し、位相ノイズプロットを見つける
Time Machine II プログラマー– 周波数、電圧、安定性などをプログラム
2724 4ピン| 3225 4ピン| 5032 4ピン| 7050 4ピン– QFN 3Dステップモデルによるパッケージのプレビュー
Resource Name | Resource Type | Date | Format | Size |
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Qty: | Unit Price | Total |
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199 | --- | |
100-499 | --- | |
500-999 | --- | |
1,000-4,999 | --- | |
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