5G ネットワークの導入により、通信の大幅な進歩が可能になり、帯域幅は 10 倍に増加し、遅延は 50 分の 1 に短縮されます。このような大幅な改善を達成するために、データセンターで使用されるデバイスやコンポーネントを含むさまざまなテクノロジーが急速に開発されていると EE Web は説明します。
一例としては、光トランシーバが挙げられます。光トランシーバは、データセンター内で光ファイバを介して送信されたデータを接続し、電気信号に変換する役割を果たします。
データトラフィックの膨大な増加に対応するため、光モジュールの伝送速度は2倍、場合によっては4倍になっています。 2020 年には、通常、データ レート 100 Gbps のモジュールが使用されるようになります。ただし、400 Gbps モジュールの使用が急速に増加しており、現在 800 Gbps モジュールが開発中です。より大容量の 400 Gbps および 800 Gbps ネットワークでは、光モジュールとそれに含まれる発振器に対する要求が高くなります。これらのデバイスは、以前のものよりも高密度の設計、より低いビットあたりの電力、より厳しいジッターによる優れた機能を備えている必要があります。
光モジュールは、フロントホールからバックホールに至るまで、光バックボーン上のあらゆる点で、メトロ ネットワークやデータ センターで必要とされる高速データ レートのトランシーバーとともに使用されます。