SiT5711

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1 bis 60 MHz, Stratum 3E OCXO

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Der SiT5711 ist der branchenweit kleinste Stratum 3E OCXO mit einer Frequenzstabilität von ±5 ppb und einer Frequenzsteilheit von 40 ppt/°C (ΔF/ΔT). Dieses Gerät wurde entwickelt, um die beste dynamische Leistung zu bieten. Durch die Nutzung der einzigartigen DualMEMS™- und TurboCompensation™-Temperaturerfassungstechnologie von SiTime liefert dieser OCXO das stabilste Timing bei Umgebungseinflüssen wie Luftstrom, Temperaturschwankungen, Vibrationen, Stößen und elektromagnetischen Störungen (EMI).

Die Umweltrobustheit des SiT5711 ermöglicht eine unübertroffene Benutzerfreundlichkeit und vereinfacht das Systemdesign:

  • Kann überall auf der Leiterplatte platziert werden
  • Zur thermischen Isolierung ist keine mechanische Abdeckung oder Abschirmung erforderlich
  • Keine externen Regler erforderlich
  • Für Umgebungen mit hoher Luftfeuchtigkeit ist keine zusätzliche Abdichtung erforderlich

Der SiT5711 kann werkseitig auf jede Frequenz zwischen 1 und 60 MHz programmiert werden und das 9 x 7 mm große Gehäuse ist der kleinste verfügbare Stratum 3E OCXO.

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Datenblatt
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9x7mm MEMS OCXO 10-pin package (top & bottom view)
"Spezifikationen" "Value"
Frequency 1 to 60 MHz
Frequency Stability (ppm) ±0.005 (±5 ppb), ±0.008 (±8 ppb)
Operating Temperature Range (°C) -20 to +70, -40 to +85
Package Type (mm²) 9.0 x 7.0
Oscillator Type OCXO
Voltage Supply (V) 3.3
Features Frequency Slope: ±40 ppt/°C; Contact SiTime for ±3 ppb stability; Contact SiTime for -40° to 105°C;
Availability Not recommended for new designs
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Replacement Part SiT5801
  • 9x7mm MEMS OCXO 10-pin package (top & bottom view)
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    9x7mm MEMS OCXO 10-pin package (top & bottom view)

10-mal bessere dynamische Stabilität bei Luftstrom und hohen Temperaturen. Rampe sorgt für beste Systemleistung in rauen Umgebungen

  • ±5 oder ±8 ppb Übertemperatur. Stabilität
  • 2e-11 ADEV bei 10 Sek. unter Luftstrom
  • ±40 ppt/°C Frequenzsteigung (ΔF/ΔT)

Unübertroffene Benutzerfreundlichkeit, vereinfachtes Systemdesign

  • Keine Einschränkungen bei der Leiterplattenplatzierung
  • Zur thermischen Isolierung ist keine mechanische Abschirmung erforderlich
  • Beständig gegen Feuchtigkeit
  • On-Chip-Regler, keine Notwendigkeit für externe LDOs oder Ferritperlen

Kleinste Größe, ideal für Systeme mit hoher Dichte und kleinem Formfaktor

  • 9 x 7 mm Stellfläche, 75 % kleiner
  • 6,5 mm Höhe, 40 % dünner

Höhere Zuverlässigkeit und Robustheit

  • 20-mal bessere Vibrationsfestigkeit, ideal für an Masten montierte Geräte im Freien
  • Beständig gegen Mikrofon- und/oder Leiterplattenbiegeeffekte, ideal für große Telekommunikations-Leiterplatten
  • Qualität und Zuverlässigkeit auf Halbleiterniveau, Konsistenz von Charge zu Charge
  • Keine Aktivitätseinbrüche oder Mikrosprünge

Die programmierbare Plattform eliminiert lange Vorlaufzeiten und Anpassungskosten, die mit älteren Quarz-OCXOs verbunden sind

  • Jede Frequenz von 1 bis 60 MHz
  • LVCMOS- oder abgeschnittene Sinuswellenausgänge
  • SONET/SDH Stratum 3E
  • 4G / 5G RRH, DU
  • Basisstationen
  • Core- und Edge-Router
  • Carrier-Klassenwechsel
  • IEEE 1588-Grenzuhren
  • IEEE 1588 Großmeister
  • Disziplinierte GNSS-Timing-Module
  • Instrumentierung
  • Intelligente Messgeräte
  • Fernkommunikation

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