10 bis 60 MHz, ±1 ppb Robuster OCXO
LoginDer robuste Endura Epoch SiT7111 OCXO ist ein MEMS-basiertes Gerät, das zur Lösung langjähriger Probleme von Quarz-OCXOs entwickelt wurde. Durch die Nutzung der einzigartigen Temperatursensortechnologie und des fortschrittlichen CMOS-Designs von SiTime bietet es eine hervorragende Stabilität bei Umgebungseinflüssen wie Luftströmung, Temperaturschwankungen, Vibrationen, Stößen und elektromagnetischen Störungen.
Dieser OCXO bietet erhebliche Verbesserungen bei Größe, Gewicht und Leistung (SWaP) mit bis zu 20-mal kleinerer Größe, bis zu 300-mal weniger Gewicht und bis zu 2-mal geringerer Leistung. Der Siliziumherstellungsprozess von SiTime gewährleistet höchste Qualität mit kürzeren Vorlaufzeiten und einer robusten Lieferkette.
Der SiT7111 OCXO wird in einem kleinen oberflächenmontierbaren Gehäuse (9,0 mm x 7,0 mm x 3,6 mm) geliefert und bietet eine Übertemperaturstabilität von ±3 ppb über -40 °C bis 95 °C und eine typische Frequenzsteilheit von ±0,02 ppb/°C (ΔF). /ΔT) und 5E-12 Allen-Abweichung. Der SiT7111 verfügt über einen Frequenz-Pull-Bereich von ±400 ppm mit einer feinen Auflösung von nur 0,05 ppt (5E-14).
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| "Spezifikationen" | "Value" |
|---|---|
| Frequency | 10 to 60 MHz |
| Frequency Stability (ppm) | ±0.001 (±1 ppb) |
| Operating Temperature Range (°C) | -40 to 85, -40 to 95 |
| Package Type (mm²) | 9.0 x 7.0 |
| Oscillator Type | OCXO |
| Voltage Supply (V) | 2.5, 2.8, 3.3 |
| Features | ±20 ppt/°C frequency slope, 5E-12 ADEV, 420 mW steady state power consumption |
| Availability | Pre-Production Sampling |
-
Epoch OCXO package 9.0x7.0
Benchmark-Überbleibsel unter realen Bedingungen für Assured PNT-Systeme
- Weniger als 3,0 µs Zeitfehler nach 12 Stunden ohne GPS-Synchronisierung
- 5E-12 ADEV bei einer Mittelungszeit von 10 Sekunden, bis zu 4-mal besser als vibrationsbewertete Quarz-OCXOs
- Bis zu 10-mal bessere Alterung mit ±0,1 ppb/Tag Alterung
Extrem robuster Betrieb in rauen Umgebungen
- Bis zu 70-mal bessere g-Empfindlichkeit als vibrationsbeständige Quarz-OCXOs
- ±1 ppb Übertemperatur. Stabilität von -40 bis 95°C
- ±0,01 ppb/°C Frequenzsteigung (ΔF/ΔT)
- 20.000 g Schocküberlebensfähigkeit
Geringere Größe, geringeres Gewicht und geringere Leistung (SWaP)
- Bis zu dreimal geringerer Stromverbrauch bei 420 mW typischem Stromverbrauch (3,3 V)
- Bis zu 20-mal weniger Volumen in einem robusten 9,0 x 7,0 x 3,6 mm großen Gehäuse
- Bis zu 300-mal weniger Gewicht bei 0,35 g
Bestes Phasenrauschen bei Vibration
- Minimiert Verbindungsabbrüche in Umgebungen mit starken Vibrationen
Keine Aktivitätseinbrüche oder Mikrosprünge
- Reduziert die Notwendigkeit kostspieliger Screening- oder Burn-In-Tests
On-Chip-Netzteil-Rauschfilterung für hervorragendes PSNR
- Reduziert die Stückliste durch den Wegfall eines dedizierten LDO für OCXO
LVCMOS- oder abgeschnittener Sinuswellenausgang
- Optimiert für die beste Balance zwischen EMI und Jitter
Umfangreiche programmierbare Funktionen
- Jede Frequenz zwischen 10 und 60 MHz
- 2,5-, 2,8- und 3,3-V-Stromversorgungsoptionen
Digitale Frequenzabstimmung über I2C und SPI
- Großer Zugbereich von ±3,125 bis ±400 ppm
- 5E-14 Frequenz-Pull-Auflösung
- Assured Positioning Navigation Timing (PNT)
- GNSS-Empfänger
- Leitsysteme
- Datenkommunikationssysteme
- SatCom-Terminal
- Radar
- Manpack und Airborne Radios
- Fahrzeugkommunikations-Holdover und IEEE 1588-Synchronisierung
Rechner für Frequenzsteigung (dF/dT) – Berechnen Sie die Frequenzsteigung über der Temperatur
| Resource Name | Resource Type | Date | Format | Size |
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