10~60MHz、8時間ホールドオーバーOCXO

SiTime社のEpoch Platform™ MEMS OCXOファミリーの一員であるSiT5801は、実環境においてクラス最高の時間精度を実現し、サービスの継続性を最大限に高めます。水晶OCXOの長年の課題を解決するために設計されたEpoch Platform OCXOは、熱衝撃、気流、振動に対する耐性を備えています。SiT5801は、体積を25分の1、消費電力を3分の1に削減することで設計プロセスを簡素化・迅速化するだけでなく、優れた耐環境性により保護カバーが不要になります。SiTime社のシリコン製造プロセスは、最高品質と短いリードタイムを保証し、強固なサプライチェーンを実現します。

SiT5801は、業界最小(9mm×7mm)のOCXOでありながら、±3ppbの過熱安定性、±0.02ppb/℃の標準周波数勾配(dF/dT)、最大8時間のホールドオーバーを実現しています。また、同クラスのOCXOとしては初めて、-40℃~95℃という広い温度範囲に対応しています。

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Epoch OCXO package 9.0x7.0
"スペック" "値"
Oscillator Type OCXO
Frequency 10 to 60 MHz
Frequency Stability (ppm) ±0.003 (±3 ppb), ±0.005 (±5 ppb)
Operating Temperature Range (°C) -20 to 70, -40 to 85, -40 to 95
Package Type (mm²) 9.0 x 7.0
Voltage Supply (V) 2.5, 2.8, 3.3
Features 8-Hour Holdover, ±20 ppt/°C frequency slope, 4E-12 HDEV at 10 seconds, 420 mW steady state power consumption
Availability Production

実環境下での8時間ホールドオーバーにより、サービス継続性が2倍向上

  • ±0.3 ppb/日(エージング)
  • ITU-T推奨プロファイルによる8℃の温度変化と1m/sの気流を含む

気流下での優れた動的安定性、高速な温度上昇

  • -40℃から95℃までの温度範囲で±3ppbおよび±5ppbの安定性。
  • ±0.02 ppb/°C 周波数勾配 (ΔF/ΔT) -- 過酷な環境下における通信機器およびネットワーク機器のシステムレベルのサービス品質を保証します。
  • 10秒平均時間で4E-12 HDEV

コンパクトなエッジデバイスおよびデータセンターデバイス向けに、消費電力を3分の1に、体積を25分の1に削減。

  • 標準消費電力:420mW(3.3V)
  • 堅牢な9.0 x 7.0 x 3.6 mmのパッケージ

振動下における最高の位相ノイズ

  • 高振動環境下での通話やリンクの切断を最小限に抑えます

活動量の急激な低下や急激な増加は見られない。

  • 高額なスクリーニングテストやバーンインテストが不要になります

オンチップ電源ノイズフィルタリングにより優れたPSNRを実現

  • OCXO専用のLDOをなくすことで部品コストを削減

LVCMOSまたはクリップされた正弦波出力

  • EMIとジッターの最適なバランスを実現します

豊富なプログラマブル機能

  • 10~60MHzの任意の周波数
  • 2.5V、2.8V、3.3Vの電源オプション

I2CとSPIによるデジタル周波数チューニング

  • ±3.125~±400 ppmの広い吸引範囲
  • 5E-14周波数プル分解能
  • 基板ノイズによる周波数シフトを解消する

優れた信頼性 – クロック部品に起因する現場での故障や修理コストを削減します

  • 10億時間 MTBF
  • 5Gインフラ
  • 4G / 5G RRH、DU
  • ITU-T G.8273.2 クラス D
  • スモールセル
  • データセンターのスイッチとルーター
  • コアルーターとエッジルーター
  • 光トランスポート (OTN、OLT など)
  • タイミングサーバー
  • テストと測定
  • IEEE 1588 境界クロックとグランドマスター
  • SONET/SDH ストラタム 3E
  • GNSS 規律あるタイミング モジュール

周波数傾斜(dF/dT)計算機  – 温度に対する周波数勾配を計算する

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> 4,999 ---