1 bis 60 MHz, 1E-11 ADEV, ±7 ppb/°C Super-TCXO
Der SiT5234 ist ein hochstabiler MEMS-Super-TCXO mit einer Genauigkeit von ±0,5 bis ±2,5 ppm, der speziell für synchronisationskritische Infrastrukturen entwickelt wurde. Als Teil der Elite 2 Super-TCXO®-Familie von SiTime bietet er einen ADEV von 1E-11 und eine Frequenzsteilheit von ±7 ppb/°C. Dadurch ermöglicht er eine präzise Synchronisation in künstliche Intelligenz -Rechenzentren, Hochleistungsrechnern und -netzwerken sowie in hochpräzisen GNSS-Systemen, indem er die Zeitgenauigkeit trotz Temperaturschwankungen, Luftströmungsstörungen und mechanischer Belastung aufrechterhält.
Dank der einzigartigen DualMEMS®-Temperatursensorik und der TurboCompensation®-Technologie von SiTime bietet der SiT5234 hohe Leistung in einem standardmäßigen 3,2 mm x 2,5 mm großen QFN-Kunststoffgehäuse und nutzt Standard-Halbleitergehäuse sowie einen skalierbaren Fertigungsprozess – eine einzigartige Kombination für diese Klasse von Präzisionsprodukten. Der SiT5234 ist auch in einem standardmäßigen 5,0 mm x 3,2 mm großen Keramikgehäuse erhältlich.
Der SiT5234 kann werkseitig über seinen gesamten Frequenzbereich programmiert werden, ohne dass zusätzliche Lieferzeiten oder Anpassungskosten anfallen, und kann als Standard-TCXO oder als DCTCXO mit einer I 2 C seriellen Schnittstelle zur Ausgangs- und Frequenzsteuerung bestellt werden.
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| "Spezifikationen" | "Wert" |
|---|---|
| Oscillator Type | TCXO-SE |
| Frequency | 1 to 60 MHz |
| Frequency Stability (ppm) | ±0.5, ±1.0, ±2.5 |
| Operating Temperature Range (°C) | -40 to 85, -40 to 105 |
| Package Type (mm²) | 3.2 x 2.5 (8-pin plastic) , 5.0 x 3.2 (10-pin ceramic) |
| Pull Range (ppm) | ±200 (DCTCXO) |
| Voltage Supply (V) | 1.8, 2.5, 3.0, 3.3 |
| Features | Low power, high dynamic stability, on-chip regulators, no activity dips or micro jumps |
| Availability | Engineering samples |
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3225 8-Pin MEMS Super-TCXO
Außergewöhnliche dynamische Stabilität unter Luftströmung, schnelle Temperaturrampe
- Frequenzstabilität von ±0,5 bis ±2,5 ppm über den gesamten Temperaturbereich
- ±7 ppb/°C Frequenzsteigung (ΔF/ΔT)
- 1e-11 ADEV bei einer Mittelungszeit von 10 Sekunden
- Betriebstemperatur -40 °C bis +105 °C
- Gewährleistet eine extrem stabile Leistung in harschen Rechenzentrumsumgebungen
Keine Aktivitätseinbrüche oder Mikrosprünge
- Erübrigt sich von kostspieligen Screening- oder Burn-in-Tests.
Umfangreiche programmierbare Funktionen
- Jede Frequenz zwischen 1 MHz und 60 MHz
- Digitales Frequenzziehen (DCTCXO) über I²C
- ±200 ppm Zugbereich
- Frequenzauflösung auf 3,64 ppt reduziert
- 1,8 V, 2,5 V, 3,0 V und 3,3 V Versorgungsspannung
- On-Chip-Regler machen externe LDOs überflüssig.
LVCMOS- oder abgeschnittener Sinuswellenausgang
- Optimiert für ein optimales Gleichgewicht zwischen elektromagnetischen Störungen und Jitter.
Stoß-, vibrations- und biegebeständig
- Datacenter Synchronization (Compute, NIC)
- IEEE 1588 Endpoint Clock
- 5G-Infrastruktur
- Precision GNSS Systems
- Seismische Sensoren
- Fleet Management
Frequenz-Steigungs-Rechner (dF/dT) – Frequenzsteigung über der Temperatur berechnen
| Resource Name | Resource Type | Date | Format | Size |
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