MHz 振荡器

SiTime 可提供完整的 MEMS MHz 振荡器产品组合,包括单端振荡器、差分振荡器、车载振荡器、扩频振荡器和 VCXO。这些器件专为提供更高的可靠性,实现更短的交货周期,解决诸如 EMI 等独有的时钟问题而设计。无需重新设计或布局更改就能替代石英振荡器。

LVPECL / LVDS / HCSL 振荡器

SiTime 可为网络、服务器、存储和电信应用提供广泛的高性能差分振荡器产品组合。当处于冲击、震动、高噪声电源和EMI 等常见的恶劣环境中时,SiT91xxSiT93xx 系列能提供业界最佳的抖动性能和电源噪声抑制(PSNR) 功能。

  • 1Hz 为增量提供从1MHz 725MHz 不等的任意频率
  • 以符合业界标准的小外形封装提供0.23 0.6ps 的抖动(典型值)
  • 提供业界最佳的±10ppm 的动态精度
器件 产品说明书 频率 精度(PPM) 输出类型 供电电压(V) 温度范围(°C) 封装尺寸(mm2)
SiT9120 31 frequencies ±10 ±20 ±25 ±50 LVPECL LVDS 2.5 3.3 2.25 to 3.63 -20 to +70 -40 to +85 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0
SiT9121 1 to 220 MHz ±10 ±20 ±25 ±50 LVPECL LVDS 2.5 3.3 2.25 to 3.63 -20 to +70 -40 to +85 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0
SiT9122 220 to 625 MHz ±10 ±20 ±25 ±50 LVPECL LVDS 2.5 3.3 2.25 to 3.63 -20 to +70 -40 to +85 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0
SiT9365 32 frequencies ±10 (Contact SiTime) ±20 ±25 ±50 LVPECL LVDS HCSL 2.5 2.8 3 3.3 -20 to +70 -40 to +85 3.2x2.5 7.0x5.0
SiT9366 1 to 220 MHz ±20 ±25 ±50 LVPECL LVDS HCSL 2.5 2.8 3 3.3 -20 to +70 -40 to +85 3.2x2.5 7.0x5.0
SiT9367 220 to 725 MHz ±20 ±25 ±50 LVPECL LVDS HCSL 2.5 2.8 3 3.3 -20 to +70 -40 to +85 3.2x2.5 7.0x5.0

LVCMOS 振荡器

SiTime 可为消费类电子、工业类、IoT 和网络应用提供广泛的 LVCMOS 振荡器产品组合。这些器件不仅尺寸小而且功耗低,此外,还能以多种封装供货。

  • 至 220MHz时精度精确到小数点后六位
  • 低至 60µA 的最低功耗
  • 提供业界最佳的 ±10ppm 的频率精度
  • 最小封装 (1508) 以及符合业界标准的封装(20162520322550327050
  • SOT23-5-Leaded 封装实现最佳可制造性
  • 用于降低EMI 的 FlexEdge™ 压摆率选项:0.25ns 到 40ns 的可配置上升/下降时间
器件 产品说明书 频率 精度(PPM) 输出类型 供电电压(V) 温度范围(°C) 封装尺寸(mm2)
SiT1602 52 frequencies ±20 ±25 ±50 LVCMOS 1.8 2.5 to 3.3 -20 to +70 -40 to +85 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0
SiT2001 1 to 110 MHz ±20 ±25 ±50 LVCMOS 1.8 2.5 to 3.3 -20 to +70 -40 to +85 SOT23(2.9x2.8)
SiT2002 115 to 137 MHz ±20 ±25 ±50 LVCMOS 1.8 2.5 to 3.3 -20 to +70 -40 to +85 SOT23(2.9x2.8)
SiT8008 1 to 110 MHz ±20 ±25 ±50 LVCMOS 1.8 2.5 to 3.3 -20 to +70 -40 to +85 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0
SiT8009 115 to 137 MHz ±20 ±25 ±50 LVCMOS 1.8 2.5 to 3.3 -20 to +70 -40 to +85 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0
SiT8208 1 to 80 MHz ±10 ±20 ±25 ±50 LVCMOS 1.8 2.5 to 3.3 -20 to +70 -40 to +85 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0
SiT8209 80 to 220 MHz ±10 ±20 ±25 ±50 LVCMOS 1.8 2.5 to 3.3 -20 to +70 -40 to +85 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0

车载与高温振荡器

SiTime 的车载 (AEC-Q100) 与高温振荡器在 -55 °C 至 125 °C 的温度范围内可提供 ±20ppm 的频率稳定性。与石英振荡器相比,其精度高出 2 倍,可靠性高出 20 倍,抗冲击与耐振动能力高 30 倍。

  • 1 至 137MHz 并且精度精确到小数点后六位
  • -55 至 125 °C 的军规温度、-40 至 125 °C的车规温度、-40 至 105 °C的更广泛工规温度
  • 低至 0.1ppb/g 的振动敏感性(g敏感性)
  • 耐 50,000g 冲击和 70g 振动
  • 5 亿小时平均故障间隔时间(MTBF)
器件 产品说明书 频率 精度(PPM) 输出类型 供电电压(V) 温度范围(°C) 封装尺寸(mm2)
SiT2018 1 to 110 MHz ±20 ±25 ±50 LVCMOS 1.8 2.5 to 3.3 -40 to +105 -40 to +125 SOT23(2.9x2.8)
SiT2019 115 to 137 MHz ±20 ±25 ±50 LVCMOS 1.8 2.5 to 3.3 -40 to +105 -40 to +125 SOT23(2.9x2.8)
SiT2020 1 to 110 MHz ±20 ±25 ±50 LVCMOS 1.8 2.5 to 3.3 -55 to +125 SOT23(2.9x2.8)
SiT2021 119 to 137 MHz ±20 ±25 ±50 LVCMOS 1.8 2.5 to 3.3 -55 to +125 SOT23(2.9x2.8)
SiT2024 1 to 110 MHz ±20 ±25 ±50 LVCMOS 1.8 2.5 to 3.3 -40 to +85 -40 to +105 -40 to +125 -55 to +125 SOT23(2.9x2.8)
SiT2025 115 to 137 MHz ±20 ±25 ±50 LVCMOS 1.8 2.5 to 3.3 -40 to +85 -40 to +105 -40 to +125 -55 to +125 SOT23(2.9x2.8)
SiT8918 1 to 110 MHz ±20 ±25 ±50 LVCMOS 1.8 2.5 to 3.3 -40 to +105 -40 to +125 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0
SiT8919 115 to 137 MHz ±20 ±25 ±50 LVCMOS 1.8 2.5 to 3.3 -40 to +105 -40 to +125 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0
SiT8920 1 to 110 MHz ±20 ±25 ±50 LVCMOS 1.8 2.5 to 3.3 -55 to +125 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0
SiT8921 119 to 137 MHz ±20 ±25 ±50 LVCMOS 1.8 2.5 to 3.3 -55 to +125 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0
SiT8924 1 to 110 MHz ±20 ±25 ±30 ±50 LVCMOS 1.8 2.5 to 3.3 -40 to +85 -40 to +105 -40 to +125 -55 to +125 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0
SiT8925 115 to 137 MHz ±20 ±25 ±30 ±50 LVCMOS 1.8 2.5 to 3.3 -40 to +85 -40 to +105 -40 to +125 -55 to +125 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0
SiT9386 1 to 220 MHz ±25 ±50 LVPECL LVDS HCSL 2.5 2.8 3.0 3.3 -40 to +85 -40 to +105 3.2x2.5 7.0x5.0
SiT9387 220 to 725 MHz ±25 ±50 LVPECL LVDS HCSL 2.5 2.8 3.0 3.3 -40 to +85 -40 to +105 3.2x2.5 7.0x5.0
SiT9025 1 to 150 MHz ±20 ±25 ±50 LVCMOS 1.8 2.5 to 3.3 -40 to +85 -40 to +105 -40 to +125 -55 to +125 2.0x1.6 mm 2.5x2.0 mm 3.2x2.5 mm
SiT8926 137 to 150 MHz ±20 ±25 ±50 LVCMOS 1.8 2.5 to 3.3 -40 to +85 -40 to +105 -40 to +125 -55 to +125 2.0x1.6 mm 2.5x2.0 mm 3.2x2.5 mm

扩频振荡器

SiTime用于降低EMI 的振荡器可通过扩频时钟和时钟信号的上升/下降时间调整来确保满足辐射合规要求。此类振荡器由SiTime 的Time Machine II 编程器提供支持,能帮助工程师快速降低辐射水平,进而确保客户通过合规性认证。

  • 基频高达17dB,谐波高达30dB
  • 宽泛的扩展范围:高达4% 的峰至峰
  • 提供FlexEdge™ 可配置上升下降时间选项:0.25ns到40ns 的压摆率
器件 产品说明书 频率 精度(PPM) 输出类型 供电电压(V) 温度范围(°C) 封装尺寸(mm2)
SiT9002 1 to 220 MHz ±25 ±50 LVPECL LVDS CML HCML 1.8 2.5 3.3 -20 to +70 -40 to +85 5.0x3.2 7.0x5.0
SiT9003 1 to 110 MHz ±50 ±100 LVCMOS 1.8 2.5 2.8 3.3 -20 to +70 -40 to +85 2.0x1.6 2.5x2.0 5.0x3.2 7.0x5.0
SiT9005 1 to 141 MHz ±20 ±25 ±50 LVCMOS 1.8 2.5 to 3.3 -20 to +70 -40 to +85 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5

Voltage-Controlled Oscillators

SiTime MEMS VCXO 可为视频分配(CMTS)、网络、电信及仪器应用提供优异的动态性能与业界最高的可靠性。这些器件经过精心设计,可在面临冲击、震动、电源噪声高以及EMI 等常见环境问题时,仍然保持相位噪声和频率微调精度不变。它们能够让线缆头端和远程射频头(RRH) 等设备在无空调基站内或屋顶等非受控环境中提供最高性能、最佳可靠性及最优的服务质量。

  • 以1Hz 步进提供从 1MHz 到 725MHz 不等的任意频率
  • 在整个温度范围内(-40到+85 °C)提供业界最佳的±15 ppm 的动态精度
  • 0.02ps/mV 的电源噪声抑制(PSNR) 水平,降低供电要求
  • 比石英优异50 倍的最佳(0.1%) 和最宽(±25 到±3200ppm)拉动范围线性度
器件 产品说明书 频率 精度(PPM) 输出类型 供电电压(V) 温度范围(°C) 封装尺寸(mm2)
SiT3372 1 to 220 MHz ±25 ±30 ±50 LVPECL LVDS HCSL 2.5 2.8 3.0 3.3 -20 to +70 -40 to +85 3.2x2.5 7.0x5.0
SiT3373 220 to 725 MHz ±25 ±30 ±50 LVPECL LVDS HCSL 2.5 2.8 3.0 3.3 -20 to +70 -40 to +85 3.2x2.5 7.0x5.0
SiT3807 31 frequencies ±25 ±50 LVCMOS 1.8 2.5 2.8 3.3 -20 to +70 -40 to +85 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0
SiT3808 1 to 80 MHz ±25 ±50 LVCMOS 1.8 2.5 2.8 3.3 -20 to +70 -40 to +85 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0
SiT3809 80 to 220 MHz ±25 ±50 LVCMOS 1.8 2.5 2.8 3.3 -20 to +70 -40 to +85 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0